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本发明属于半导体制作技术领域，具体涉及抗老化LED芯片的制作方法，依次包括以下步骤：蓝宝石图形化衬底清洗；MESA光刻；MESA蚀刻和去胶；CBL沉积；CBL光刻；CBL腐蚀和去胶；透明电流扩展层ITO沉积；ITO光刻；ITO腐蚀和去胶；第...
该专利属于青岛融合微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过青岛融合微电子科技有限公司授权不得商用。

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