【技术实现步骤摘要】
拉速控制方法、装置、电子设备及存储介质
[0001]本专利技术涉及晶体制备
,特别是涉及一种拉速控制方法、一种拉速控制装置、一种电子设备以及一种存储介质。
技术介绍
[0002]单晶硅材料的制备工艺以直拉法(Czochralski process/CZ)为主,利用直拉法将多晶硅原料提炼成单晶硅。在直拉单晶过程中生成棒状单晶硅晶体的过程分为装料、加热熔料、降温调整引晶温度、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤。
[0003]其中,引晶是将事先装到钢丝绳末端的籽晶(也就是加工成一定形状的单晶)与液面接触,在引晶温度下,硅分子将沿着籽晶的晶格方向生长,从而形成单晶。放肩是将晶体直径逐步生长到生成所要求的直径,在放肩的过程中将拉出随着长度逐渐变长,直径逐渐变大到要求的直径左右的一段晶体,以便消除晶体位错。当晶体在放肩过程中生长到生产要求的直径后,进入转肩过程。转肩是提高晶体拉速,将晶体直径控制在生产所要求的直径。当转肩完成后进入等径控制步骤,它是决定单晶硅晶体生长质量的关键环节之一。在该步骤中,通过对拉速和温度的自动控制 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种拉速控制方法,其特征在于,包括:在直拉单晶过程中,获取等径生长的头部阶段之前的特征数据,其中,所述特征数据包括与所述等径生长的头部阶段的拉速相关的运行数据;将所述特征数据输入拉速预测模型,其中,所述拉速预测模型通过在等径生长的头部阶段之前的特征数据样本,以及对应标记的等径生长的头部阶段的样本拉速训练得到;根据所述特征数据,由所述拉速预测模型生成所述等径生长的头部阶段的预测拉速;在等径生长的头部阶段之前,根据所述预测拉速和预设拉速,对工艺参数进行调整,以控制在等径生长的头部阶段的拉速向所述预设拉速变化。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述获取在等径生长的头部阶段之前的特征数据,包括:监测在等径生长的头部阶段之前的工艺过程的当前处理状态;在所述当前处理状态每达到一个预设处理状态时,根据所述预设处理状态对应的预设运行数据种类,对所述运行数据进行一次采集,并将每次采集到的运行数据确定为所述当前处理状态对应的特征数据。3.根据权利要求2所述的方法,其特征在于,多个预设处理状态对应的预设运行数据种类具有不同,所述拉速预测模型包括多个子拉速预测模型,所述将所述特征数据输入拉速预测模型,包括:在所述当前处理状态每达到一个预设处理状态时,调用所述当前处理状态对应的子拉速预测模型;将所述当前处理状态对应的特征数据输入所述当前处理状态对应的子拉速预测模型;所述根据所述特征数据,由所述拉速预测模型生成所述等径生长的头部阶段的预测拉速,包括:根据所述特征数据,由所述子拉速预测模型生成在所述当前处理状态下所述等径生长的头部阶段的预测拉速。4.根据权利要求2或3所述的方法,其特征在于,所述预设处理状态包括以下至少一种:所述直拉单晶过程的放肩阶段中晶体长度达到预设长度、所述直拉单晶过程的转肩阶段结束。5.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,在所述将所述特征数据输入拉速预测模型之前,还包括:在通过在等径生长的头部阶段之前的特征数据样本,以及对应标记的等径生长的头部阶段的样本拉速训练所述拉速预测模型之后,...
【专利技术属性】
技术研发人员:王正远,李广砥,郭力,张伟建,李乐,雷晓强,
申请(专利权)人:隆基绿能科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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