用于存储器装置中的边缘数据字线的编程方案制造方法及图纸

本申请涉及一种用于存储器装置中的边缘数据字线的编程方案。在编程操作期间，存储器装置中的控制逻辑使编程电压在脉冲持续时间周期内施加到存储器阵列的块的多个字线中的选定数据字线。所述控制逻辑进一步使第一通过电压在所述脉冲持续时间周期内施加到所述块的所述多个字线中的一或多个未选定数据字线，且使第二通过电压在所述脉冲持续时间周期的至少第一部分施加到所述块的所述多个字线的最后未选定数据字线，其中所述第二通过电压具有低于所述第一通过电压的量值。有低于所述第一通过电压的量值。有低于所述第一通过电压的量值。

【技术实现步骤摘要】
用于存储器装置中的边缘数据字线的编程方案


[0001]本公开的实施例大体上涉及存储器子系统，且更具体地说，涉及一种用于存储器子系统的存储器装置中的边缘数据字线的改进编程方案。

技术介绍

[0002]存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可为例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可使用存储器子系统将数据存储在存储器装置处且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]本公开的一方面提供一种存储器装置，其包括：记忆体阵列；和控制逻辑，其以操作方式与存储器阵列耦合，以执行包括以下各项的操作：在编程操作期间，使编程电压在脉冲持续时间周期内施加到存储器阵列的块的多个字线中的选定数据字线；使第一通过电压在脉冲持续时间周期内施加到块的多个字线中的一或多个未选定数据字线；和使第二通过电压在脉冲持续时间周期的至少第一部分内施加到块的多个字线的最后未选定数据字线，其中第二通过电压具有低于第一通过电压的量值。
[0004]本公开的另一方面提供一种方法，其包括：在编程操作期间，使编程电压在脉冲持续时间周期内施加到存储器装置中的存储器阵列的块的多个字线中的选定数据字线；使第一通过电压在脉冲持续时间周期内施加到块的多个字线中的一或多个未选定数据字线；和使第二通过电压在脉冲持续时间周期的至少第一部分内施加到块的多个字线的最后未选定数据字线，其中第二通过电压具有低于第一通过电压的量值。
[0005]本公开的另一方面提供一种存储器装置，其包括：多个数据字线，其布置成垂直堆叠，其中多个数据字线耦合到用于存储数据的第一多个存储器单元；和多个虚设字线，其定位在垂直堆叠中的多个数据字线上方，其中多个虚设字线耦合到不用于存储数据的第二多个存储器单元，其中，在编程操作期间，使编程电压在脉冲持续时间周期内施加到多个数据字线中的选定数据字线，其中，使第一通过电压在脉冲持续时间周期内施加到多个数据字线中的一或多个未选定数据字线，且其中，使第二通过电压在脉冲持续时间周期的至少第一部分内施加到块的多个字线的最后未选定数据字线，其中第二通过电压具有低于第一通过电压的量值。
附图说明
[0006]将从下文给出的详细描述和从本公开的各种实施例的附图更充分地理解本公开。
[0007]图1A说明根据本公开的一些实施例的包含存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图1B为根据本公开的一些实施例的与存储器子系统的存储器子系统控制器通信的存储器装置的框图。
[0009]图2为根据本公开的一些实施例的可用于参考图1B所描述的类型的存储器中的存
储器单元阵列的部分的示意图。
[0010]图3为说明根据本公开的一些实施例的存储器装置中的块的字线配置的框图。
[0011]图4为说明根据本公开的一些实施例的实施用于边缘数据字线的改进编程方案的存储器装置中的存储器单元串的通道电势的图。
[0012]图5为根据本公开的一些实施例的用于存储器装置中的边缘数据字线的编程方案的实例方法的流程图。
[0013]图6A至6D为说明根据本公开的一些实施例的用于存储器装置中的边缘数据字线的改进编程方案的电压阶跃和时序。
[0014]图7为本公开的实施例可在其中进行操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0015]本公开的方面针对一种用于存储器子系统的存储器装置中的边缘数据字线的改进编程方案。存储器子系统可为存储装置、存储器模块或存储装置与存储器模块的混合。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用存储器子系统，所述存储器子系统包含一或多个组件，例如存储数据的存储器装置。主机系统可以提供将存储在存储器子系统处的数据，且可以请求将从存储器子系统检索的数据。
[0016]存储器子系统可包含高密度非易失性存储器装置，其中当没有电力供应到存储器装置时期望保持数据。举例来说，例如3D快闪NAND存储器的NAND存储器以紧凑的高密度配置的形式提供存储。非易失性存储器装置为一或多个裸片的封装，每一裸片包含一或多个平面。对于一些类型的非易失性存储器装置(例如，NAND存储器)，每一平面包含一组物理块。每一块包含一组页。每一页包含一组存储器单元(“单元”)。单元为存储信息的电子电路。取决于单元类型，单元可存储二进制信息的一或多个位，且具有与正存储的位数相关的各种逻辑状态。逻辑状态可由例如“0”和“1”或这类值的组合的二进制值表示。
[0017]存储器装置可由布置成二维或三维网格的位构成。存储器单元形成于列(下文也称为位线)和行(下文也称为字线)的阵列中的硅晶片上。字线可以指存储器装置的存储器单元的一或多个行，所述一或多个行与一或多个位线一起使用以生成存储器单元中的每一个的地址。位线与字线的相交点构成存储器单元的地址。下文中，块是指用于存储数据的存储器装置的单元，并且可包含存储器单元的群组、字线群组、字线或个别存储器单元。
