一种掩膜体及金属掩膜版的清洗方法技术

本发明专利技术公开一种掩膜体及金属掩膜版的清洗方法，涉及光伏技术领域，以方便的清洗金属掩膜版，提高金属掩膜版所制作的图案精度。该金属掩膜版的清洗方法包括以下步骤：在金属掩膜版的第一面形成牺牲层，牺牲层的材料为水溶性材料；金属掩膜版的第二面与基板接触的情况下，在金属掩膜版的牺牲层和基板上形成金属层；采用水洗的方式清洗金属掩膜版，去除水溶性材料的牺牲层及牺牲层上的金属层。本发明专利技术提供的掩膜体及金属掩膜版的清洗方法用于清洗金属掩膜版。金属掩膜版。金属掩膜版。

【技术实现步骤摘要】
一种掩膜体及金属掩膜版的清洗方法


[0001]本专利技术涉及光伏
，尤其涉及一种掩膜版体及金属掩膜版的清洗方法。

技术介绍

[0002]制作太阳能电池的过程中，可以利用金属掩膜版在电池片上方便的形成电极图案。具体的。金属掩膜版上具有与电极图案相匹配的镂空图案，将金属掩膜版放置在电池上，整面沉积金属电极材料时，可以在电池片上形成金属电极。在此过程中，金属掩膜版上也会沉积金属电极材料。
[0003]多次使用后，金属掩膜版上的金属电极材料会不断增厚，从而会影响利用金属掩膜版制作的电极图案的精度。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于提供一种掩膜体及金属掩膜版的清洗方法，以方便的清洗金属掩膜版，提高金属掩膜版所制作的图案精度。
[0005]第一方面，本专利技术提供一种金属掩膜版的清洗方法。该金属掩膜版的清洗方法包括以下步骤：
[0006]在金属掩膜版的第一面形成牺牲层，牺牲层的材料为水溶性材料；
[0007]金属掩膜版的第二面与基板接触的情况下，在金属掩膜版的牺牲层和基板上形成金属层；
[0008]采用水洗的方式清洗金属掩膜版，去除水溶性材料的牺牲层及牺牲层上的金属层。
[0009]采用上述技术方案时，在使用金属掩膜版形成金属层之前，先在金属掩膜版的第一面形成水溶性材料的牺牲层。在使用金属掩膜版形成金属层之后，利用水洗的方式清洗金属掩膜版。由于利用金属掩膜版在基板上形成金属层时，会同时在掩膜版上形成金属层，因此事先在金属掩膜版上形成牺牲层，可以避免金属层直接沉积在金属掩膜版上，进而避免污染金属掩膜版。并且，由于牺牲层的材料为水溶性材料，在金属层制作完成后，采用水洗的方式即可方便的溶解水溶性材料的牺牲层，以达到去除牺牲层的目的。此时，附着在牺牲层上的金属层也会被一并去除。由此可见，水溶性材料的牺牲层的设置，不仅可以隔离沉积的金属层与金属掩膜版接触，而且可以方便的去除牺牲层和牺牲层上的金属层。
[0010]另外，本专利技术的牺牲层，利用水即可去除牺牲层，去除方法简单、成本低，且污染较小。
[0011]在一些实现方式中，上述水溶性材料为水溶性无机盐、水溶性聚合物中的一种或多种。
[0012]在一些实现方式中，上述水溶性材料为氯化钠、氯化钾、硫酸钠、硫酸钾、聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮中的一种或多种。这些材料均可以快速的溶解在水中，实现水洗去除的目的。而且，这些材料成本较低，可以降低工艺成本。
[0013]在一些实现方式中，牺牲层的厚度为0.01μm
‑
30μm。此时，该厚度的牺牲层不仅可以较好的隔离金属掩膜版和后续形成的金属层，而且厚度相对较小，对形成金属层的金属化工艺精度影响较小。
[0014]在一些实现方式中，当牺牲层的材料为氯化钠、氯化钾、硫酸钠、硫酸钾中的一种或多种，且形成牺牲层的方式选自沉积、蒸镀时，牺牲层的厚度为0.01μm～5μm；当牺牲层的材料为聚乙二醇，且形成牺牲层的方式选自喷涂、浸涂时，牺牲层的厚度为10μm～30μm；当牺牲层的材料为聚乙烯吡咯烷酮，且形成牺牲层的方式选自沉积、喷涂、浸涂时，牺牲层的厚度为10μm～30μm。
[0015]在一些实现方式中，上述水洗的试剂为纯水、蒸馏水、超纯水或去离子水。当采用这些水清洗金属掩膜版时，水中所含有的杂质较少，纯度较高，可以避免对金属掩膜版的再次污染。上述水洗的方式为浸泡、喷淋或冲洗。当采用这些水洗方式溶解牺牲层时，附着在牺牲层上的金属层随之掉落，从而可以方便的去除牺牲层及牺牲层上的金属层。水洗的次数为1次～3次。此时，可以通过多次重复清洗，提高金属掩膜版的清洁程度。水洗的温度为20℃～60℃。此时，可以通过增加温度的方式，提高水溶性材料在水中的溶解度，从而加快对牺牲层的去除效率以及清洗效果。
[0016]在一些实现方式中，在形成金属层之后，金属掩膜版的清洗方法还包括：采用超声波清洗方式清洗金属掩膜版。此时，超声波清洗方式，可以进一步提高水与水溶性材料的牺牲层的反应速率，加快牺牲层的溶解，提高金属掩膜版的清洗效率和清洗效果。
