一种晶体生长方法、装置及RF-SOI基材制造方法及图纸

本申请提供一种晶体生长方法、装置及RF

【技术实现步骤摘要】
一种晶体生长方法、装置及RF
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SOI基材


[0001]本申请涉及晶体生长
，具体涉及一种晶体生长方法、装置及RF
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SOI基材。

技术介绍

[0002]RF
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SOI是一种具有独特三层结构(即硅/绝缘层/硅)的硅基半导体工艺材料，它通过绝缘埋层(通常为SiO2)实现了器件和衬底的全介质隔离。因此，在5G射频芯片衬底材料中，因其具有低损耗、高线性度、高击穿电压、高热导率、高集成能力及相对较低的成本等优点，而成为核心的衬底材料。
[0003]目前，RF
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SOI需要一层高阻的硅单晶衬底，但由于硅单晶中的氧会产生热施主(thermal donor)，造成电阻降低。因此，该层高阻衬底还要求较低的氧含量。
[0004]为了降低硅单晶中的氧含量，传统8英寸高阻衬底均采用无坩埚的区熔法(又称FZ法，即悬浮区熔法)生长，而当晶体尺寸发展到12英寸后，坩埚尺寸、熔体体积均随之扩大，硅熔体的表面张力不足以支撑其重力，无法使用区熔法生长，只能使用直拉法，比如柴可拉斯基法(本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体生长方法，其特征在于，包括：控制第一超导线圈产生第一电流，以及控制第二超导线圈产生第二电流，其中第一电流的数值与第二电流的数值不相等，第一超导线圈和第二超导线圈为相对设置地分布于坩埚外且用于在坩埚内部产生磁场的超导线圈；基于所述第一电流和所述第二电流在所述坩埚内产生的非对称磁场进行单晶直拉生长。2.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，第一电流的数值与第二电流的数值之比为1:n，n为不等于1的数值。3.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述第一超导线圈的形状为圆形、椭圆形或马鞍形；和/或所述第二超导线圈的形状为圆形、椭圆形或马鞍形。4.根据权利要求1所述的晶体生长方法，其特征在于，所述第一超导线圈的数量是一个或多个；和/或所述第二超导线圈的数量是一个或多个。5.根据权利要求1
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4中任一项所述的晶体生长方法，其特征在于，通过第一控制器控制第一超导线圈产生第一电流，以及通过第二控制器控制第二超导线圈产生第二电流。6.一种晶体生长装置，其特征在于，包括：坩埚；第一超导线圈和第二超导线圈，其中第一超导线圈和第二超导线圈为相对设置分布于所述坩埚外且用于在坩埚内部产生磁场的超导线圈...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏星，刘文凯，薛忠营，刘赟，戴荣旺，李名浩，俞跃辉，
申请(专利权)人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所，
类型：发明
国别省市：