[0018]存储器页(在本文中也被称为“页”)存储与从主机系统接收的数据对应的二进制数据的一或多个位。块的存储器单元可以沿着多个单独的字线布置。每一块可包含多个子块，其中每一子块由从共享位线延伸的相关联柱(例如，垂直导电迹线)界定。因为子块可单独地存取(例如，以执行编程或读取操作)，所以块可包含用以选择性地启用与特定子块相关联的柱同时停用与其它子块相关联的柱的结构。此结构可包含定位于每一柱的任一端或两端处的一或多个选择栅极装置。取决于所施加的控制信号，这些选择栅极装置可启用或停用信号穿过柱的传导。
[0019]在编程操作期间，可通过将编程电压施加到对应的选定字线来编程选定存储器单元。由于字线对多个存储器单元是共同的，未选定存储器单元可经受与选定存储器单元相同的编程电压。另外，与存储器装置中的其它字线相关联的未选定存储器单元可受影响。如果未以其它方式进行预处理，那么未选定存储器单元可能会受到共同字线上的编程电压的
影响。这些编程电压效应可包含将电荷存储于预期维持所存储数据的未选定存储器单元中的状况。此编程电压效应被称为“编程干扰(programming disturbance/program disturb)”效应。编程干扰效应可使存储在未选定存储器单元中的电荷完全不可读，或尽管仍表观上可读，但可将存储器单元的内容读取为与施加编程电压之前所存储的既定数据值不同的数据值。
[0020]例如电荷存储结构的多晶硅通道内部的电子的电子的存在可有助于编程干扰效应。举例来说，数据字线可遭受热电子(hot
‑
electron/hot
‑
e)干扰，其中栅极与源极之间的大电压差使将通道电子从漏极耗尽区注入到浮动栅极中。另外，此电压差可启动具有足够量值的静电场以改变选定字线上的电荷且致使存储器单元的内容无意中被编程或被不正确地读取。此外，静电场可在通道区中生成局部电子
‑
空穴对，从而产生可注入到选定字线中的更多电子。
[0021]某些存储器装置布置在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：存储器阵列；和控制逻辑，其以操作方式与所述存储器阵列耦合，以执行包括以下各项的操作：在编程操作期间，使编程电压在脉冲持续时间周期内施加到所述存储器阵列的块的多个字线中的选定数据字线；使第一通过电压在所述脉冲持续时间周期内施加到所述块的所述多个字线中的一或多个未选定数据字线；及使第二通过电压在所述脉冲持续时间周期的至少第一部分内施加到所述块的所述多个字线的最后未选定数据字线，其中所述第二通过电压具有低于所述第一通过电压的量值。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中所述存储器阵列的所述块包括布置成垂直堆叠的所述多个字线，且其中从所述垂直堆叠的底部处的第一数据字线到所述垂直堆叠的顶部处的最后数据字线循序地执行所述编程操作。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中所述多个字线包括布置在所述堆叠的所述顶部处的所述最后数据字线上方的一或多个虚设字线。4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中当所述垂直堆叠中分离所述选定数据字线与所述最后未选定数据字线的字线的数目满足阈值准则时，所述脉冲持续时间周期的所述第一部分等于所述脉冲持续时间周期，在所述第一部分期间所述第二通过电压施加到所述最后未选定数据字线。5.根据权利要求2所述的存储器装置，其中当所述垂直堆叠中分离所述选定数据字线与所述最后未选定数据字线的字线的数目不满足阈值准则时，所述脉冲持续时间周期的所述第一部分小于所述脉冲持续时间周期，在所述第一部分期间所述第二通过电压施加到所述最后未选定数据字线。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述控制逻辑将执行进一步包括以下各项的操作：使所述第一通过电压在所述脉冲持续时间周期的第二部分内施加到所述最后未选定数据字线，其中所述脉冲持续时间周期的所述第二部分在所述脉冲持续时间周期的所述第一部分之后。7.根据权利要求5所述的存储器装置，其中所述脉冲持续时间周期的所述第一部分的长度能够基于所述垂直堆叠中分离所述选定数据字线与所述最后未选定数据字线的字线的所述数目而变化，在所述第一部分期间所述第二通过电压施加到所述最后未选定数据字线。8.一种方法，其包括：在编程操作期间，使编程电压在脉冲持续时间周期内施加到存储器装置中的存储器阵列的块的多个字线中的选定数据字线；使第一通过电压在所述脉冲持续时间周期内施加到所述块的所述多个字线中的一或多个未选定数据字线；及使第二通过电压在所述脉冲持续时间周期的至少第一部分内施加到所述块的所述多个字线的最后未选定数据字线，其中所述第二通过电压具有低于所述第一通过电压的量
值。9.根据权利要求8所述的方法，其中所述存储器阵列的所述块包括布置成垂直堆叠的所述多个字线，且其中从所述垂直堆叠的底部处的第一数据字线到所述垂直堆叠的顶部处的最后数据字线循序地执行所述编程操作。10.根据权利要求9所述的方法，其中所述多个字线包括布置在所述堆叠的所述顶部处的所述最后数据字线上方的一或多个虚设字线。11.根据权利要求9所述的方法，其中当所述垂直堆叠中分离所述选定数据字线与所述最后未选定数据字...

【专利技术属性】
技术研发人员：HY，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：