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本发明涉及一种低温多晶硅薄膜器件及其制造方法与设备，该制造方法的步骤包括：提供一基材；及施加一偏压给该基材并以一等离子体化学汽相沉积法沉积一多晶硅材料于该基材上，以通过该偏压的诱发使该多晶硅材料结晶为该多晶硅薄膜。本发明可于低温下获得较高品...
该专利属于财团法人工业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过财团法人工业技术研究院授权不得商用。

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