半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种特性的不均匀小且可靠性良好的半导体装置。本发明专利技术的一个方式是一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：沉积氧化物；在氧化物上沉积第一绝缘体；在第一绝缘体上沉积导电体；在导电体上沉积第二绝缘体；通过进行加热处理，氧化物及第一绝缘体中的氢移动到第二绝缘体并被吸收。通过溅射法沉积第二绝缘体。通过溅射法沉积第二绝缘体。通过溅射法沉积第二绝缘体。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置的制造方法


[0001]本专利技术的一个方式涉及一种金属氧化物的制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种晶体管、半导体装置及电子设备。另外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体装置的制造方法。此外，本专利技术的一个方式涉及一种半导体晶片及模块。
[0002]注意，在本说明书等中，半导体装置是指能够通过利用半导体特性而工作的所有装置。除了晶体管等的半导体元件之外，半导体电路、运算装置或存储装置也是半导体装置的一个方式。显示装置(液晶显示装置、发光显示装置等)、投影装置、照明装置、电光装置、蓄电装置、存储装置、半导体电路、摄像装置、电子设备等有时包括半导体装置。
[0003]注意，本专利技术的一个方式不局限于上述
本说明书等所公开的专利技术的一个方式涉及一种物体、方法或制造方法。另外，本专利技术的一个方式涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或者组合物(composition of matter)。

技术介绍

[0004]近年来，已对半导体装置进行开发，LSI、CP本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：沉积氧化物；在所述氧化物上沉积第一绝缘体；在所述第一绝缘体上沉积导电体；在所述导电体上通过溅射法沉积第二绝缘体；以及通过进行加热处理，所述氧化物及所述第一绝缘体中的氢移动到所述第二绝缘体并被吸收。2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中使用含铝的溅射靶材及含氧的气体沉积所述第二绝缘体。3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述加热处理的温度为300℃以上且550℃以下，并且所述加热处理的时间为2小时以上且16小时以下。4.一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：沉积氧化膜；在所述氧化膜上沉积第一导电膜；将所述氧化膜及所述第一导电膜加工成岛状来形成氧化物及导电层；在所述氧化物及所述导电层之上沉积第一绝缘体；在所述导电层及所...

【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，小松良宽，伊藤俊一，川口忍，高桥正弘，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：