一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，涉及石墨坩埚技术领域，包括坩埚，所述坩埚的下方设有支撑板，所述支撑板的上表面设有支撑柱，所述支撑柱的数量为四根，所述坩埚的下表面与四根所述支撑柱对应的位置设有支撑座，四根所述支撑柱的上端抵在所述支撑座上，所述支撑板的下端向内凹陷设有支撑槽，所述支撑槽的内部设有支撑杆，通过设置支撑柱将坩埚的下端与支撑板分离开，使得侧加热器的热量能辐射都坩埚的下表面，即使按照生产要求将石墨坩埚的尺寸增加，依然能保证侧加热器所传导的热量高效的传递至石墨坩埚的底部，使得坩埚受热更加均匀，缩短侧加热器对坩埚进行加热所需要的时间，满足晶体加热炉热场的需求。场的需求。场的需求。

【技术实现步骤摘要】
一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置


[0001]本技术涉及石墨坩埚
，具体涉及一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置。

技术介绍

[0002]石墨坩埚是晶体加热炉内用于盛放石英坩埚的导热件，石墨坩埚里面盛放的是氟化钙单晶材料，加热融化后，生长为晶体。合适的热场，能够生长出高质量的单晶，不好的热场容易使单晶变成多晶，或者根本无法引晶；因此，如何使单晶生长保持在一定温度下的热场结构则尤为重要，目前的热场采用常规的侧加热器，但随着石墨坩埚的尺寸日益增加，侧加热器所传导的热量无法高效的传递至石墨坩埚的底部，所耗费的时间更长，故而不能满足晶体加热炉热场的需求。

