用于光刻的掩模、制造其的方法和利用其制造基底的方法技术

提供用于光刻的掩模、制造其的方法和利用其制造基底的方法。用于光刻的掩模包括：透明基底；相移图案，位于透明基底上并被构造为改变光的相位；介电层，位于透明基底上；以及负折射率超材料层，位于介电层上。位于介电层上。位于介电层上。

【技术实现步骤摘要】
用于光刻的掩模、制造其的方法和利用其制造基底的方法
[0001]本申请是申请日为2015年8月3日、申请号为201510479333.1且专利技术名称为“用于光刻的掩模、制造其的方法和利用其制造基底的方法”的中国专利申请的分案申请。


[0002]本专利技术的示例实施例的各方面涉及一种用于光刻的掩模、一种制造该掩模的方法和一种利用该掩模制造基底的方法。

技术介绍

[0003]近来，已经开发了重量轻和尺寸小的显示设备。阴极射线管(CRT)显示设备由于性能和有竞争力的价格已经得以使用。然而，CRT显示设备会相对大且缺乏便携性。因此诸如等离子显示设备、液晶显示设备和有机发光显示设备的显示设备由于尺寸小、重量轻和功耗低已经受到高度关注。
[0004]随着液晶显示设备的分辨率增大，图案化的改善的精确度也会提高。然而，图案化的精确度由于光刻机或掩模的分辨率而受到限制。另外，因为液晶显示设备的结构变得更加复杂，所以可能难以在厚度不均匀的基底上形成精确图案。

