箝位电路及其内部的组合电路制造技术

一种箝位电路包含第一晶体管、第二晶体管和分压电路。所述第一晶体管的源极连接到参考电压，而其漏极经过电流源接地。所述第二晶体管的栅极连接到所述第一晶体管的栅极和漏极，而其漏极接地。所述分压电路分别连接到输入电压节点、输出电压节点和所述第二晶体管的源极，以提供箝位电压。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种箝位电路，尤其涉及一种高精准度的箝位电路。
技术介绍
筘位电路是一种将具有大输入范围的输入电压转换成固定输出电压的电路。图l是 常规箝位电路。所述箝位电路10包含第一电阻器R1、第二电阻器R2、第三电阻器R3和 齐纳二极管(zener diode) Dl。所述第一电阻器R1分别连接到输入电压和所述第二电阻 器R2的一端。所述第二电阻器R2的另一端连接到所述第三电阻器R3的一端，并作为输 出电压节点。所述第三电阻器R3的另一端接地。所述齐纳二极管D1的阴极连接到所述第 一电阻器R1和所述第二电阻器R2的接点，而其阳极接地。当所述输入电压超过阈值，使所述第一电阻器R1和所述第二电阻器R2的接点的电压 超过所述齐纳二极管D1的击穿电压时，所述齐纳二极管D1导通，而所述箝位电路10进 入工作状态。在工作状态下，所述齐纳二极管D1工作于反向击穿状态，因此其阴极的电压被固定在定值Ve一p，而所述输出电压的值为^^Vd咖p。当所述输入电压增大时，其多余的电压增加在所述第一电阻器R1上，而其多余的电流通过所述齐纳二极管D1流到地面，因此所述输出电压值仍可固定在定值。然而，所述箝位电路10受所述输入电压的精确度和所述齐纳二极管D1的工艺变化的 限制，因此其输出电压较难控制。此外，所述箝位电路10在不同温度下，其输出电压值 也会有较大的差异，因此不适合应用于要求高精准度的电路。
技术实现思路
本专利技术的一实施例的箝位电路包含第一晶体管、第二晶体管和分压电路。所述第一 晶体管的源极连接到参考电压，而其漏极经过电流源接地。所述第二晶体管的栅极连接 到所述第一晶体管的栅极和漏极，而其漏极接地。所述分压电路分别连接到输入电压节 点、输出电压节点和所述第二晶体管的源极，以提供箝位电压。本专利技术的一实施例的应用于箝位电路的组合电路包含第一晶体管和第二晶体管。所 述第一晶体管的源极连接到参考电压，而其漏极经过电流源接地。所述第二晶体管的栅 极连接到所述第一晶体管的栅极和漏极，其漏极接地，而其源极连接到所述分压电路。附图说明图l显示常规箝位电路； .图2显示本专利技术的一实施例的箝位电路；以及图3显示本专利技术的另一实施例的箝位电路。具体实施例方式图2显示本专利技术的一实施例的箝位电路。所述箝位电路20包含分压电路21和组合电 路22。所述分压电路21包含第一电阻器R1、第二电阻器R2和第三电阻器R3。所述组合 电路22包含第一晶体管M1和第二晶体管M2。所述第一电阻器R1的一端连接到输入电压 节点。所述第二电阻器R2的一端连接到所述第二晶体管M2的源极和所述第一电阻器R1 的另一端。所述第三电阻器R3的一端连接到输出电压节点和所述第二电阻器R2的另一 端，而其另一端接地。所述第一晶体管M1的源极连接到参考电压V^，而其漏极经过电 流源23接地。所述第二晶体管M2的栅极连接到所述第一晶体管M1的栅极和漏极，而其 漏极接地。所述第一晶体管M1的尺寸比例近似于所述第二晶体管M2的尺寸比例，因此 所述第 一 晶体管M1的电压阈值Vthl近似于所述第二晶体管M2的电压阈值Vth2 。当所述输入电压低于阈值，所述第二晶体管M2不导通，此时输出电压等于——^——Vin。然而，当所述输入电压逐渐增加而超过阈值时，所述第二晶体管M2的源极电压值将大于所述参考电压Vref时，而使所述第二晶体管M2导通。此时，所述箝位电路20将进入工作状态。在工作状态下，由于所述第一晶体管Ml的电压阈值VtM近似于 所述第二晶体管M2的电压阈值Vth2,因此所述第二晶体管M2的源极电压值Vd^p近似于所述参考电压V^，而使得所述输出电压固定在D， D，Vref。