半导体晶片及半导体晶片的制造方法技术

涉及半导体晶片及半导体晶片的制造方法。本发明专利技术的目的在于在切割晶片时对碎裂或裂缝进行抑制。半导体晶片(101)通过沿第1方向及与第1方向不同的第2方向的多个切割线(41、42)进行切割，从而从有效区域(10)切出芯片(12)。半导体晶片(101)具有成膜图案(3)。多个切割线(41、42)所包含的至少1根切割线是其全长或一部分长度与成膜图案(3)重叠的图案上切割线(43)。(43)。(43)。

【技术实现步骤摘要】
半导体晶片及半导体晶片的制造方法


[0001]本专利技术涉及半导体晶片及半导体晶片的制造方法。

技术介绍

[0002]在切割工序中，晶片通过UV胶带被固定于卡盘工作台(CT)，通过刀片切断为芯片状。如果晶片存在翘曲或变形，则晶片内存在的应力在切割时发散，从而会在芯片产生碎裂或裂缝。
[0003]此外，在专利文献1中也指出了切割时的碎裂或裂缝。
[0004]专利文献1：日本特开2016
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105463号公报
[0005]在现有技术中，由于无法避免将具有翘曲或变形的晶片压接或固定于卡盘工作台的平坦面，因此晶片内存在的应力在切割时在有效区域内发散。其结果，在器件的侧面或下表面产生碎裂或裂缝，存在成为潜在的缺陷这样的问题。
[0006]另外，在通过刀片进行晶片的切割的情况下，对晶片的冲击大。因此，由于晶片的翘曲或变形的量、卡盘工作台处的UV胶带的粘贴保持力、或刀片的磨削性能这样的条件的波动，多数情况下切割是在不稳定的状态下进行的，存在器件的碎裂或裂缝的助长、多发这样的担心。

技术实现思路

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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体晶片，其通过沿第1方向及与所述第1方向不同的第2方向的多个切割线进行切割，从而从有效区域切出芯片，其中，所述半导体晶片具有成膜图案，所述多个切割线所包含的至少1根切割线是其全长或一部分长度与所述成膜图案重叠的图案上切割线。2.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中，所述图案上切割线是所述第1方向的所述多个切割线中的从切割工序中的切入早者起5根以下的切割线。3.根据权利要求1所述的半导体晶片，其中，所述图案上切割线是所述第1方向的所述多个切割线中的从切割工序中的切入早者起3根以上且5根以下的切割线、及所述第2方向的所述多个切割线中的从切割工序中的切入早者起3根以上且5根以下的切割线。4.根据权利要求1至3中任一项所述的半导体晶片，其中，各所述图案上切割线中的与所述成膜图案重叠的部分即图案上切割线部分是各所述图案上切割线的全长的1/2的长度的部分。5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体晶片，其中，各所述图案上切割线中的与所述成膜图案重叠的部分即图案上切割线部分仅存在于所述半导体晶片的所述有效区域以外的区域即无效区域。6.根据权利要求1至5中任一项所述的半导体晶片，其中，所述芯片具有：半导体基材；以及层间膜、电极及表面保护膜，它们形成于所述半导体基材之上，所述成膜图案由与所述层间膜、所述电极及所述表面保护膜中的至少一者相同的材料构成。7.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体晶片，其中，所述成膜图案的宽度小于所述图案上切割线的宽度，所述成膜图案不和与所述图案上切割线相邻的所述芯片接触。8.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体晶片，其中，所述成膜图案的宽度与所述图案上切割线的宽度相等，所述成膜图案和与所述图案上切割线相邻的所述芯片的侧面接触。9.根据权利要求1至6中任一项所述的半导体晶片，其中，所述成膜图案的宽度大于所述图案上切割线的宽度，所述成膜图案将与所述图案上切割线相邻的所述芯片的末端部覆盖。10.根据权利要求6所述的半导体晶片，其中，所述成膜图案的宽度大于所述图案上切割线的宽度，所述成膜图案除了为了将所述电极与所述芯片的外部电连...

【专利技术属性】
技术研发人员：高田正雄，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：