【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】利用有机共反应物的干式沉积光致抗蚀剂
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。如在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。本申请要求于2020年7月17日申请的美国临时专利申请No.62/705,854的利益，其全部公开内容都通过引用合并于此
[0002]本公开内容涉及利用前体与有机共反应物所形成的膜、以及用于形成及利用该膜的方法。可将该膜可用作可光图案化膜或辐射敏感膜。在特定实施方案中，可通过在沉积期间使辐射敏感金属元素与辐射敏感有机基团的源解耦来调整在该膜中的碳含量。在非限制性实施方案中，辐射可包括极紫外线(EUV)或深紫外线(DUV)辐射。
技术介绍
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本技术的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本技术的现有技术。
[0004]在半导体制造...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种堆叠件，其包括：半导体衬底，其具有顶表面；以及图案化辐射敏感膜，其被设置在所述半导体衬底的所述顶表面上，其中所述膜包含辐射吸收单元和来自有机共反应物的辐射敏感含碳单元。2.根据权利要求1所述的堆叠件，其中所述辐射吸收单元包含选自于由锡(Sn)、碲(Te)、铪(Hf)、和锆(Zr)或其组合所构成的群组的元素。3.根据权利要求1所述的堆叠件，其中所述辐射敏感含碳单元选自于由亚烯基团、亚炔基团、羰基团、和二羰基团或其组合所构成的群组。4.根据权利要求1所述的堆叠件，其中所述图案化辐射敏感膜包括极紫外线(EUV)敏感膜。5.根据权利要求4所述的堆叠件，其中EUV敏感膜包含多个可聚合的基团、亚烯基团、亚炔基团、羰基团、或二羰基团。6.根据权利要求4所述的堆叠件，其中所述EUV敏感膜包括竖直梯度，所述竖直梯度的特征在于EUV吸收度的变化。7.根据权利要求4
‑
6中所述的堆叠件，其中所述EUV敏感膜包含有机金属材料。8.一种形成膜的方法，所述方法包括：在有机共反应物的存在下提供初始前体，其中所述初始前体包括具有至少一个配体的有机金属化合物，以及其中所述有机共反应物取代所述至少一个配体，以提供经改性的前体；并且在衬底的表面上沉积所述经改性的前体，以提供图案化辐射敏感膜。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述图案化辐射敏感膜包括极紫外线(EUV)敏感膜。10.根据权利要求9所述的方法，其中相较于所述初始前体，所述经改性的前体包含增加或减少的碳含量。11.根据权利要求9所述的方法，其中所述提供还包括：提供从约1000:1至约1:4的所述初始前体比所述有机共反应物的摩尔比。12.根据权利要求8所述的方法，其中所述初始前体包括具有化学式(I)的结构：M
a
R
b
L
c
(I)，其中：M为金属；每一R独立地为卤素、任选经取代的烷基、任选经取代的芳基、任选经取代的氨基、任选经取代的烷氧基、或L；每一L独立地为配体、离子、或与所述有机共反应物或相对反应物具有反应性的其他基团，其中R和L与M一起能选择性地形成杂环基团或其中R和L一起能选择性地形成杂环基团；a≥1；b≥1；以及c≥1。13.根据权利要求12所述的方法，其中每一R为L和/或M为锡(Sn)。14.根据权利要求12所述的方法，其中每一L独立地为H、卤素、任选经取代的烷基、任选经取代的芳基、任选经取代的氨基、任选经取代的双(三烷基甲硅烷基)氨基、任选经取代的三烷基甲硅烷基、或任选经取代的烷氧基。
15.根据权利要求8所述的方法，其中所述有机共反应物包含一个或更多个可聚合的基团、炔基团、羰基团、二羰基团、或卤烷基团。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述有机共反应物包括具有化学式(II)的结构：X1‑
Z
‑
X2(II)，其中：X1和X2每一者独立地为离去基团；以及Z为羰基、二羰基、任选经取代的亚烷基、任选经取代的卤亚烷基、任选经取代的亚烯基、或任选经取代的亚炔基。17.根据权利要求8所述的方法，其中所述提供包括：提供气相形式的所述初始前体和所述有机共反应物。18.根据权利要求8
‑
17中所述的方法，其中所述提供还包括：提供相对反应物。19.根据权利要求18所述的方法，其中所述相对反应物包括氧或硫族化物前体。20.根据权利要...
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