优化的接触结构制造技术

公开了优化的接触结构及其制作技术。至少一个方面包括半导体裸片。半导体裸片包括衬底和布置在衬底内的接触。接触包括具有第一竖直截面的第一部分，第一竖直截面具有第一截面区域。第一竖直截面具有第一宽度和第一高度。接触还包括具有第二竖直截面的第二部分，第二竖直截面具有小于第一截面区域的第二截面区域。第二竖直截面包括下部分，下部分具有第一宽度并且具有小于第一高度的第二高度，并且包括上部分，上部分布置在下部分上方，并且具有小于第一宽度的第二宽度并且具有小于第一高度的第三高度。第三高度。第三高度。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】优化的接触结构
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本专利申请要求2020年10月02日提交的、题目为“OPTIMIZED CONTACT STRUCTURE”的美国非临时申请号17/061709的权益，该申请被转让给本申请的受让人，并且通过引用以其整体明确并入本文。


[0003]本公开总体上涉及晶片制造方法，并且更具体但非排他地，涉及优化的接触结构及其制造技术。

技术介绍

[0004]图1A图示了具有接触和栅极的常规互补金属氧化物半导体(CMOS)结构的一部分，例如，诸如具有n型(NMOS)和p型(PMOS)晶体管的简单反相器。在图1A所示的结构中，接触和栅极是导电材料的竖直板结构，彼此平行并且临近。这在每个接触和栅极之间产生寄生电容。寄生电容与彼此平行的接触和栅极的区域成比例，与彼此面对的接触和栅极的表面之间的距离(在图1A中被标记为D1)成反比。CMOS器件的操作速度与该寄生电容成反比，因此期望减小接触与栅极之间的寄生电容(在本文中被称为“接触
‑
栅极电容”)。减小该电容将增加CMOS器件的操作速本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体裸片，包括：衬底；以及布置在所述衬底内的接触，所述接触包括：具有第一竖直截面的第一部分，所述第一竖直截面具有第一截面区域，所述第一竖直截面具有第一宽度和第一高度；以及具有第二竖直截面的第二部分，所述第二竖直截面具有小于所述第一截面区域的第二截面区域，所述第二竖直截面包括：下部分，具有所述第一宽度，并且具有小于所述第一高度的第二高度；以及上部分，布置在所述下部分上方，并且具有小于所述第一宽度的第二宽度，并且具有小于所述第一高度的第三高度。2.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述第二竖直截面的所述上部分基本是矩形。3.根据权利要求2所述的半导体裸片，其中所述第二竖直截面的所述上部分至少部分被绝缘材料包围。4.根据权利要求3所述的半导体裸片，其中所述绝缘材料包括SiO2。5.根据权利要求3所述的半导体裸片，其中所述绝缘材料包括空气。6.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述第二竖直截面的所述上部分基本是三角形。7.根据权利要求6所述的半导体裸片，其中所述第二竖直截面的所述上部分至少部分被绝缘材料包围。8.根据权利要求7所述的半导体裸片，其中所述绝缘材料包括SiO2。9.根据权利要求7所述的半导体裸片，其中所述绝缘材料包括空气。10.根据权利要求1所述的半导体裸片，其中所述接触包括导电材料。11.根据权利要求10所述的半导体裸片，其中所述导电材料包括钨。12.根据权利要求10所述的半导体裸片，其中所述导电材料包括钴。13.根据权利要求1所述的半导体裸片，还包括布置在所述衬底内的栅极结构，所述栅极结构的至少部分基本是平面的、基本平行于所述接触，并且与所述接触的所述第二竖直截面的所述下部分分开第一距离，并且与所述接触的所述第二竖直截面的所述上部分分开第二距离，所述第二距离大于所述第一距离。14.一种制造半导体裸片的方法，所述方法包括：提供衬底；以及产生至少部分嵌入在所述衬底内的接触，所述接触包括：具有第一竖直截面的第一部分，所述第一竖直截面具有第一截面区域，所述第一竖直截面具有第一宽度和第一高度；以及具有第二竖直截面的第二部分，所述第二竖直截面具有小于所述第一截面区域的第二截面区域，所述第二竖直截面包括：下部分，具有所述第一宽度，并且具有小于所述第一高度的第二高度；以及上部分，布置在所述下部分上方，并且具有小于所述第一宽度的第二宽度，并且具有小于所述第一高度的第三高度。
15.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二竖直截面的所述上部分基本是矩形。16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二竖直截面的所述上部分至少部分被绝缘材料包围。17.根据权利要求16所述的方法，其中所述绝缘材料包括SiO2。18.根据权利要求16所述的方法，其中所述绝缘材料包括空气。19.根据权利要求14所述的方法，其中所述第二竖直截面的所述上部分基本是三角形。20.根据权利要求19所述的方法，其中所述第二竖直截面的所述上部分至少部分被绝缘材料包围。21.根据权利要求20所述的方法，其中所述绝缘材料包括SiO2。22.根据权利要求20所述的方法，其中所述绝缘材料包括空气。23.根据权利要求14所述的方法，其中所述接触包括导电材料。24.根据权利要求23所述的方法，其中所述导电材料包括钨。25.根据权利要求23所述的方法，其中所述导电材料包括钴。26.根据权利要求14所述的方法，还包括产生栅极结构，所述栅极结构布置在所述衬底内，所述栅极结构的至少部分基本是平面的、基本平行于所述接触，并且与所述接触的所述第二竖直截面的所述下部分分开第一距离，并且与所述接触的所述第二竖直截面的所述上部分分开第二距离，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：鲍军静，袁骏，P，
申请(专利权)人：高通股份有限公司，
类型：发明
国别省市：