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本申请提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，所述方法包括：提供衬底；衬底内包括有源区；在衬底上形成沿第一方向延伸的第一介质墙和第二介质墙；第一介质墙和第二介质墙交替分布；刻蚀第一介质墙和第二介质墙，形成沿第二方向延伸的沟...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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