薄膜晶体管阵列基板及其制造方法技术

本发明专利技术关于一种薄膜晶体管阵列结构及其制造方法。该薄膜晶体管阵列结构包含一基板，该基板上形成一图案化第一金属层，其包含位于一转接区的一数据连接线以及位于一衬垫区的一数据垫与一栅极垫；并在其上覆盖一图案化第一绝缘层，图案化第一绝缘层至少定义位于栅极垫上的一第一开口，位于数据垫上的一第二开口，以及位于转接区的一第三开口，以简化后续工艺，增加制造成品率。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术关于一种，特别是一种应用于液 晶显示器的。
技术介绍
随着技术演进，各种显示器制造技术不断被开发出来，例如使用平坦化绝 缘层技术。其在薄膜晶体管阵列完成后，在形成透明电极之前，先形成一具感 光性的平坦化绝缘层，其厚度通常比使用氮化硅及氧化硅等材料的绝缘层厚度 厚，并有较低的介电系数，除了具有平坦化功用亦有较佳的绝缘效果，详如下 述。请一并参考图1A及图1B，图1A绘示现有技术的薄膜晶体管阵列基板的 俯视图。图1B例示现有技术的薄膜晶体管阵列基板的剖面示意图，为便于显 示现有技术的特征，图1A仅例示部分结构，较详细的薄膜晶体管阵列基板结 构，请参见图1B，且将上述结构绘示于同一剖面图，并以分隔线区隔为A-A，、 B-B'及C-C'区域，分别绘示沿图1A中的A-A， 、 B-B，及C-C，剖面线的 剖面结构。薄膜晶体管阵列基板1包含一基板10，基板10上定义有一显示区 11 (参见A-A'剖面线所标示区域)及一衬垫区12 (参见虚线内区域)，其 中衬垫区12包含一栅极垫区12a及一数据垫区12b(参见B-B，及C-C，剖面 线所标示区域)。 一图案化第一金属层13，设置于基板本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造一薄膜晶体管阵列基板的方法，其特征在于，包含：　提供一基板，该基板定义有一显示区、一转接区以及一衬垫区；　形成一图案化第一金属层于该显示区、该转接区及该衬垫区，该图案化第一金属层包含位于该显示区的一栅极线与一栅极、位于该 转接区的一数据连接线以及位于该衬垫区的一数据垫与一栅极垫；　形成一图案化第一绝缘层，覆盖该基板与该图案化第一金属层，并在该衬垫区定义一第一开口与第二开口以及于该转接区定义一第三开口，该第一开口、该第二开口以及该第三开口分别暴露出部分该 栅极垫、部分该数据垫与部分该数据连接线；　形成一图案化半导体层于该栅极上方的该图案化第一绝缘层上；以及...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：林祥麟，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]