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本发明公开一种提升trench型MOSFET抗单粒子烧毁的制造方法，属于半导体功率器件领域。在抗辐射trench型MOSFET结构中，制造出元胞区域深孔接触，把P型杂质注入深孔底部，在发生单粒子事件中更好的收集空穴，增强器件的抗单粒子烧毁能...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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