一种碳化硅晶体生长坩埚固定及坩埚盖自支撑结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种碳化硅晶体生长坩埚固定及坩埚盖自支撑结构，涉及石墨坩埚技术领域，包括固定底座，所述固定底座的上表面中间位置设有套筒，所述套筒的上端设有生长罩，所述套筒及所述生长罩的外表面均设有隔热覆盖，所述生长罩的上端设有顶盖，所述顶盖的中间位置贯穿设有拉杆，所述固定底座的上方且在所述生长罩的内部设有生长坩埚，所述固定底座与所述生长坩埚之间设有隔热垫，所述固定底座及所述隔热垫的中间位置贯穿通过螺纹连接有支杆，所述隔热覆盖的下端设有底板，在对石墨坩埚进行固定的同时，增加对坩埚盖固定支撑的结构，坩埚盖放置在石墨坩埚上更加牢固，避免坩埚盖从石墨坩埚上滑落，避免坩埚盖损坏。避免坩埚盖损坏。避免坩埚盖损坏。

【技术实现步骤摘要】
一种碳化硅晶体生长坩埚固定及坩埚盖自支撑结构


[0001]本技术涉及石墨坩埚
，具体涉及一种碳化硅晶体生长坩埚固定及坩埚盖自支撑结构。

技术介绍

[0002]碳化硅单晶材料因其自身宽禁带、高热导率、高击穿电场、高抗辐射能力等特点，其制成的半导体器件能够满足对当今对高功率和强辐射器件的需求，是制备高温、高频、高功率和抗辐射器件的理想衬底材料，而生长高质量的SiC晶体则是实现这些SiC基器件的优异性能的基础。目前碳化硅单晶的常用方法主要为物理气相传输法。物理气相传输法是通过电磁感应线圈对石墨坩埚加热，生长原料在石墨坩埚中高温下通过升华分解并在温度梯度的驱动下向低温区移动，最终在石墨坩埚的籽晶上形核成晶，生长成碳化硅晶体。目前对石墨坩埚的固定结构能对石墨坩埚进行固定，但是缺少对坩埚盖固定支撑的结构，导致坩埚盖放置在石墨坩埚上不够牢固，坩埚盖从石墨坩埚上滑落，导致坩埚盖损坏。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种碳化硅晶体生长坩埚固定及坩埚盖自支撑结构，以解决上述
技术介绍
中提出的目前对石墨坩埚的固定结构能对石墨坩埚进行固定，但是缺少对坩埚盖固定支撑的结构，导致坩埚盖放置在石墨坩埚上不够牢固，坩埚盖从石墨坩埚上滑落，导致坩埚盖损坏的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种碳化硅晶体生长坩埚固定及坩埚盖自支撑结构，包括固定底座，所述固定底座的侧表面滑动连接有套筒，所述套筒的上端设有生长罩，所述套筒及所述生长罩的外表面均设有隔热覆盖，所述生长罩的上端设有顶盖，所述顶盖的中间位置贯穿设有拉杆，所述固定底座的上方且在所述生长罩的内部设有生长坩埚，所述固定底座与所述生长坩埚之间设有隔热垫，所述固定底座及所述隔热垫的中间位置贯穿通过螺纹连接有支杆，所述隔热覆盖的下端设有底板。
[0005]优选的，所述底板的上表面与所述套筒及所述隔热覆盖对应的位置均设有限位圈，所述套筒与内侧所述限位圈卡接，所述隔热覆盖的下端设有限位槽，所述限位槽与外侧所述限位圈卡接。
[0006]优选的，所述生长坩埚的下表面中间位置这有连接座，所述隔热垫的上表面中间位置设有凹槽，所述连接座抵在所述凹槽的内部，所述支杆的上端通过螺纹与所述连接座固定连接。
[0007]优选的，所述套筒的上端与所述生长罩的下端均设有拼插沿，所述套筒通过所述拼插沿与所述生长罩拼插连接。
[0008]优选的，所述底板的中间位置开设有通槽，所述支杆贯穿所述通槽伸出到所述底板的下端外部。
[0009]与现有技术相比，本技术的有益效果是：在目前对石墨坩埚的固定结构的基
础上添加坩埚盖固定结构，在对石墨坩埚进行固定的同时，增加对坩埚盖固定支撑的结构，坩埚盖放置在石墨坩埚上更加牢固，避免坩埚盖从石墨坩埚上滑落，避免坩埚盖损坏。
附图说明
[0010]图1为本技术的主体结构轴测爆炸图；
[0011]图2为本技术的主体结构轴测图；
[0012]图3为本技术的主体结构主视剖视图.
[0013]图中：1
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固定底座、2
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套筒、3
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生长罩、4
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隔热覆盖、5
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顶盖、6
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拉杆、7
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拉杆、8
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隔热垫、9
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支杆、10
