【技术实现步骤摘要】
一种半导体固晶机冷热轨道工艺系统及方法
[0001]本专利技术涉及半导体工艺
,具体来说涉及一种半导体固晶机冷热轨道工艺系统及方法。
技术介绍
[0002]晶片是通过切割由硅或砷化镓制成的单晶圆柱体而形成的圆形切片。要提取高纯度的硅材料,需要硅砂,这是一种二氧化硅含量高达95%的特殊材料,也是制作晶圆的主要原料。晶圆加工是制造和获得上述晶圆的过程。
[0003]如专利CN110556317B,公开的一种半导体加工系统,包括:多个半导体加工组,相邻的两个所述半导体加工组之间设置有操作通道,所述半导体加工组包括搬运装置,搬运装置运动轨道,以及左右两排工艺设备,所述工艺设备包括装载接口,其中:针对每个所述半导体加工组,左右两排所述工艺设备相对交错设置,且所述装载接口的朝向相反,且左排所述工艺设备的所述装载接口位于右排所述工艺设备的所述装载接口的右侧;所述搬运装置运动轨道设置于所述工艺设备上方,所述搬运装置可沿所述搬运装置运动轨道运动,并将搬运的电子器件在制品输送到对应的所述装载接口。
[0004]在实际操作过 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体固晶机冷热轨道工艺系统,其特征在于,包括上料系统,所述上料系统的输出端分别连接有热轨道模组和冷轨道模组,所述热轨道模组和冷轨道模组的内部均设置有上锡机构和点胶机构,且两者输出端均连接有固晶位,所述热轨道模组具体包括加热轨道,所述加热轨道内部具体为八段温区控制,所述加热轨道内部具体为预热温区、化锡温区、固晶温区和出料温区。2.根据权利要求1所述的一种半导体固晶机冷热轨道工艺系统,其特征在于,所述加热轨道内部每段温区最高温度为450℃。3.根据权利要求1所述的一种半导体固晶机冷热轨道工艺系统,其特征在于,所述预热温区被装配用于驱使料片保持受热均匀。4.根据权利要求1所述的一种半导体固晶机冷热轨道工艺系统,其特征在于,所述化锡温区被装配用于驱使料片保持上锡后发生锡固化或锡流动。5.根据权利要求1所述的一种半导体固晶机冷热轨道工艺系统,其特征在于,所述固晶温区被装配用于驱使料片保持固晶贴装。6.根据权利要求1所述的一种半导体固晶机冷热轨道工艺系统,其特征在于,所述出料温区被装配用于料片保持稳定固化。7.根据权利要求1所述的一种半导体固晶机冷热轨道工艺系统,其特征在于,所述上锡机构具体包括锡线导向模组、化...
【专利技术属性】
技术研发人员:张勇,夏欢,
申请(专利权)人:金动力智能科技深圳有限公司,
类型:发明
国别省市:
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