[0017]在一些实现方式中，在形成金属层之后，在清洗金属掩膜版之前，金属掩膜版的清洗方法还包括：分离金属掩膜版和基板，可以实现针对金属掩膜版的清洗，以避免对基板的影响。
[0018]在一些实现方式中，上述金属掩膜版的材料为热膨胀系数低于15
×
10
‑6/℃的金属或者合金材料；其中，金属掩膜版的材料包括低膨胀钢、钼合金、不锈钢、铜、铜合金、铝合金中的一种或多种。此时，根据金属掩膜版的使用环境可以选择对应的材料，以使金属掩膜版具有需要的强度、硬度和耐受性，提高金属掩膜版的使用寿命。
[0019]在一些实现方式中，上述金属层的材料为镍、铬、钼、银、铝、铜中的一种或多种；金属层为太阳能电池的金属电极。
[0020]在一些实现方式中，形成金属层的方式为物理气相沉积或化学气相沉积。
[0021]第二方面，本专利技术提供一种掩膜体。该掩膜体包括金属掩膜版以及设在金属掩膜版一面上的牺牲层，牺牲层的材料为水溶性材料。
[0022]第二方面提供的掩膜体的有益效果，可以参考第一方面或第一方面任一实现方式描述的金属掩膜版的清洗方法的有益效果，在此不再赘言。
附图说明
[0023]此处所说明的附图用来提供对本专利技术的进一步理解，构成本专利技术的一部分，本专利技术的示意性实施例及其说明用于解释本专利技术，并不构成对本专利技术的不当限定。在附图中：
[0024]图1～图3为本专利技术实施例提供的金属掩膜版的清洗方法各步骤金属掩膜版的状态示意图。
[0025]图1～图3中，10
‑
金属掩膜版，20
‑
牺牲层，30
‑
金属层。
具体实施方式
[0026]为了便于清楚描述本专利技术实施例的技术方案，在本专利技术的实施例中，采用了“第一”、“第二”等字样对功能和作用基本相同的相同项或相似项进行区分。本领域技术人员可以理解“第一”、“第二”等字样并不对数量和执行次序进行限定，并且“第一”、“第二”等字样也并不限定一定不同。
[0027]需要说明的是，本专利技术中，“示例性的”或者“例如”等词用于表示作例子、例证或说明。本专利技术中被描述为“示例性的”或者“例如”的任何实施例或设计方案不应被解释为比其他实施例或设计方案更优选或更具优势。确切而言，使用“示例性的”或者“例如”等词旨在以具体方式呈现相关概念。
[0028]本专利技术中，“至少一个”是指一个或者多个，“多个”是指两个或两个以上。“和/或”，描述关联对象的关联关系，表示可以存在三种关系，例如，A和/或B，可以表示：单独存在A，同时存在A和B，单独存在B的情况，其中A，B可以是单数或者复数。字符“/”一般表示前后关联对象是一种“或”的关系。“以下至少一项(个)”或其类似表达，是指的这些项中的任意组合，包括单项(个)或复数项(个)的任意组合。例如，a，b或c中的至少一项(个)，可以表本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种金属掩膜版的清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：在金属掩膜版的第一面形成牺牲层，所述牺牲层的材料为水溶性材料；所述金属掩膜版的第二面与基板接触的情况下，在所述金属掩膜版的牺牲层和所述基板上形成金属层；采用水洗的方式清洗所述金属掩膜版，去除水溶性材料的所述牺牲层及所述牺牲层上的金属层。2.根据权利要求1所述的金属掩膜版的清洗方法，其特征在于，所述水溶性材料为水溶性无机盐、水溶性聚合物中的一种或多种。3.根据权利要求1所述的金属掩膜版的清洗方法，其特征在于，所述水溶性材料为氯化钠、氯化钾、硫酸钠、硫酸钾、聚乙二醇、聚乙烯吡咯烷酮中的一种或多种；所述牺牲层的厚度为0.01μm～30μm。4.根据权利要求1所述的金属掩膜版的清洗方法，其特征在于，当所述牺牲层的材料为氯化钠、氯化钾、硫酸钠、硫酸钾中的一种或多种，且形成所述牺牲层的方式选自沉积、蒸镀时，所述牺牲层的厚度为0.01μm～5μm；当所述牺牲层的材料为聚乙二醇，且形成所述牺牲层的方式选自喷涂、浸涂时，所述牺牲层的厚度为10μm～30μm；当所述牺牲层的材料为聚乙烯吡咯烷酮，且形成所述牺牲层的方式选自沉积、喷涂、浸涂时，所述牺牲层的厚度为10μm～30μm。5.根据权利要求1～4任一项所述的金属掩膜版的清洗方法，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：何秉轩，
申请(专利权)人：隆基绿能科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：