铟金属氧化物膜蚀刻剂组合物及使用其的图案形成方法技术

提供了一种铟金属氧化物膜蚀刻剂组合物和使用该组合物的图案形成方法。根据本发明专利技术的实施例，铟金属氧化物膜蚀刻剂组合物相对于组合物的总重量包含：6重量％至12重量％的硝酸类氧化剂；1.5重量％至7重量％的硫酸氢盐类化合物；0.1重量％至9重量％的环状胺；以及剩余量的水。通过使用蚀刻剂组合物，可以在不损坏金属层或ITO层的情况下形成铟金属氧化物膜图案。案。案。

【技术实现步骤摘要】
铟金属氧化物膜蚀刻剂组合物及使用其的图案形成方法


[0001]本专利技术涉及一种铟金属氧化物膜蚀刻剂组合物和使用该组合物的图案形成方法。更具体地，本专利技术涉及一种包含氧化性蚀刻剂和附加剂的铟金属氧化物膜蚀刻剂组合物以及使用该组合物的图案形成方法。

技术介绍

[0002]例如，图像显示装置的薄膜晶体管(TFT)阵列基板包括：诸如像素电极、公共电极、数据线、扫描线、电源线等各种电极以及诸如布线等导电图案。
[0003]导电图案可以由诸如铜、钨、钼或铝等低电阻金属层形成，从而可以提高图像显示装置的驱动特性和响应速度。
[0004]为了图像显示装置中的透明性和金属层的保护，导电图案可以包括包含铟锡氧化物(ITO)、铟锌氧化物(ITO)、铟镓锌氧化物(IGZO)等的铟金属氧化物膜。
[0005]因此，为了形成上述导电图案，使用具有对铟金属氧化物膜的蚀刻性能的蚀刻剂组合物。
[0006]此外，根据铟金属氧化物膜的用途，可以应用仅对铟金属氧化物膜具有选择性的蚀刻工艺而不损坏金属层。
[0007]此外，当铟金属氧化物膜本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种铟金属氧化物膜蚀刻剂组合物，其特征在于，相对于组合物的总重量，包含：6重量％至12重量％的硝酸类氧化剂；1.5重量％至7重量％的硫酸氢盐类化合物；0.1重量％至9重量％的环状胺；以及剩余量的水。2.根据权利要求1所述的铟金属氧化物膜蚀刻剂组合物，其特征在于，所述硫酸氢盐类化合物包括硫酸氢铵。3.根据权利要求1所述的铟金属氧化物膜蚀刻剂组合物，其特征在于，所述环状胺包括选自由以下化合物组成的组中的至少一种：吡咯类化合物、吡唑类化合物、咪唑类化合物、三唑类化合物、四唑类化合物、五唑类化合物、恶唑类化合物、异恶唑类化合物、二唑类化合物、异噻唑类化合物。4.根据权利要求3所述的铟金属氧化物膜蚀刻剂组合物，其特征在于，所述环状胺包括苯并三唑。5.根据权利要求1所述的铟金属氧化物膜蚀刻剂组合物，其特征在于，相对于所述组合物的总重量，所述硝酸类氧化剂的含量为7重量％至10重量％。6.根据权利要求1所述的铟金属氧化物膜蚀刻剂组合物，其特征在于，相对于所述组合物的总重量，所述硫酸氢盐类化合物的含量为2重量％至6重量％。7.根据权利要求1所述的铟金属氧化物膜蚀刻剂组合物，其特征在于，相对于所述组合物的总重量，所述环状胺的含量为0.1重量％至5重量％。8.根据权利要求1所述的铟金属氧化物膜蚀刻剂组合物，其特征在于，不包含硫酸和含...

【专利技术属性】
技术研发人员：朴镛云，金童基，李昔准，张晌勋，
申请(专利权)人：东友精细化工有限公司，
类型：发明
国别省市：