一种非平面结构外延层及其芯片结构的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种非平面结构外延层及其芯片结构的制备方法，该方法包括：提供一复合衬底，其中，复合衬底包括第一衬底以及形成在第一衬底上的图形化层，图形化层包括周期性排布的若干第一结构；生长第一外延层，第一外延层形成于周期性排布的若干第一结构之间的间隙中，且填满间隙；生长第二外延层，第二外延层形成于第一外延层上，且控制第二外延层的纵向生长速率，以使得第二外延层具有若干生长顶峰；且控制第二外延层的横向生长速率，以使得第二外延层相邻的生长顶峰之间形成横向闭合低谷；且横向闭合低谷的高度低于生长顶峰；按照第二外延层的形状，在第二外延层的表面依次生长N型外延层、发光层、P型外延层。P型外延层。P型外延层。

【技术实现步骤摘要】
一种非平面结构外延层及其芯片结构的制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种非平面结构外延层及其芯片结构的制备方法。

技术介绍

[0002]紫外线作为一种常用的物理消毒方法，已广泛用于医疗、卫生、制药等
的空气消毒。目前市场上大部分紫外线消毒杀菌产品以汞灯居多，技术成熟且价格便宜，因此很受大家的欢迎，但是其也存在诸多问题：如汞灯容易破碎，金属汞对人体危害比较大，具有一定的安全隐患；汞灯的发射光谱很宽，真正起有效固化作用的紫外光谱段只占其中的一部分，同时光电转换效率低，能源消耗大。而UVC
‑
LED由于具有小型化、无毒害、节省能量、维护成本低、使用便捷等优点，具备极其广阔的应用前景，得到了研究人员的广泛关注。
[0003]但UVC
‑
LED波长更短，在生长外延层时，需要用到浓度很高的Al组份，一般达到50％以上。由于Al原子的迁移率比较低，这使得在掺杂高浓度Al后，外延层生长时难以横向生长并合拢，表面会形成众多裂纹，造成无法形成有效、高质量的外延结构层，从而也就无法制作出高晶体质本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种非平面结构的外延层的制备方法，其特征在于，该方法包括：提供一复合衬底，其中，所述复合衬底包括第一衬底以及形成在所述第一衬底上的图形化层，所述图形化层包括周期性排布的若干第一结构；生长第一外延层，所述第一外延层形成于所述周期性排布的若干第一结构之间的间隙中，且填满所述间隙；生长第二外延层，所述第二外延层形成于所述第一外延层上，且控制所述第二外延层的纵向生长速率，以使得所述第二外延层具有若干生长顶峰；且控制所述第二外延层的横向生长速率，以使得所述第二外延层相邻的生长顶峰之间形成横向闭合低谷；且所述横向闭合低谷的高度低于所述生长顶峰；按照所述第二外延层的形状，在所述第二外延层的表面依次生长N型外延层、发光层、P型外延层。2.根据权利要求1所述的非平面结构的外延层的制备方法，其特征在于，所述第一结构的形状为长条状。3.根据权利要求1所述的非平面结构外延层的制备方法，其特征在于，以使得所述第二外延层具有若干生长顶峰具体包括：控制所述第二外延层在与所述周期性排布的若干第一结构之间的间隙相对应的位置生长若干生长顶峰。4.根据权利要求1所述的非平面结构外延层的制备方法，其特征在于，以使得所述第二外延层相邻的生长顶峰之间形成横向闭合低谷具体包括：控制所述第二外延层在所述第一结构的上方形成横向闭合低谷。5.根据权利要求1所述的非平面结构外延层的制备方法，其特征在于，所述第一衬底包括蓝宝石衬底。6.一种非平面结构的外延层，基于权利要求1
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5任一项所述的非平面结构的外延层的制备方法制备得到，其特征在于，该非平面结构的外延层包括：第一外延层，所述第一外延层生长于一复合衬底上周期性排布的若干第一结构之间的间隙中；第二外延层，所述第二外延层生长于所述第一外延层的第一面，包括若干生长顶峰，相邻所述生长顶峰之间的第一外延层横向闭合，形成横向闭合低谷；且所述横向闭合低谷的高度低于所述生长顶峰；N型外延层、发光层、P型外延层，按照所述第二外延层的形状，在所述第一外延层的基础上依次堆叠。7.根据权利要求6所述的非平面结构的外延层，其特征在于，所述第一外延层为缓冲层。8.根据权利要求6所述的非平面结构的外延层，其特征在于，所述第二外延层为AlGaN层。9.根据权利要求6所述的非平面结构的外延层，其特征在于，所述N型外延层为N型AlGaN层。10.根据权利要求6所述的非平面结构的外延层，其特征在于，所述P型外延层为P型AlGaN层。11.一种非平面结构的UVC
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LED芯片的制备方法，其特征在于，该方法包括：
提供一复合衬底，其中，所述复合衬底包括第一衬底以及形成在所述第一衬底上...

【专利技术属性】
技术研发人员：郝茂盛，袁根如，陈朋，马后永，
申请(专利权)人：上海芯元基半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：