薄膜晶体管、其制造方法及具有薄膜晶体管的平板显示设备技术

一种薄膜晶体管、其制造方法及具有薄膜晶体管的平板显示设备，其中该薄膜晶体管包括：形成在基板上并且具有沟道区、源区和漏区的半导体氧化物层；通过栅极绝缘层与半导体氧化物层绝缘的栅极；形成在半导体氧化物层的源区和漏区上的欧姆接触层；和通过欧姆接触层电连接至源区的源极和通过欧姆接触层电连接至漏区的漏极，欧姆接触层由功函数比源极和漏极的功函数低的金属形成。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的方面涉及薄膜晶体管、制造薄膜晶体管的方法以及具有薄膜晶 体管的平板显示设备，具体地说，涉及使用半导体氧化物作为活性层的薄膜 晶体管、制造这种薄膜晶体管的方法以及具有这种薄膜晶体管的平板显示设备。
技术介绍
通常，在通过半导体工艺制造的薄膜晶体管中，具有沟道区、源区和漏 区的活性层由诸如非晶硅或多晶硅之类的半导体形成。然而，如果活性层由 非晶硅形成，则活性层的迁移率低，所以难以使驱动电路高速工作。另夕卜， 如果活性层由多晶硅形成，则活性层的迁移率高，但是阈值电压不均匀，所 以需要单独的补偿电路。作为例子，在将具有多晶硅活性层的薄膜晶体管应用于显示设备的情况 下，需要有具有五个薄膜晶体管和两个电容器的补偿电路，以便维持均匀的 阈值电压和高的迁移率。相应地，使用了复杂的工艺和大量掩模，因此提高 了制造成本且减少了产量。最近，为了解决这些问题，已经对使用半导体氧化物作为活性层进行了 研咒。日本专利公开No. 2004-273614公开了使用氧化锌(ZnO )或者主要由 氧化锌(ZnO)构成的半导体氧化物作为活性层的薄膜晶体管。然而，由于半导体氧化物的能带隙宽，使用半导体氧化物作本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管，包括：　基板；　形成在所述基板上并且具有沟道区、源区和漏区的半导体氧化物层；　形成在所述基板上以覆盖所述半导体氧化物层的栅极绝缘层；　形成在所述栅极绝缘层上并且通过所述栅极绝缘层与所述半导体氧化物层绝 缘的栅极；　形成在所述半导体氧化物层的源区和漏区上的欧姆接触层；和　通过所述欧姆接触层电连接至所述源区的源极和通过所述欧姆接触层电连接至所述漏区的漏极，　其中所述欧姆接触层由功函数比所述源极和所述漏极的功函数低的金属形成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：郑在景，申铉秀，牟然坤，
申请(专利权)人：三星移动显示器株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]