一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器技术

本申请提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，所述方法包括：提供衬底；衬底内包括有源区；在衬底上形成沿第一方向延伸的第一介质墙和第二介质墙；第一介质墙和第二介质墙交替分布；刻蚀第一介质墙和第二介质墙，形成沿第二方向延伸的沟槽；其中，沟槽间隔设置；在沟槽内，剩余的第一介质墙的高度大于剩余的第二介质墙的高度；刻蚀沟槽内剩余的第二介质墙，在沟槽内形成间隔设置的第一接触孔；第一接触孔暴露有源区。本申请能够以较少的光罩次数形成新颖的半导体结构，以进行金属布线。行金属布线。行金属布线。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器


[0001]本申请涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，集成电路不断追求高速度、高集成密度和低功耗。因而，集成电路中半导体器件结构尺寸也在不断微缩。
[0003]现有的半导体结构越来越难以满足发展的需要，半导体结构需要不断推陈出新，设计更多新颖的半导体结构。

技术实现思路

[0004]本申请实施例期望提出一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，能够以较少的光罩次数形成新颖的半导体结构，以进行金属布线。
[0005]本申请的技术方案是这样实现的：
[0006]本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法，所述方法包括：
[0007]提供衬底；所述衬底内包括有源区；
[0008]在所述衬底上形成沿第一方向延伸的第一介质墙和第二介质墙；所述第一介质墙和所述第二介质墙交替分布；
[0009]刻蚀所述第一介质墙和所述第二介质墙，形成沿第二方向延伸的沟槽；其中，所述沟槽间隔设置；在所述沟槽内，剩余的所述第一介质墙的高度大于剩余的所述第二介质墙的高度；
[0010]刻蚀所述沟槽内剩余的所述第二介质墙，在所述沟槽内形成间隔设置的第一接触孔；所述第一接触孔暴露所述有源区。
[0011]本申请实施例还提供一种半导体结构，所述半导体结构由上述方案中的制备方法制备而成。
[0012]本申请实施例还提供一种半导体存储器，包括上述方案中的半导体结构。
[0013]由此可见，本申请实施例提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，能够在所提供的衬底上形成沿第一方向延伸的第一介质墙和第二介质墙，其中，第一介质墙和第二介质墙交替分布；而后，刻蚀第一介质墙和第二介质墙，形成沿第二方向延伸的沟槽，其中，沟槽内剩余的第一介质墙的高度大于剩余的第二介质墙的高度；而后，刻蚀沟槽内剩余的第二介质墙，在沟槽内形成间隔设置的第一接触孔，其中，第一接触孔暴露出衬底中的有源区。这样，沟槽提供了金属布线的埋入区域，第一接触孔则提供了金属布线与有源区的接触点，而两次刻蚀仅需要两次光罩；从而，以较少的光罩次数形成了可以进行金属布线的新颖半导体结构，为半导体工艺提供了新的选择。
附图说明
[0014]图1为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的流程图一；
[0015]图2A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图一；
[0016]图2B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图二；
[0017]图3A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图三；
[0018]图3B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图四；
[0019]图4A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图五；
[0020]图4B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图六；
[0021]图5为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的流程图二；
[0022]图6A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图七；
[0023]图6B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图八；
[0024]图7A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图九；
[0025]图7B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图十；
[0026]图8A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图十一；
[0027]图8B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图十二；
[0028]图9A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图十三；
[0029]图9B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图十四；
[0030]图10为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的流程图三；
[0031]图11A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图十五；
[0032]图11B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图十六；
[0033]图12A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图十七；
[0034]图12B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图十八；
[0035]图13A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图十九；
[0036]图13B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图二十；
[0037]图14A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图二十一；
[0038]图14B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图二十二；
[0039]图15A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图二十三；
[0040]图15B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图二十四；
[0041]图16A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图二十五；
[0042]图16B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图二十六；
[0043]图17A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图二十七；
[0044]图17B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图二十八；
[0045]图18A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图二十九；
[0046]图18B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图三十一；
[0047]图19为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的流程图四；
[0048]图20A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图三十二；
[0049]图20B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图三十三；
[0050]图21A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图三十四；
[0051]图21B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图三十五；
[0052]图22为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的流程图五；
[0053]图23为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图三十六；
[0054]图24A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图三十七；
[0055]图24B为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图三十八；
[0056]图25为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的流程图六；
[0057]图26为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图三十九；
[0058]图27为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图四十；
[0059]图28A为本申请实施例提供的一种半导体结构制备方法的示意图四十一；
[0060]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；所述衬底内包括有源区；在所述衬底上形成沿第一方向延伸的第一介质墙和第二介质墙；所述第一介质墙和所述第二介质墙交替分布；刻蚀所述第一介质墙和所述第二介质墙，形成沿第二方向延伸的沟槽；其中，所述沟槽间隔设置；在所述沟槽内，剩余的所述第一介质墙的高度大于剩余的所述第二介质墙的高度；刻蚀所述沟槽内剩余的所述第二介质墙，在所述沟槽内形成间隔设置的第一接触孔；所述第一接触孔暴露所述有源区。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述沟槽内剩余的所述第二介质墙，在所述沟槽内形成间隔设置的接触孔之后，所述方法还包括：在所述沟槽内形成第一导电层；所述第一导电层填充所述第一接触孔，且填充至少部分所述沟槽；刻蚀所述沟槽外剩余的所述第二介质墙，形成第二接触孔；所述第二接触孔暴露所述有源区；在所述第二接触孔内形成第二导电层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一介质墙和所述第二介质墙，形成沿第二方向延伸的沟槽，包括：在所述第一介质墙和所述第二介质墙上，依次沉积第一阻挡层和第二阻挡层；刻蚀所述第二阻挡层，形成沿所述第二方向延伸的心轴；所述心轴间隔设置；覆盖所述心轴的侧面形成侧墙；以所述侧墙为掩膜进行刻蚀，去除所述第一阻挡层，将所述第一介质墙和所述第二介质墙刻蚀形成所述沟槽。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第二阻挡层，形成沿所述第二方向延伸的心轴，包括：在所述第二阻挡层上形成第一掩膜；所述第一掩膜包括沿所述第二方向延伸的第一刻蚀图形；沿所述第一刻蚀图形刻蚀所述第二阻挡层，形成沿所述第二方向延伸的所述心轴。5.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述覆盖所述心轴侧面形成侧墙，包括：沉积硬掩膜层；所述硬掩膜层覆盖所述第一阻挡层及所述心轴；对所述硬掩膜层进行回刻，去除所述硬掩膜层的顶部直到暴露所述心轴，保留所述硬掩膜层的侧部作为所述侧墙。6.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述以所述侧墙为掩膜进行刻蚀，去除所述第一阻挡层，将所述第一介质墙和所述第二介质墙刻蚀形成所述沟槽，包括：去除所述侧墙中间的所述心轴；以所述侧墙为掩膜，刻蚀所述第一阻挡层，形成第一中间结构；以所述第一中间结构为掩膜，按照刻蚀速率比刻蚀所述第一介质墙和所述第二介质墙，形成所述沟槽。
7.根据权利要求6所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀速率比包括：所述第一介质墙的材料与所述第二介质墙的材料的刻蚀速率之比为1:4。8.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述沟槽内剩余的所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：于业笑，刘忠明，陈龙阳，白世杰，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：