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提供一种特性的不均匀小且可靠性良好的半导体装置。本发明的一个方式是一种半导体装置的制造方法，包括如下步骤：沉积氧化物；在氧化物上沉积第一绝缘体；在第一绝缘体上沉积导电体；在导电体上沉积第二绝缘体；通过进行加热处理，氧化物及第一绝缘体中的氢移...
该专利属于株式会社半导体能源研究所所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社半导体能源研究所授权不得商用。

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