一种晶圆倒圆台形的凸点金属的制备方法技术

本发明专利技术公开一种晶圆倒圆台形的凸点金属的制备方法，属于光刻机技术领域；该方法包括：对晶圆进行预处理，得到预处理后晶圆；对预处理后晶圆进行光刻和镀金属，得到含凸点金属晶圆；对含凸点金属晶圆进行光刻和金属刻蚀，得到含倒圆台形的凸点金属的晶圆。本发明专利技术可以制备形貌一致、高低统一、底部小的凸点金属形貌，提高了在后续倒装互连过程的容错能力，解决在贴合过程由于凸点金属受力挤压后，导致像素之前短路的问题。前短路的问题。前短路的问题。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆倒圆台形的凸点金属的制备方法


[0001]本专利技术涉及光刻机
，具体涉及一种晶圆倒圆台形的凸点金属的制备方法。

技术介绍

[0002]Micro
‑
LED作为一种高亮度、高对比度、高分辨率、低功耗、自发光新型显示技术，其产品可以广泛应用在AR/VR、微投影、3D打印、汽车抬头显示等相关领域；
[0003]在现有技术中，一般采用驱动电路和LED芯片单独制备，通过倒装互连技术将驱动电路与LED芯片结合，实现像素单元的一对一互连；该技术虽然省去复杂的巨量转移过程，但同时也引入一些影响倒装互连效果的问题；目前业内通常采用金属倒装互连技术来完成像素驱动的一一对应，从而实现高精度、高密度像素互连；
[0004]随着micr
‑
LED微显示芯片不断的更新迭代，像素间距会越来越小，进一步限制凸点金属高度，同时驱动芯片以及LED芯片表面的翘曲，会导致在倒装互连的过程中，不能保证所有的像素导通；传统的凸点金属制备工艺一般在完成凸点金属蒸镀后，还要添加一步高温回流工艺，这对于像素间距在5um以下高密度阵列很难得到均匀性好、高度统一的凸点形貌；因此能否制备高度统一、形貌统一、高密度的凸点金属非常重要的。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种晶圆倒圆台形的凸点金属的制备方法，解决在贴合过程由于凸点金属受力挤压后，导致像素之前短路的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种晶圆倒圆台形的凸点金属的制备方法，包括以下步骤：
[0007]对晶圆进行预处理，得到预处理后晶圆；
[0008]对预处理后晶圆进行光刻和镀金属，得到含凸点金属晶圆；
[0009]对含凸点金属晶圆进行光刻和金属刻蚀，得到含倒圆台形的凸点金属的晶圆。
[0010]优选地，对预处理后晶圆进行光刻和镀金属，得到含凸点金属晶圆，具体包括以下步骤：
[0011]在预处理后晶圆上涂覆光刻胶后进行第一次光刻，得到第一次光刻后晶圆；
[0012]在第一次光刻后晶圆上生成一层底层金属层，去除光刻胶，得到含底层金属晶圆；
[0013]在含底层金属晶圆上涂覆光刻胶后进行第二次光刻，得到第二次光刻后晶圆；
[0014]在第二次光刻后晶圆上生成一层覆盖底层金属层的凸点金属层，去除光刻胶，得到含凸点金属晶圆。
[0015]优选地，对含凸点金属晶圆进行光刻和金属刻蚀，得到含倒圆台形的凸点金属的晶圆，具体包括以下步骤：
[0016]在含凸点金属晶圆上涂覆光刻胶后进行第三次光刻，得到第三次光刻后晶圆；
[0017]对第三次光刻后晶圆进行金属刻蚀，消去部分凸点金属层，形成含倒圆台结构凸
点，再去除光刻胶，得到含倒圆台形的凸点金属的晶圆。
[0018]优选地，对晶圆进行预处理，采用以下两种方式之一：
[0019]方式一、将晶圆放置在100℃热板烘烤300S；
[0020]方式二、在晶圆表面涂布HMDS，放置在120℃热板烘烤60S。
[0021]优选地，在第一次光刻后晶圆上生成一层底层金属层，具体包括以下步骤：
[0022]第一次光刻后晶圆先通过等离子清洗设备处理晶圆300S，氧气流量60
‑
100sccm，氩气流量30
‑
50sccm；完成后立即转移到蒸镀机蒸镀底层金属层；
[0023]优选地，所述底层金属层包括粘附层和浸润层；粘附层采用Ti/Cr，厚度为30
‑
50nm；浸润层采用Au，厚度为100
‑
300nm。
[0024]优选地，在第二次光刻后晶圆上生成一层凸点金属层，具体包括以下步骤：
[0025]第二次光刻后晶圆先通过等离子清洗设备机台处理晶圆300S，氧气流量60
‑
100sccm，氩气流量30
‑
50sccm；完成后立即转移到蒸镀机蒸镀凸点金属，生成凸点金属层。
[0026]优选地，所述凸点金属层的厚度为3
‑
7微米。
[0027]优选地，所述晶圆在使用之前和清理光刻胶之后均需要进行清洗，清洗具体包括以下步骤：
[0028]使用丙酮和异丙醇各超声5分钟清洗晶圆，用去离子水冲洗干净晶圆，氮气吹干。