技术实现思路

[0003]本技术的目的在于提供一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，以解决上述
技术介绍
中提出的目前的热场采用常规的侧加热器，但随着石墨坩埚的尺寸日益增加，侧加热器所传导的热量无法高效的传递至石墨坩埚的底部，所耗费的时间更长，故而不能满足晶体加热炉热场的需求的问题。
[0004]为实现上述目的，本技术提供如下技术方案：一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，包括坩埚，所述坩埚的下方设有支撑板，所述支撑板的上表面设有支撑柱，所述支撑柱的数量为四根，所述坩埚的下表面与四根所述支撑柱对应的位置设有支撑座，四根所述支撑柱的上端抵在所述支撑座上，所述支撑板的下端向内凹陷设有支撑槽，所述支撑槽的内部设有支撑杆。
[0005]优选的，所述坩埚为上下两段式结构，所述坩埚的上段为圆管形结构，所述坩埚的下段为半球壳形结构，所述坩埚的上段圆管结构与所述坩埚的下段半球壳开口处固定连接，所述坩埚的上下两段连通连接。
[0006]优选的，所述支撑柱的上表面中间位置设有限位销，所述支撑座的下表面与所述限位销对应的位置设有限位孔，所述限位销与所述限位孔拼插连接。
[0007]优选的，所述支撑杆的一侧外表面开设有拼插槽，所述支撑槽的内部与所述拼插槽对应的位置设有拼插条，所述拼插条与所述拼插槽拼插连接。
[0008]优选的，所述坩埚的下方与所述支撑板之间设有受热通道。
[0009]与现有技术相比，本技术的有益效果是：目前的热场采用常规的侧加热器，通过设置支撑柱将坩埚的下端与支撑板分离开，使得侧加热器的热量能辐射都坩埚的下表面，即使按照生产要求将石墨坩埚的尺寸增加，依然能保证侧加热器所传导的热量高效的传递至石墨坩埚的底部，使得坩埚受热更加均匀，缩短侧加热器对坩埚进行加热所需要的时间，满足晶体加热炉热场的需求。
附图说明
[0010]图1为本技术的主体结构轴测剖视图；
[0011]图2为本技术的主体结构轴测图；
[0012]图3为本技术的主体结构主视剖视图；
[0013]图4为本技术的主体结构主视示意图；
[0014]图5为本技术的主体结构轴测剖视图。
[0015]图中：1
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坩埚、2
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支撑板、3
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支撑柱、4
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支撑座、5
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支撑槽、6
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支撑杆、7
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限位销、8
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限位孔、9
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拼插槽、10
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拼插条、11
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受热通道。
具体实施方式
[0016]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0017]请参阅图1
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5，本技术提供一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，包括坩埚1，所述坩埚1的下方设有支撑板2，所述支撑板2的上表面设有支撑柱3，所述支撑柱3的数量为四根，所述坩埚1的下表面与四根所述支撑柱3对应的位置设有支撑座4，四根所述支撑柱3的上端抵在所述支撑座4上，所述支撑板2的下端向内凹陷设有支撑槽5，所述支撑槽5的内部设有支撑杆6。
[0018]使用时，通过支撑槽5将支撑杆6与支撑板2连接到一起，通过支撑杆6将支撑板2支起来，使得支撑板2与单晶炉下壁有一定距离，保证支撑板2在支撑杆6的支撑下能进行旋转，随后将坩埚1放置在支撑柱3上，通过坩埚1上的支撑座4使得坩埚1能牢固的放置在支撑柱3上，通过设置支撑柱3使得坩埚1的下端与支撑板2之间留有一定距离，使得侧加热器的热量能有效的辐射到坩埚1的下表面，保证坩埚1的受热均匀。
[0019]所述坩埚1为上下两段式结构，所述坩埚1的上段为圆管形结构，所述坩埚1的下段为半球壳形结构，所述坩埚1的上段圆管结构与所述坩埚1的下段半球壳开口处固定连接，所述坩埚1的上下两段连通连接，通过将坩埚1设计为上段圆管结构与下段半球壳连通连接的结构，使得坩埚1外壁与侧加热器距离一致，并将下段设计为半球壳结构，使得坩埚1的下端受热更加均匀。
[0020]所述支撑柱3的上表面中间位置设有限位销7，所述支撑座4的下表面与所述限位销7对应的位置设有限位孔8，所述限位销7与所述限位孔8拼插连接，通过在支撑柱3上设置限位销7，并在支撑座4上设置限位孔8，将限位销7与限位孔8拼插连接，在将坩埚1通过支撑座4放置在支撑柱3上后，通过限位销7与限位孔8的拼插连接，避免坩埚1与支撑柱3之间的相对滑动位移。
[0021]所述支撑杆6的一侧外表面开设有拼插槽9，所述支撑槽5的内部与所述拼插槽9对应的位置设有拼插条10，所述拼插条10与所述拼插槽9拼插连接，通过在支撑杆6上设置拼插槽9，并在支撑槽5的内部设置拼插条10，通过拼插槽9与拼插条10之间的拼插连接，使得支撑杆6与支撑槽5之间不会存在相对的滑动位移。
[0022]所述坩埚1的下方与所述支撑板2之间设有受热通道11，通过在坩埚1的下方与支
撑板2之间留有受热通道11，使得侧加热器的热量能通过受热通道11传导到坩埚1的下端。
[0023]尽管已经示出和描述了本技术的实施例，对于本领域的普通技术人员而言，可以理解在不脱离本技术的原理和精神的情况下可以对这些实施例进行多种变化、修改、替换和变型，本技术的范围由所附权利要求及其等同物限定。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，其特征在于：包括坩埚(1)，所述坩埚(1)的下方设有支撑板(2)，所述支撑板(2)的上表面设有支撑柱(3)，所述支撑柱(3)的数量为四根，所述坩埚(1)的下表面与四根所述支撑柱(3)对应的位置设有支撑座(4)，四根所述支撑柱(3)的上端抵在所述支撑座(4)上，所述支撑板(2)的下端向内凹陷设有支撑槽(5)，所述支撑槽(5)的内部设有支撑杆(6)。2.根据权利要求1所述的一种可连续生长单晶硅晶体的石墨坩埚装置，其特征在于：所述坩埚(1)为上下两段式结构，所述坩埚(1)的上段为圆管形结构，所述坩埚(1)的下段为半球壳形结构，所述坩埚(1)的上段圆管结构与所述坩埚(1)的下段半球壳开口处固定连接，所述坩埚(1...

【专利技术属性】
技术研发人员：张晓卉，韦华，钟兴，
申请(专利权)人：沈阳科斯莫科技有限公司，
类型：新型
国别省市：