技术实现思路

[0005]本专利技术的示例实施例的各方面涉及用于光刻的掩模、制造掩模的方法和利用掩模制造基底的方法。例如，本专利技术的示例实施例涉及用于制造液晶显示设备的光刻的掩模、制造掩模的方法和利用掩模制造基底的方法。
[0006]本专利技术的示例实施例的各方面包括具有改善的分别率的用于光刻的掩模。
[0007]本专利技术的示例实施例的各方面还提供制造掩模的方法。
[0008]本专利技术的示例实施例的各方面还提供利用掩模制造基底的方法。
[0009]根据本专利技术的示例实施例，用于光刻的掩模包括：透明基底；相移图案，位于透明基底上，并被构造为改变光的相位；介电层，位于透明基底上；以及负折射率超材料层，位于介电层上。
[0010]相移图案可以具有第二宽度并可以限定具有第一宽度的开口，其中，第一宽度和第二宽度的和可以限定节距，并且节距可以小于4微米。
[0011]节距可以小于1微米。
[0012]相移图案可以包括氮氧化铬(CrO
x
N
y
)和硅化钼氮氧化物(MoSiO
x
N
y
)中的至少一种。
[0013]相移图案的厚度可以为130纳米。
[0014]介电层可以包括聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)。
[0015]介电层的厚度可以为40纳米。
[0016]负折射率超材料层可以被构造为产生表面等离子体共振或声子共振。
[0017]负折射率超材料层的厚度可以为35纳米。
[0018]所述掩模还可以包括位于负折射率超材料层上的第二介电层。
[0019]根据本专利技术的示例实施例，在制造用于光刻的掩模的方法中，所述方法包括：在透明基底上形成相移图案；在透明基底上形成介电层；以及在介电层上形成负折射率超材料层。
[0020]相移图案可以具有第二宽度并可以限定具有第一宽度的开口，其中，第一宽度和第二宽度的和可以限定节距，并且节距可以小于4微米。
[0021]相移图案可以包括氮氧化铬(CrO
x
N
y
)和硅化钼氮氧化物(MoSiO
x
N
y
)中的至少一种。
[0022]所述方法还可以包括：对相移图案的上表面执行等离子体亲水处理。
[0023]所述方法还可以包括将预备介电层灰化以形成介电层。
[0024]介电层的厚度可以为40纳米。
[0025]负折射率超材料层可以包括银、金和铝中的至少一种。
[0026]负折射率超材料层的厚度可以为35纳米。
[0027]所述方法还可以包括：在负折射率超材料层上设置第二介电层。
[0028]根据本专利技术的一些实施例，在利用用于光刻的掩模制造基底的方法中，所述掩模包括：透明基底；相移图案，位于透明基底上，并被构造为改变光的相位；介电层，位于透明基底上；负折射率超材料层，位于介电层上，所述方法包括：将其上形成有光致抗蚀剂层的基底布置为面对掩模，通过掩模使光致抗蚀剂层曝光，其中，负折射率超材料层产生表面等离子体共振或声子共振，表面等离子体共振或声子共振被诱导为限定按照电磁波的传播距离指数地衰减的衰逝波，以用于准确地抑制光刻工艺中的光传递；以及通过利用显影剂将光致抗蚀剂层显影来形成光致抗蚀剂图案。
[0029]根据本专利技术的示例实施例，用于光刻的掩模包括介电层和负折射率超材料层，从而掩模可以具有如超级透镜般的改善的分辨率。另外，掩模包括相移图案，从而可以进一步改善掩模的分辨率。
[0030]另外，根据利用掩模制造基底的方法，通过等离子体亲水处理来处理掩模的相移图案的上表面，从而可以改善介电层的质量。另外，根据该方法，可以通过预备介电层的灰化工艺来减小介电层的厚度，从而可以获得介电层的期望的厚度。
附图说明
[0031]通过参照附图更详细地描述本专利技术的示例实施例，本专利技术的以上和其它特征将变得更加明了，在附图中：
[0032]图1是示出根据本专利技术的示例实施例的用于光刻的掩模的剖视图；
[0033]图2和图3是示出利用图1的掩模制造基底的方法的剖视图；
[0034]图4至图7是示出制造图1的掩模的方法的剖视图；
[0035]图8是示出根据本专利技术的示例实施例的用于光刻的掩模的剖视图；
[0036]图9是示出根据本专利技术的示例实施例的利用用于光刻的掩模制造基底的方法的剖视图；以及
[0037]图10是示出根据本专利技术的示例实施例的利用用于光刻的掩模制造基底的方法的剖视图。
具体实施方式
[0038]在下文中，将参考附图来更详细地说明本专利技术的示例实施例。
[0039]图1是示出根据本专利技术的示例实施例的用于光刻的掩模的剖视图。
[0040]参照图1，用于光刻的掩模包括透明基底100、相移图案110、介电层120和负折射率超材料层130。
[0041]透明基底100使光穿过，且不改变光的相位。例如，透明基底100可以包括石英。
[0042]相移图案110布置在透明基底100上。相移图案110改变穿过相移图案110的光的相位。相移图案110可以包括诸如氮氧化铬(CrO
x
N
y
)、硅化钼氮氧化物(MoSiO
x
N
y
)等的任何合适的相移材料。另外，相移图案110可以根据将要通过光刻工艺形成的图案而具有各种形状和构造。
[0043]相移图案110包括氧化铬并具有约130nm的厚度。因此，相移图案110可以将具有约365nm波长的光的相位改变180
°
(反相)，并且可以具有约8％的透射率。
[0044]相移图案110限定(例如，邻近于)开口OP(或开口区域)。穿过开口OP的光的相位不变。开口OP可以具有第一宽度W1，相移图案110可以具有第二宽度W2。第一宽度W1和第二宽度W2的和与节距本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于光刻的掩模，其特征在于，所述掩模包括：透明基底，具有第一区域和第二区域，并且在所述第一区域上包括凸部和凹部；阻光图案，位于所述透明基底的所述第二区域上；介电层，位于所述透明基底上，其中，所述介电层的部分定位在所述凹部中；以及负折射率超材料层，位于所述介电层上。2.如权利要求1所述的掩模，其特征在于，所述介电层包括聚甲基丙烯酸甲酯。3.如权利要求1所述的掩模，其特征在于，所述负折射率超材料层被构造为产生表面等离子体共振或声子共振。4.如权利要求3所述的掩模，其特征在于，所述负折射率超材料层的厚度小于150纳米。5.如权利要求1所述的掩模，其特征在于，所述负折射率超材料层包括银、金和铝中的至少一种。6.一种制造用于光刻的掩模的方法，其特征在于，所述方法包括：在透明基底的第二区域上上形成阻光图案，所述透明基底包括位于基底的第一区域上的凸部和凹部；在所述透明基底上形成介电层，其中，所述介电层的部分定位在所述凹部中；以及在所述介电层上形成负折射率超材料层。7.如权利要求6所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙龙，姜珉，金奉演，李贤珠，孔香植，周振豪，金敬植，白承化，
申请(专利权)人：延世大学校产学协力团，
类型：发明
国别省市：