一种调整单晶硅生长过程中温场分布的装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种调整单晶硅生长过程中温场分布的装置，涉及单晶硅材料生产技术领域，包括炉体，所述炉体的内部下端贯穿设有支撑座，所述支撑座的上端设有坩埚，所述炉体的内部且在所述坩埚的外部设有保温罩，所述保温罩的上壁贯穿设有防护筒的下端，所述保温罩的外部设有石墨加热器，所述石墨加热器的上端左右两侧设有调节杆，所述炉体的上表面与所述调节杆对应的位置设有拼插块，所述调节杆贯穿所述拼插块，两个所述拼插块上拼插连接有调节板，保证炉体内部的温度稳定且可调节，在运动过程中使晶体生长时始终与保温材料、石墨加热器和坩埚位置的几何位置对称性较好，使晶体在生长过程中温度场的分布均匀，保证晶体质量。保证晶体质量。保证晶体质量。

【技术实现步骤摘要】
一种调整单晶硅生长过程中温场分布的装置


[0001]本技术涉及单晶硅材料生产
，具体涉及一种调整单晶硅生长过程中温场分布的装置。

技术介绍

[0002]碳化硅单晶材料具有禁带宽度大、热导率高、电子饱和漂移速率大、临界击穿电场高、介电常数低、化学稳定性好等优点，被认为是制造光电子器件、高频大功率器件、电力电子器件理想的半导体材料，在白光照明、光存储、屏幕显示、航天航空、高温辐射环境、石油勘探、自动化、雷达与通信、汽车电子化等方面有广泛应用，目前生长碳化硅晶体最有效的方法是物理气相传输PVT法，在坩埚旋转过程中对保温层整体的密闭性产生影响，破坏了晶体生长的环境。另外，如果坩埚进行旋转，底部的粉末源会受到离心力的影响，导致粉末分布不均，从而影响气相传输过程，破坏温场梯度，导致晶体生长过程产生微管，碳包裹物，严重影响晶体质量。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种调整单晶硅生长过程中温场分布的装置，以解决上述
技术介绍
中提出的在坩埚旋转过程中对保温层整体的密闭性产生影响，破坏了晶体生长的环境。另外，如果坩埚进行旋转，底部的粉末源会受到离心力的影响，导致粉末分布不均，从而影响气相传输过程，破坏温场梯度，导致晶体生长过程产生微管，碳包裹物，严重影响晶体质量的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种调整单晶硅生长过程中温场分布的装置，包括炉体，所述炉体的内部下端贯穿设有支撑座，所述支撑座的上端设有坩埚，所述炉体的内部且在所述坩埚的外部设有保温罩，所述保温罩的上壁贯穿设有防护筒的下端，所述保温罩的外部设有石墨加热器，所述石墨加热器的上端左右两侧设有调节杆，所述炉体的上表面与所述调节杆对应的位置设有拼插块，所述调节杆贯穿所述拼插块，两个所述拼插块上拼插连接有调节板。
[0005]优选的，所述炉体包括保温侧壁，所述保温侧壁的上端设有顶盖，所述保温侧壁的下端设有底板，所述顶盖及所述底板与所述保温侧壁对应的位置设有限位圈，所述顶盖及所述底板上与所述支撑座、所述防护筒及所述调节杆对应的位置开设有通孔。
[0006]优选的，所述调节杆上均匀设有限位凹槽，所述调节板与所述调节杆接触的一端设有拼插头，所述拼插头与所述限位凹槽拼插连接。
[0007]优选的，所述防护筒的上端贯穿所述通孔，所述防护筒的上端与所述顶盖卡接，所述防护筒的内部设有防溅涂层。
[0008]优选的，两个所述调节杆的上端之间连接有提手。
[0009]与现有技术相比，本技术的有益效果是：避免在坩埚旋转过程中对保温层整体的密闭性的影响，保证晶体生长的稳定环境。在坩埚进行旋转时底部的粉末源会受到离
心力的影响，导致粉末分布不均，从而影响气相传输过程，通过设置可以上下调整的石墨加热器，保证炉体内部的温度稳定且可调节，在运动过程中使晶体生长时始终与保温材料、石墨加热器和坩埚位置的几何位置对称性较好，使晶体在生长过程中温度场的分布均匀，保证晶体质量。
附图说明
[0010]图1为本技术的主体结构轴测图；
[0011]图2为本技术的主体结构主视剖视图；
[0012]图3为本技术的主体结构主视示意图；
[0013]图4为本技术的主体结构俯视示意图；
[0014]图5为本技术的调节板结构俯视剖视图。
[0015]图中：1
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炉体、101
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保温侧壁、102
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顶盖、103
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底板、104
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限位圈、2
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支撑座、3
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坩埚、4
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保温罩、5