[0029]优选地，所述第一次光刻的光刻版的图案为目标图案；
[0030]所述第二次光刻的光刻版的图案为覆盖图案；覆盖图案的正投影可以覆盖住第一次光刻的目标图案的正投影；
[0031]所述第三次光刻的光刻版的图案为反目标图案；反目标图案的正投影为第一次光刻的目标图案的反相。
[0032]与现有技术相比，本专利技术的有益效果为：
[0033]通过本专利技术可以制备形貌一致、高低统一、底部小的凸点金属形貌，提高了在后续倒装互连过程的容错能力；同时由于凸点金属倒圆台形的形貌结构，极大降低在倒装互连过程中产生像素位移的概率；解决在贴合过程由于凸点金属受力挤压后，导致像素之前短路的问题。
附图说明
[0034]下面结合附图对本专利技术的具体实施方式作进一步详细说明。
[0035]图1是本专利技术一种晶圆倒圆台形的凸点金属的制备方法的流程示意图；
[0036]图2是晶圆倒圆台形的凸点金属结构示意图。
具体实施方式
[0037]在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本专利技术。但是本专利技术能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本专利技术内涵的情况下做类似推广，因此本专利技术不受下面公开的具体实施的限制。
[0038]在本说明书一个或多个实施例中使用的术语是仅仅出于描述特定实施例的目的，而非旨在限制本说明书一个或多个实施例。在本说明书一个或多个实施例和所附权利要求书中所使用的单数形式的“一种”、“所述”和“该”也旨在包括多数形式，除非上下文清楚地
表示其他含义。还应当理解，本说明书一个或多个实施例中使用的术语“和/或”是指并包含一个或多个相关联的列出项目的任何或所有可能组合。
[0039]应当理解，尽管在本说明书一个或多个实施例中可能采用术语第一、第二等来描述各种信息，但这些信息不应限于这些术语。这些术语仅用来将同一类型的信息彼此区分开。例如，在不脱离本说明书一个或多个实施例范围的情况下，第一也可以被称为第二，类似地，第二也可以被称为第一。取决于语境，如在此所使用的词语“如果”可以被解释成为“在
……
时”或“当
……
时”或“响应于确定”。
[0040]下面结合附图1
‑
2对本专利技术做进一步的详细描述：
[0041]如图1所示，本专利技术提供一种晶圆倒圆台形的凸点金属的制备方法，包括以下步骤：
[0042]对晶圆进行预处理，得到预处理后晶圆；
[0043]对预处理后晶圆进行光刻和镀金属，得到含凸点金属晶圆；
[0044]对含凸点金属晶本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆倒圆台形的凸点金属的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：对晶圆进行预处理，得到预处理后晶圆；对预处理后晶圆进行光刻和镀金属，得到含凸点金属晶圆；对含凸点金属晶圆进行光刻和金属刻蚀，得到含倒圆台形的凸点金属的晶圆。2.根据权利要求1所述的晶圆倒圆台形的凸点金属的制备方法，其特征在于，对预处理后晶圆进行光刻和镀金属，得到含凸点金属晶圆，具体包括以下步骤：在预处理后晶圆上涂覆光刻胶后进行第一次光刻，得到第一次光刻后晶圆；在第一次光刻后晶圆上生成一层底层金属层，去除光刻胶，得到含底层金属晶圆；在含底层金属晶圆上涂覆光刻胶后进行第二次光刻，得到第二次光刻后晶圆；在第二次光刻后晶圆上生成一层覆盖底层金属层的凸点金属层，去除光刻胶，得到含凸点金属晶圆。3.根据权利要求2所述的晶圆倒圆台形的凸点金属的制备方法，其特征在于，对含凸点金属晶圆进行光刻和金属刻蚀，得到含倒圆台形的凸点金属的晶圆，具体包括以下步骤：在含凸点金属晶圆上涂覆光刻胶后进行第三次光刻，得到第三次光刻后晶圆；对第三次光刻后晶圆进行金属刻蚀，消去部分凸点金属层，形成含倒圆台结构凸点，再去除光刻胶，得到含倒圆台形的凸点金属的晶圆。4.根据权利要求3所述的晶圆倒圆台形的凸点金属的制备方法，其特征在于，所述第一次光刻的光刻版的图案为目标图案；目标图案的正投影与需要生成的倒圆台形的凸点金属重叠；所述第二次光刻的光刻版的图案为覆盖图案；覆盖图案的正投影可以覆盖住第一次光刻的目标图案的正投影；所述第三次光刻的光刻版的图案为反目标图案；反目标图案的正投影为第一次光刻的目标图案的反相。5.根据权利要求1所述的晶圆倒圆台形的凸点金属的制备方法，其特征在于，对晶圆进行预处理，...

【专利技术属性】
技术研发人员：白伟伟，李燚雷，汝雪亮，
申请(专利权)人：绍兴君万微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：