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本发明提供了一种非平面结构外延层及其芯片结构的制备方法，该方法包括：提供一复合衬底，其中，复合衬底包括第一衬底以及形成在第一衬底上的图形化层，图形化层包括周期性排布的若干第一结构；生长第一外延层，第一外延层形成于周期性排布的若干第一结构之间...
该专利属于上海芯元基半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海芯元基半导体科技有限公司授权不得商用。

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