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防护筒、6
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石墨加热器、7
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调节杆、8
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拼插块、9
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调节板、10
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通孔、11
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限位凹槽、12
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拼插头、13
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防溅涂层、14
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提手。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]请参阅图1
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5，本技术提供一种调整单晶硅生长过程中温场分布的装置，包括炉体1，所述炉体1的内部下端贯穿设有支撑座2，所述支撑座2的上端设有坩埚3，所述炉体1的内部且在所述坩埚3的外部设有保温罩4，所述保温罩4的上壁贯穿设有防护筒5的下端，所述保温罩4的外部设有石墨加热器6，所述石墨加热器6的上端左右两侧设有调节杆7，所述炉体1的上表面与所述调节杆7对应的位置设有拼插块8，所述调节杆7贯穿所述拼插块8，两个所述拼插块8上拼插连接有调节板9。
[0018]使用时，通过支撑座2将坩埚3支撑设置在炉体1的内部，并使得坩埚3在支撑座2的支撑下能进行旋转，在坩埚3的外部设置保温罩4，使得坩埚3能进行温度上升的同时，保证温度上升的可控性，在坩埚3的上端设置防护筒5，使得生产出来的单晶硅晶体通过防护筒5对外输出，通过在炉体1的内部设置石墨加热器6，将坩埚3的温度进行提升，当需要调节石墨加热器6的位置时，将调节板9从拼插块8拉出，随后，向上提起调节杆7，将石墨加热器6的位置向上或向下调节，调节到适当位置后，将调节板9插入到拼插块8内，对调节杆7的位置进行固定，保证石墨加热器6的位置固定。
[0019]所述炉体1包括保温侧壁101，所述保温侧壁101的上端设有顶盖102，所述保温侧壁101的下端设有底板103，所述顶盖102及所述底板103与所述保温侧壁101对应的位置设有限位圈104，所述顶盖102及所述底板103上与所述支撑座2、所述防护筒5及所述调节杆7对应的位置开设有通孔10，通过分体式的顶盖102、保温侧壁101及底板103的设计，使得炉体1能进行快速的拆分组装，通过在顶盖102及底板103上设置限位圈104对保温侧壁101进行固定，在顶盖102及底板103上设置通孔10，使得支撑座2、防护筒5及调节杆7伸出到炉体1
的外部。
[0020]所述调节杆7上均匀设有限位凹槽11，所述调节板9与所述调节杆7接触的一端设有拼插头12，所述拼插头12与所述限位凹槽11拼插连接，通过在调节杆7上设置限位凹槽11，并在调节板9上设置拼插头12，通过拼插头12与限位凹槽11的拼插连接，使得调节板9与调节杆7拼插连接。
[0021]所述防护筒5的上端贯穿所述通孔10，所述防护筒5的上端与所述顶盖102卡接，所述防护筒5的内部设有防溅涂层13，防护筒5通过通孔10伸出的顶盖102的上端，使得防护筒5能快速的从顶盖102上拆卸，并在防护筒5的内部设置防本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种调整单晶硅生长过程中温场分布的装置，其特征在于：包括炉体(1)，所述炉体(1)的内部下端贯穿设有支撑座(2)，所述支撑座(2)的上端设有坩埚(3)，所述炉体(1)的内部且在所述坩埚(3)的外部设有保温罩(4)，所述保温罩(4)的上壁贯穿设有防护筒(5)的下端，所述保温罩(4)的外部设有石墨加热器(6)，所述石墨加热器(6)的上端左右两侧设有调节杆(7)，所述炉体(1)的上表面与所述调节杆(7)对应的位置设有拼插块(8)，所述调节杆(7)贯穿所述拼插块(8)，两个所述拼插块(8)上拼插连接有调节板(9)。2.根据权利要求1所述的一种调整单晶硅生长过程中温场分布的装置，其特征在于：所述炉体(1)包括保温侧壁(101)，所述保温侧壁(101)的上端设有顶盖(102)，所述保温侧壁(101)的下端设有底板(103)，所述顶盖(102)及所述底板(103)...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓卉，王国斌，温长英，
申请(专利权)人：沈阳科斯莫科技有限公司，
类型：新型
国别省市：