一种真空腔体室复位升降结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种真空腔体室复位升降结构，涉及升降装置技术领域，包括上壳体，所述上壳体的下端设有下壳体，所述上壳体的上壁中间位置贯穿设有设备通道，所述下壳体的内部上表面左右两端均设有线性执行器，所述下壳体的下端与所述线性执行器对应的位置设有密封座，所述密封座的下端设有电机罩，所述密封座与所述电机罩之间且在所述电机罩的内部设有动力电机，所述动力电机的动力输出端通过联轴器与所述线性执行器的动力输入端连接，两个所述线性执行器的动力输出端之间设有载板，提升整体真空腔体密封性能，通过在下壳体上设置电机罩，将动力电机设置在电机罩内部，减少动力电机侵占真空腔体内部空间。电机侵占真空腔体内部空间。电机侵占真空腔体内部空间。

【技术实现步骤摘要】
一种真空腔体室复位升降结构


[0001]本技术涉及升降装置
，具体涉及一种真空腔体室复位升降结构。

技术介绍

[0002]碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料通过电阻炉高温冶炼而成。单晶炉是碳化硅单晶制备过程中重要的设备，用石墨加热器将多晶硅等多晶材料熔化，用直拉法生长无错位单晶的设备。单晶炉具有腔室温度高、真空度高的特点，因而真空腔室内部在工作时保证密封性是至关重要的。现有的单晶炉利用升降机构对真空腔室内部的载板进行升降操作时存在密封性能不足的问题；也有将升降机构直接置于腔室内部以提高密封性，但升降机构置于腔室内部会占用大量腔室空间。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种真空腔体室复位升降结构，以解决上述
技术介绍
中提出的现有的单晶炉利用升降机构对真空腔室内部的载板进行升降操作时存在密封性能不足的问题；也有将升降机构直接置于腔室内部以提高密封性，但升降机构置于腔室内部会占用大量腔室空间的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种真空腔体室复位升降结构，其特征在于：包括上壳体(1)，所述上壳体(1)的下端设有下壳体(2)，所述上壳体(1)的上壁中间位置贯穿设有设备通道(3)，所述下壳体(2)的内部上表面左右两端均设有线性执行器(4)，所述下壳体(2)的下端与所述线性执行器(4)对应的位置设有密封座(5)，所述密封座(5)的下端设有电机罩(6)，所述密封座(5)与所述电机罩(6)之间且在所述电机罩(6)的内部设有动力电机(7)，所述动力电机(7)的动力输出端通过联轴器与所述线性执行器(4)的动力输入端连接，两个所述线性执行器(4)的动力输出端之间设有载板(8)。2.根据权利要求1所述的一种真空腔体室复位升降结构，其特征在于：所述上壳体(1)的下端及所述下壳体(2)的上端均设有连接法兰(9)，所述上壳体(1)及所述下壳体(2)通过所述连接法兰(9)之间贯穿螺栓固定连接，所述上壳体(1)的上表面...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓卉，王国斌，
申请(专利权)人：沈阳科斯莫科技有限公司，
类型：新型
国别省市：