表面声波器件及其制造方法技术

本发明专利技术涉及表面声波器件及其制造方法。一种表面声波器件包括：压电基板；设置在所述压电基板的第一表面上的梳状电极；以及设置在所述压电基板的所述第一表面和所述压电基板的与所述第一表面相对的第二表面中的至少一个上的绝缘膜，所述绝缘膜的厚度比所述压电基板的厚度大，并且在表面声波的传播方向上所述绝缘膜的线膨胀系数比所述压电基板的线膨胀系数小。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及表面声波器件，更具体地，涉及对表面声波器件 的温度特性的改进。此外，本专利技术涉及上述表面声波器件的制造方法。
技术介绍
本申请基于2008年2月8日提交的日本专利申请No. 2008-028269 并要求其优先权，在此以引证的方式将其全部内容并入本文中。表面声波器件(SAW器件)能够通过将功率施加到形成在压电基板 上的叉指式换能器(IDT)的梳状电极来激励声波。SAW器件被广泛地 用于对例如45MHz到2GHz的频带内的无线电信号进行处理的各种电 路。这些电路的例子有用于发送的带通滤波器、用于接收的带通滤波器、 本地振荡滤波器、天线双工器、中频滤波器、以及FM调制器。SAW器件需要位于由梳状电极组成的SAW元件的功能部件(IDT 的电极指)上方的空腔以确保SAW元件的性能。常规的SAW器件釆用 具有其中安装有SAW元件的凹槽的陶瓷封装。金属盖覆盖所述凹槽，从 而能够在SAW元件的功能部件的上方限定空腔。使用引线接合以在SAW 元件与设置在陶瓷封装上的互连线之间构成电连接。然而，引线接合使用导线，这妨碍了SAW器件尺寸的减小。为了减 小SAW器件的尺寸，开发了倒本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种表面声波器件，其包括：　压电基板；　设置在所述压电基板的第一表面上的梳状电极；以及　设置在所述压电基板的所述第一表面和所述压电基板的与所述第一表面相对的第二表面中的至少一个上的绝缘膜，　所述绝缘膜的厚度比所述压电 基板的厚度大，并且在表面声波的传播方向上所述绝缘膜的线膨胀系数比所述压电基板的线膨胀系数小。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：森谷亮，川内治，
申请(专利权)人：富士通媒体部品株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]