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底板、11
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限位圈、12
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限位槽、13
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连接座、14
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凹槽、15
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凹槽、16
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通槽。
具体实施方式
[0014]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0015]请参阅图1
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3，本技术提供一种碳化硅晶体生长坩埚固定及坩埚盖自支撑结构，包括固定底座1，所述固定底座1的侧表面滑动连接有套筒2，所述套筒2的上端设有生长罩3，所述套筒2及所述生长罩3的外表面均设有隔热覆盖4，所述生长罩3的上端设有顶盖5，所述顶盖5的中间位置贯穿设有拉杆6，所述固定底座1的上方且在所述生长罩3的内部设有生长坩埚7，所述固定底座1与所述生长坩埚7之间设有隔热垫8，所述固定底座1及所述隔热垫8的中间位置贯穿通过螺纹连接有支杆9，所述隔热覆盖4的下端设有底板10。
[0016]使用时，将支杆9贯穿固定底座1及隔热垫8，通过螺栓将支杆9的上端与生长坩埚7固定连接，通过支杆9将隔热垫8及生长坩埚7固定在固定底座1上，将套筒2及生长罩3设置在底板10上，并通过套筒2及生长罩3对生长坩埚7的外部进行防护，并在套筒2及生长罩3的外部设置隔热覆盖4，通过隔热覆盖4保持生长坩埚7内部温度，通过在生长坩埚7的上端设置顶盖5，并在顶盖5的内部设置拉杆6，通过拉杆6对生长罩3内部生长的晶体进行，通过固定底座1与滑套2的滑动连接，使得支杆9能带动生长坩埚在滑套2及生长罩3的内部进行上下位置的调整。
[0017]所述底板10的上表面与所述套筒2及所述隔热覆盖4对应的位置均设有限位圈11，所述套筒2与内侧所述限位圈11卡接，所述隔热覆盖4的下端设有限位槽12，所述限位槽12与外侧所述限位圈11卡接，通过在底板10的上表面上设置限位圈11，通过套筒2下端与限位圈11的卡接，将套筒2设置在限位圈11上，并在隔热覆盖4的下端设置限位槽12，通过限位槽12与限位圈11的卡接，将隔热覆盖4设置在底板10上。
[0018]所述生长坩埚7的下表面中间位置这有连接座13，所述隔热垫8的上表面中间位置设有凹槽14，所述连接座13抵在所述凹槽14的内部，所述支杆9的上端通过螺纹与所述连接座13固定连接，通过在生长坩埚7的下端设置连接座13，并在隔热垫8上设置凹槽14，将连接座13设置在凹槽14的内部，并通过螺纹连接将支杆9与连接座13固定连接。
[0019]所述套筒2的上端与所述生长罩3的下端均设有拼插沿15，所述套筒2通过所述拼插沿15与所述生长罩3拼插连接，通过在套筒2及生长罩3上对应位置设置拼插沿15，将套筒
2与生长罩3拼插连接。
[0020]所述底板10的中间位置开设有通槽16，所述支杆9贯穿所述通槽16伸出到所述底板10的下端外部，通过在底板10上开设通槽16，使得支杆9能通过通槽16贯穿底板10与固定底座1固定连接。
[0021]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种碳化硅晶体生长坩埚固定及坩埚盖自支撑结构，其特征在于：包括固定底座(1)，所述固定底座(1)的侧表面滑动连接有套筒(2)，所述套筒(2)的上端设有生长罩(3)，所述套筒(2)及所述生长罩(3)的外表面均设有隔热覆盖(4)，所述生长罩(3)的上端设有顶盖(5)，所述顶盖(5)的中间位置贯穿设有拉杆(6)，所述固定底座(1)的上方且在所述生长罩(3)的内部设有生长坩埚(7)，所述固定底座(1)与所述生长坩埚(7)之间设有隔热垫(8)，所述固定底座(1)及所述隔热垫(8)的中间位置贯穿通过螺纹连接有支杆(9)，所述隔热覆盖(4)的下端设有底板(10)。2.根据权利要求1所述的一种碳化硅晶体生长坩埚固定及坩埚盖自支撑结构，其特征在于：所述底板(10)的上表面与所述套筒(2)及所述隔热覆盖(4)对应的位置均设有限位圈(11)，所述套筒(2)与内侧所述限位圈(11)卡接，所述隔热覆盖...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓卉，王国斌，钟兴，韦华，温长英，
申请(专利权)人：沈阳科斯莫科技有限公司，
类型：新型
国别省市：