减少半导体设备中的层内电容制造技术

公开了在孔洞和沟槽结构中形成气隙的方法。所述方法可用于形成埋设式孔隙，即，顶部低于相邻特征顶部的孔隙。所述方法包括对孔洞或沟槽结构的抑制以及在结构顶部处的选择性沉积，从而在结构内形成气隙。在一些实施方案中，所述方法用于减小半导体设备中的层内电容。所述方法用于减小半导体设备中的层内电容。所述方法用于减小半导体设备中的层内电容。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】减少半导体设备中的层内电容
通过引用并入
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。

技术介绍

[0002]空气为一种强电介质，其介电常数k接近1。可在半导体设备结构中形成气隙以提供将导体分隔的超低k材料。
[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。

技术实现思路

[0004]本公开内容的一方面涉及一种方法，其包含：提供结构，所述结构包含特征和在所述特征之间的开口式的间隙，所述开口式的间隙包含侧壁和底表面且具有深度；以及执行一个或更多个抑制操作区段，每个抑制操作区段包含：(a)使所述结构暴露于抑制处理，以抑制所述间隙的所述侧壁和底表面上的电介质沉积，以及(b)选择性地在所述间隙的顶部附近沉积介电膜，而没有在所述间隙的底表面附近显本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种方法，其包含：提供结构，所述结构包含特征和在所述特征之间的开口式的间隙，所述开口式的间隙包含侧壁和底表面且具有深度；以及执行一个或更多个抑制操作区段，每个抑制操作区段包含：(a)使所述结构暴露于抑制处理，以抑制所述间隙的所述侧壁和底表面上的电介质沉积，以及(b)选择性地在所述间隙的顶部附近沉积介电膜，而没有在所述间隙的底表面附近显著沉积。2.根据权利要求1所述的方法，其还包含：以沉积的介电材料封闭所述间隙，从而在所述特征之间形成封闭气隙。3.根据权利要求2所述的方法，其中所述间隙是在抑制操作区段期间被封闭。4.根据权利要求2所述的方法，其还包含：在执行所述一个或更多个抑制操作区段之后，执行沉积以封闭所述间隙。5.根据权利要求1所述的方法，其还包含：在封闭所述间隙之前，执行钝化操作以从所述侧壁和/或所述底表面去除表面抑制物质。6.根据权利要求5所述的方法，其中至少一个抑制操作区段包含钝化操作。7.根据权利要求5所述的方法，其中所述钝化操作是在执行所述一个或更多个抑制操作区段之后执行。8.根据权利要求5所述的方法，其中所述钝化操作包含使所述结构暴露于氧等离子体。9.根据权利要求2所述的方法，其中所述间隙被封闭，其中表面抑制物质保留在所述封闭气隙中。10.根据权利要求1所述的方法，其中，执行(b)而未在所述间隙的大部分区域中显著沉积。11.根据权利要求1所述的方法，其中所述抑制处理包含卤素物质。12.根据权利要求1所述的方法，其还包含：在执行所述一个或更多个抑制操作区段之前，在所述侧壁和所述底表面上沉积保形介电层。13.根据权利要求12所述的方法，其中暴露于所述抑制处理导致对所述保形介电层进行处理，使得抑制物质吸附于所述保形介电层上或与所述保形介电层反应。14.根据权利要求12所述的方法，其还包含：在封闭所述间隙之后，通过化学气相沉积在所述特征和所述间隙上方沉积介电覆盖层。15.根据权利要求14所述的方法，其中，在与执行所述抑制操作区段相同的室中沉积所述介电覆盖层。16.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构是经部分加工的3DNAND结构。17.根据权利要求1所述的方法，其中所述结构是经部分加工的DRAM结构。18.根据权利要求1所述的方法，其中所述特征是金属线。19.根据权利要求2所述的方法，其中所述封闭间隙的顶部低于所述特征的顶部。20....

【专利技术属性】
技术研发人员：约瑟夫，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：