一种低温多晶硅薄膜器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及一种低温多晶硅薄膜器件及其制造方法与设备，该制造方法的步骤包括：提供一基材；及施加一偏压给该基材并以一等离子体化学汽相沉积法沉积一多晶硅材料于该基材上，以通过该偏压的诱发使该多晶硅材料结晶为该多晶硅薄膜。本发明专利技术可于低温下获得较高品质的多晶硅薄膜器件，结晶率高且减少孕核层厚度，避免了破真空的污染。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种多晶硅薄膜及其形成方法，特别是涉及一种低温多晶硅薄 膜及其制造方法与设备。
技术介绍
在众多装置如半导体、薄膜级太阳能电池及各种液晶显示器的制造上，都 需要在低温下形成一硅薄膜，即在60(TC以下的温度中，利用物理汽相沉积 (Physical Vapor D印osition; PVD)、离子增长型化学汽相沉积(Plasma Enhanced Chemical Vapor D印osition; PE-CVD)或化学汽相沉积(Chemical Vapor D印osition; CVD)等方式汽相沉积一硅薄膜，但是在沉积时此硅薄膜 并没有足够的能量形成多晶硅(poly-silicon; poly-Si)，而仅能形成非晶 硅(amorphous silicon; a-Si)。由于多晶硅的硅结晶排列比非晶硅有次序， 因此多晶硅具有较高的电子迁移率及低温度敏感性。目前为了得到多晶硅薄膜， 一般利用固相结晶法(Solid Phase Crystallization)或准分子激光退火(Excimer Laser Annealing; ELA)方 式，致使非晶硅薄膜在高温退火环境下本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低温下直接沉积多晶硅薄膜的制造方法，其特征在于，包括下列步骤：　提供一基材；　沉积具有一既定晶格常数的一材料于该基材上，以形成具优选方向的一诱发层，该诱发层的材料为氮化铝；及　以一等离子体化学汽相沉积法沉积一多晶硅材料于该诱发层上，以通过该诱发层的诱发使该多晶硅材料结晶而形成该多晶硅薄膜。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：彭逸轩，黄志仁，王亮棠，张荣芳，翁得期，
申请(专利权)人：财团法人工业技术研究院，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]