抗老化LED芯片的制作方法技术

本发明专利技术属于半导体制作技术领域，具体涉及抗老化LED芯片的制作方法，依次包括以下步骤：蓝宝石图形化衬底清洗；MESA光刻；MESA蚀刻和去胶；CBL沉积；CBL光刻；CBL腐蚀和去胶；透明电流扩展层ITO沉积；ITO光刻；ITO腐蚀和去胶；第一PAD光刻；第一PAD蒸镀；第一PAD剥离；保护层沉积；保护层光刻；保护层蚀刻和去胶；第二PAD光刻；第二PAD蒸镀；第二PAD剥离；钝化层沉积；钝化层光刻；钝化层蚀刻和去胶。本发明专利技术优化了LED芯片的抗老化能力，同时节约成本，且用途广泛。泛。泛。

【技术实现步骤摘要】
抗老化LED芯片的制作方法


[0001]本专利技术属于半导体制作
，具体涉及抗老化LED芯片的制作方法。

技术介绍

[0002]LED芯片是一种固态的半导体器件，就是一个P
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N结，它可以直接把电转化为光，主要用于照明和显示等领域。LED芯片根据制备方式又分为正装LED芯片，倒装LED芯片及垂直LED芯片。其中，正装LED芯片制作较为简单，在蓝宝石图形化衬底上进行外延层的沉积，包括第一层N
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GaN层、第二层MQW发光层、第三层P
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GaN，再进行芯片工艺的制备，包括从第三层P
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GaN蚀刻到第一层N
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GaN的MESA工艺，电流阻挡层SiO2蒸镀，使电流在第三层P
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GaN上电流的传导得以优化，蒸镀铟锡氧化物（即ITO）透明电流扩展层工艺，金属电极PAD光刻工艺以及SiO2钝化保护层沉积工艺。由于金属电极中为了反射作用往往涉及到金属铝Al的蒸镀，电极均采用一次镀膜金属的形式完成，比如铬（Cr）、铝（Al）、钛（Ti）、铂（Pt）和本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种抗老化LED芯片的制作方法，其特征在于，依次包括以下步骤：（1）外延清洗；（2）MESA光刻：在P
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GaN层表面进行正性光刻胶的涂布、曝光和显影；（3）MESA蚀刻和去胶：以步骤（2）所得光刻胶层作为掩膜自P
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GaN层向下进行ICP干法蚀刻与去胶，蚀刻至N
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GaN层，经过去胶后，N
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GaN层作为后续N电极平台；（4）CBL沉积：在步骤（3）所得芯片表面进行SiO2沉积，形成SiO2沉积层，优化电流横向传输；（5）CBL光刻：SiO2沉积层表面依次进行正性光刻胶涂布、曝光和显影；（6）CBL腐蚀和去胶：对SiO2沉积层用BOE进行腐蚀和去胶，分别在N电极和P电极平台上保留SiO2层，保留下来的SiO2对应形成CBL电流阻挡层，增加粘附性与电流横向传导；（7）透明电流扩展层ITO沉积：在步骤（6）所得芯片表面进行ITO蒸镀，形成ITO层；（8）ITO光刻：在ITO层表面依次进行正性光刻胶涂布、曝光和显影；（9）ITO腐蚀和去胶：对ITO层进行腐蚀和去胶，无光刻胶保护的ITO被腐蚀，有光刻胶保护的ITO得以保留，形成ITO电流扩展层；（10）第一PAD光刻：在步骤（9）所得芯片表面进行负性光刻胶的涂布、曝光和显影；（11）第一PAD蒸镀：在步骤（10）所得芯片表面进行蒸镀第一金属层；（12）第一PAD剥离：对负性光刻胶进行剥离，剥离后蒸镀在负性光刻胶表面的金属被去除，蒸镀在P和N电极处以及延伸出的finger处的金属得以保留，形成第一层电极第一PAD，主要负责与前层粘附和光反射作用；（13）保护层沉积：在步骤（12）所得芯片表面沉积SiO2或SiN，形成第一沉积层；（14）保护层光刻：在第一沉积层表面依次进行正性光刻胶涂布、曝光和显影，显影后第一沉积层上P和N电极以及延伸出的finger处对应位置形成若干正性光刻胶被去除后的空洞；（15）保护层蚀刻和去胶：对第一沉积...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱帅，康志杰，
申请(专利权)人：青岛融合微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：