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公开了在孔洞和沟槽结构中形成气隙的方法。所述方法可用于形成埋设式孔隙，即，顶部低于相邻特征顶部的孔隙。所述方法包括对孔洞或沟槽结构的抑制以及在结构顶部处的选择性沉积，从而在结构内形成气隙。在一些实施方案中，所述方法用于减小半导体设备中的层内...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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