拉速调整方法、装置、电子设备及存储介质制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种拉速调整方法、装置、设备及介质。该方法包括：在本次直拉单晶过程中，获取调温阶段和引晶阶段中晶体长度达到第一预设长度之前的特征数据，将特征数据输入拉速预测模型，根据特征数据，由拉速预测模型生成引晶阶段中晶体长度达到第二预设长度时的预测拉速，根据预测拉速和预设拉速范围，对功率进行调整，以调整在本次直拉单晶过程的放肩阶段之前的拉速到预设拉速范围内，使得引晶阶段中晶体长度达到第二预设长度时的拉速能够提前被预测，并据此对拉速进行调整，使拉速能被调整到预设拉速范围内，从而避免放肩阶段中断线等问题的发生。中断线等问题的发生。中断线等问题的发生。

【技术实现步骤摘要】
拉速调整方法、装置、电子设备及存储介质


[0001]本专利技术涉及晶体制备
，特别是涉及一种拉速调整方法、一种拉速调整装置、一种电子设备以及一种存储介质。

技术介绍

[0002]单晶硅材料的制备工艺以直拉法(Czochralski process/CZ)为主，利用直拉法将多晶硅原料提炼成单晶硅。在直拉单晶过程中生成棒状单晶硅晶体的过程分为装料、加热熔料、调温、引晶、放肩、转肩、等径、收尾等步骤。
[0003]其中，当多晶硅原料融化完成后，还不能马上开始引晶，因为这时的温度要高于引晶温度，还必须经过降温，将温度调整到引晶的温度。引晶是将事先装到钢丝绳末端的籽晶(也就是加工成一定形状的单晶)与液面接触，在引晶温度下，硅分子将沿着籽晶的晶格方向生长，从而形成单晶。放肩是将晶体直径逐步生长到生成所要求的直径，在放肩的过程中将拉出随着长度逐渐变长，直径逐渐变大到要求的直径左右的一段晶体，以便消除晶体位错。
[0004]目前的直拉工艺中，在调温阶段会对功率进行调整，在引晶阶段则不涉及功率的调整。如果调温阶段的功率不合适，在引晶阶段就会本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种拉速调整方法，其特征在于，包括：在本次直拉单晶过程中，获取调温阶段和引晶阶段中晶体长度达到第一预设长度之前的特征数据，其中，所述特征数据包括与所述引晶阶段的拉速相关的运行数据；将所述特征数据输入拉速预测模型，其中，所述拉速预测模型通过调温阶段和引晶阶段中晶体长度达到第一预设长度之前的特征数据样本，以及对应标记的所述引晶阶段中晶体长度达到第二预设长度时的样本拉速训练得到；根据所述特征数据，由所述拉速预测模型生成所述引晶阶段中晶体长度达到第二预设长度时的预测拉速；根据所述预测拉速和预设拉速范围，对功率进行调整，以调整在所述本次直拉单晶过程的放肩阶段之前的拉速到所述预设拉速范围内。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在本次直拉单晶过程中，获取调温阶段和引晶阶段中晶体长度达到第一预设长度之前的特征数据，包括：在所述调温阶段和引晶阶段中，对所述运行数据进行多次采集；检测所述引晶阶段中的晶体长度；将所述引晶阶段中晶体长度达到第一预设长度之前采集的运行数据，作为所述特征数据。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述将所述特征数据输入拉速预测模型，包括：在所述引晶阶段中晶体长度达到第一预设长度的情况下，启动所述拉速预测模型；将所述特征数据输入所述拉速预测模型。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述在本次直拉单晶过程中，获取调温阶段和引晶阶段中晶体长度达到第一预设长度之前的特征数据之前，所述方法还包括：根据引晶阶段中晶体长度达到第二预设长度时的历史拉速和对应的放肩阶段的历史断线率，确定断线率低于预设值时对应的所述预设拉速范围。5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据所述预测拉速和预设拉速范围，对功率进行调整，以调整在所述本次直拉单晶过程的放肩阶段之前的拉速到所述预设拉速范围内，包括：根据所述预测拉速，预设拉速范围，以及预先确定的功率调整幅度和拉速调整幅度之间的关系，确定功率需调整的幅度；根据所述需调整的幅度，对功率进行调整。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，在所述在本次直拉单晶过程中，获取调温阶段和引晶阶段中晶体长度达到第一预设长度之前的特征数据之前，所述方法还包括：在引晶阶段中晶体长度达到第一预设长度的情况下，以多个预设调整幅度对功率进行...

【专利技术属性】
技术研发人员：郭力，张伟建，李广砥，杜婷婷，王正远，杨正华，武高峰，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：