用于LED倒装芯片的外延结构及其制备方法技术

本发明专利技术涉及半导体技术领域，具体公开一种用于LED倒装芯片的外延结构及其制备方法，包括：提供一衬底；在衬底上外延生长外延层；所述外延层包括沿外延方向依次沉积的多量子阱层及P型层；所述多量子阱层包括周期性依次交替生长的BGaN阱前保护层、InGaN阱层、BGaN阱后保护层及N

【技术实现步骤摘要】
用于LED倒装芯片的外延结构及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种用于LED倒装芯片的外延结构及其制备方法。

技术介绍

[0002]LED倒装芯片在出光效果、亮度、散热能力、物理尺寸极限、封装工艺生产效率等方面都较正装芯片有优势，其主要应用在汽车车灯、手机闪光灯灯。然而，现有的LED倒装芯片在小电流下(电流小于1uA)存在暗亮不均的问题，即在微小电流下，部分灯珠先亮起，部分灯珠仍未亮起，存在严重的亮度明暗差异，其主要原因是在微小电流下，LED芯片会有亮度产生，LED发光芯片开启的时候有软启动现象。

技术实现思路

[0003]本专利技术的目的在于针对已有的技术现状，提供一种用于LED倒装芯片的外延结构及其制备方法，本专利技术的制备方法可有效提升外延结构晶体质量，降低位错密度，减少漏电及电子溢流，并提高小电流下的串联体电阻，提升LED倒装芯片小电流下的开启电压，解决现有技术中LED倒装芯片在小电流下(电流小于1uA)存在暗亮不均的问题。
[0004]为达到上述目的，本专利技术采用如下技术方案：<本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于LED倒装芯片的外延结构的制备方法，其特征在于，包括：提供一衬底；在衬底上外延生长外延层；所述外延层包括沿外延方向依次沉积的多量子阱层及P型层；所述多量子阱层包括周期性依次交替生长的BGaN阱前保护层、InGaN阱层、BGaN阱后保护层及N
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GaN垒层；所述P型层包括沿外延方向依次沉积的绝缘保护层及P
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GaN层，所述绝缘保护层为未故意掺杂P型杂质的BGaN/GaN超晶格结构。2.根据权利要求1所述的用于LED倒装芯片的外延结构的制备方法，其特征在于，包括：在沉积BGaN阱后保护层完毕后，对BGaN阱后保护层进行H2处理；在沉积N
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GaN垒层完毕后，对N
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GaN垒层进行H2处理。3.根据权利要求2所述的用于LED倒装芯片的外延结构的制备方法，其特征在于，所述H2处理中，H2的通入时间为5～20s，通入流量为10～20l/min。4.根据权利要求1所述的用于LED倒装芯片的外延结构的制备方法，其特征在于，所述绝缘保护层与P
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GaN层之间还设有GaN层。5.根据权利要求4所述的用于LED倒装芯片的外延结构的制备方法，其特征在于，所述BGaN/GaN超晶格结构包括周期性交替生长的BGaN子层及GaN子层，周期数为3～10，各个周期中的BGa...

【专利技术属性】
技术研发人员：张文燕，胡清富，徐亮，武杰，徐金荣，
申请(专利权)人：佛山市国星半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：