一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法技术

本发明专利技术公开一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法，属于半导体功率器件领域。在抗辐射trench型MOSFET结构中，制造出元胞区域深孔接触，把P型杂质注入深孔底部，在发生单粒子事件中更好的收集空穴，增强器件的抗单粒子烧毁能力。本发明专利技术通过增加部分工艺步骤，修改部分工艺流程加工顺序，不需要增加额外的光刻层次，在工艺难度和制造成本增加有限的情况下，可以有效提升产品抗单粒子烧毁能力，改善产品性能，使之更好的适用于太空宇航环境。本发明专利技术的方法可以在不增加光刻层次和优化部分工艺的基础上，失效元胞区域体接触深孔，多晶栅位置孔深度保持不变。多晶栅位置孔深度保持不变。多晶栅位置孔深度保持不变。

【技术实现步骤摘要】
一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体功率器件
，特别涉及一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法。

技术介绍

[0002]Trench型MOSFET是一种新型半导体功率器件，其原胞截面如图1所示，和双极型功率器件性能相比，具有导通损耗低，工作频率高，电压控制型器件，控制电路简单等优点，越来越受到工业界的重视。随着空间和核物理技术的迅猛发展，电子设备对其电路系统中功率MOSFET抗辐射性能指标要求越来越高。抗辐射功率MOSFET器件，除了要满足常规的电学参数要求外，还要具备长期承受太空中各种电离辐射、高能粒子与宇宙射线等的抗辐射能力，所以功率MOSFET器件的阈值电压、漏端击穿电压、栅端击穿电压等都受此类电离辐射的影响。其中抗单粒子栅穿效应(SEGR)的能力为产品辐射性能中关键指标之一。
[0003]Trench型MOSFET高沟道密度，对于沟道电阻占比较高的中低压产品来说，比导通电阻有着明显优势。同时对于trench型MOSFET来说，抗辐射性能也遇到较大挑战。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法，其特征在于，包括：在抗辐射trench型MOSFET结构中，制造出元胞区域深孔接触，把P型杂质注入深孔底部，在发生单粒子事件中更好的收集空穴，增强器件的抗单粒子烧毁能力。2.如权利要求1所述的提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法，其特征在于，通过如下方法制造出元胞区域深孔接触，把P型杂质注入深孔底部：在外延片上生长第一氧化硅层，通过离子注入技术，实现阱注入；淀积氮化硅层，挖出trench结构；利用生长牺牲氧化和剥除牺牲氧化，修复trench结构侧壁并同时也给阱推结，形成阱与外延的PN结构；去除氮化硅层和第一氧化硅层，在trench结构底部进行氧化层加厚；接下来完成栅极多晶工艺后，利用炉管工艺淀积一层氮化硅，通过N+光刻和腐蚀，打开元胞区域源极区域；使用离子注入并退火激活，实现源极引出区；做好介质的淀积和平坦化处理，利用孔光刻和介质孔腐蚀，完成接触孔中介质孔工艺；去除表面光刻胶后第一步进行硅孔腐蚀，第二步进行氮化硅腐蚀，打开栅极多晶位置；第三步进行硅孔腐蚀，至此实现两种位置不同深度孔腐蚀工艺；利用孔注入和激活形成体区引出；利用钨填充和研磨，实现接触孔金属引出...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖远宝，徐海铭，唐新宇，徐政，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第五十八研究所，
类型：发明
国别省市：