优选地，所述第二晶体管M2的漏极可经过第四电阻器R4接地，如图3所示，其中所 述第四电阻器R4用以模拟所述电流源23的跨压，而使得Vd目p的值较近似于所述参考电压Vref。所述参考电压V^是来自芯片的内部稳定电压，因此其可提供较精准的电压值，而 使得所述箝位电路20的输出箝位电压较易被控制。再者，由于所述参考电压V^与温度变化的关系和所述组合电路22与温度变化的关系相反，因此可抵销温度变化所造成的输出电压值漂移。综上所述，本专利技术的箝位电路可有效控制其输出电压，例如经测量后&可接近于0.3433%，且其对温度变化也有相当的抵抗性，例如经测量后 °"'°"'可接近于-2865^，因此其适合应用于要求高精准度的电路。以上已揭示木专利技术的
技术实现思路
和技术特点，然而所属领域的技术人员仍可能基于本 专利技术的教示和揭示而作出种种不背离本专利技术精神的替换和修改。因此，本专利技术的保护范 围应不限于实施例所揭示的内容，而是应包括各种不背离本专利技术的替换和修改，并为所 附权利要求书涵盖。权利要求1.一种箝位电路，其特征在于包含第一晶体管，其源极连接到参考电压，而其漏极经过电流源接地；第二晶体管，其栅极连接到所述第一晶体管的栅极和漏极，而其漏极接地；以及分压电路，其分别连接到输入电压节点、输出电压节点和所述第二晶体管的源极，以提供箝位电压。2. 根据权利要求l所述的箝位电路，其中所述分压电路包含第一电阻器，其一端连接到所述输入电压节点；第二电阻器，其一端连接到所述第二晶体管的源极和所述第一电阻器的另一端； 以及第三电阻器，其一端连接到所述输出电压节点和所述第二电阻器的另一端，而其 另一端接地。3. 根据权利要求l所述的箝位电路，其中所述第二晶体管的漏极经过第四电阻器接地。4. 根据权利要求l所述的箝位电路，其实现于单一芯片内。5. 根据权利要求l所述的箝位电路，其中所述参考电压是来自芯片的内部稳定电压。6. 根据权利要求l所述的箝位电路，其中所述第一晶体管的尺寸比例实质上近似于所 述第二晶体管的尺寸比例。7. —种应用于箝位电路的组合电路，其连接到分压电路，特征在于所述组合电路包含第一晶体管，其源极连接到参考电压，而其漏极经过电流源接地；以及 第二晶体管，其栅极连接到所述第一晶体管的栅极和漏极，其漏极接地，而其源 极连接到所述分压电路。8. 根据权利要求7所述的组合电路，其中所述第二晶体管的漏极经过一电阻器接地。9. 根据权利要求7所述的组合电路，其中所述参考电压是来自芯片的内部稳定电压。10. 根据权利要求7所述的组合电路，其中所述第一晶体管的尺寸比例实质上近似于所 述第二晶体管的尺寸比例。全文摘要一种箝位电路包含第一晶体管、第二晶体管和分压电路。所述第一晶体管的源极连接到参考电压，而其漏极经过电流源接地。所述第二晶体管的栅极连接到所述第一晶体管的栅极和漏极，而其漏极接地。所述分压电路分别连接到输入电压节点、输出电压节点和所述第二晶体管的源极，以提供箝位电压。文档编号H03G11/00GK101494445SQ20081000472公开日2009年7月29日 申请日期2008年1月23日 优先权日2008年1月23日专利技术者孙有民, 朱竹有, 郑立升 申请人:台湾类比科技股份有限公司本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种箝位电路，其特征在于包含：　第一晶体管，其源极连接到参考电压，而其漏极经过电流源接地；　第二晶体管，其栅极连接到所述第一晶体管的栅极和漏极，而其漏极接地；以及　分压电路，其分别连接到输入电压节点、输出电压节点和所述第二 晶体管的源极，以提供箝位电压。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：郑立升，孙有民，朱竹有，
申请(专利权)人：台湾类比科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]