声界面波装置的制造方法以及声界面波装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种频率偏差较小的声界面波装置的制造方法。该声界面波装置，按顺序层积有第１～第３媒质（１～３）、并且第１媒质（１）与第２媒质（２）间的界面上设有电极（５）。该制造方法中，准备层积有第１媒质（１）与第２媒质（２），并在第１、第２媒质（１、２）的界面中设有电极（５）的层积体，在该层积体阶段，通过调整第２媒质（２）的膜厚来调整频率或声表面波、伪声界面波或声界面波的声速，实施该调整后，形成声界面波的声速及／或材料与第２媒质不同的第３媒质（３）。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】

【技术保护点】
一种声界面波装置的制造方法，该声界面波装置按顺序层积有第１～第３媒质、并且第１媒质与第２媒质间的界面上设有电极，该声界面波装置的制造方法，包括：准备层积有第１媒质与第２媒质、并在第１、第２媒质的界面上设有电极的层积体的工序；在上述层积体阶段，通过第２媒质的膜厚调整频率、或声表面波、伪声界面波或声界面波的声速的调整工序；以及，上述调整工序后，形成声界面波的声速及／或材料与第２媒质不同的第３媒质的工序。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：门田道雄，神藤始，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]