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本发明涉及半导体技术领域，具体公开一种用于LED倒装芯片的外延结构及其制备方法，包括：提供一衬底；在衬底上外延生长外延层；所述外延层包括沿外延方向依次沉积的多量子阱层及P型层；所述多量子阱层包括周期性依次交替生长的BGaN阱前保护层、InG...
该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。

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