功率放大器和射频前端电路制造技术

本发明专利技术公开了一种功率放大器和射频前端电路。该功率放大器，包括第一放大晶体管和第一偏置电路；第一偏置电路包括第一偏置晶体管；第一偏置晶体管的第一端与偏置电源端相连，以接收偏置电源端输出的第一电流；第一偏置晶体管的第二端悬空或者接地；第一偏置晶体管的第三端耦合至第一放大晶体管的输入端，以输出第一偏置电流至第一放大晶体管的输入端。由于第一偏置晶体管的第二端悬空或者接地，使得第一偏置晶体管的第二端不会接收到干扰信号，保障第一偏置晶体管输出的第一偏置电流的精确度，从而更灵敏地调整功率放大器所在电路的线性度。的线性度。的线性度。

【技术实现步骤摘要】
功率放大器和射频前端电路


[0001]本专利技术涉及射频通信
，尤其涉及一种功率放大器和射频前端电路。

技术介绍

[0002]射频通信系统在通信、导航、射电天文和电子对抗等领域有广泛的应用，功率放大器是射频通信系统中非常关键的模块，尤其在无线接收机中，功率放大器主要用于将小功率的射频信号放大，然后通过天线辐射出去，以进行信息通信。现有功率放大器一般包括放大晶体管和偏置电路，偏置电路的一端耦合至放大晶体管的输入端，用于给放大晶体管的输入端提供偏置电流，以保障放大晶体管的正常工作，但目前偏置电路在给放大晶体管提供偏置电流时，无法保障功率放大器所在电路的线性度。

技术实现思路

[0003]本专利技术实施例提供一种功率放大器和射频前端电路，以解决现有功率放大器线性度欠佳的问题。
[0004]本专利技术实施例提供一种功率放大器，包括第一放大晶体管和第一偏置电路；
[0005]所述第一偏置电路包括第一偏置晶体管；
[0006]所述第一偏置晶体管的第一端与偏置电源端相连，以接收所述偏置电源端输出的第一电流；
[0007]所述第一偏置晶体管的第二端悬空或者接地；
[0008]所述第一偏置晶体管的第三端耦合至所述第一放大晶体管的输入端，以输出第一偏置电流至所述第一放大晶体管的输入端。
[0009]优选地，所述第一偏置电路还包括第一偏置电阻，所述第一偏置晶体管的第三端通过所述第一偏置电阻耦合至所述第一放大晶体管的输入端。
[0010]优选地，所述第一偏置晶体管的第三端输出的第一偏置电流，被配置为与所述偏置电源端输出的第一电流和所述功率放大器的输出功率相关。
[0011]优选地，所述第一偏置电路，被配置为提高所述第一放大晶体管的增益平坦度。
[0012]优选地，当所述偏置电源端输出的第一电流为[0.01mA，0.5mA]，所述功率放大器的输出功率达到饱和状态时，所述第一偏置晶体管的第三端输出的第一偏置电流为[0.05mA，0.1mA]。
[0013]优选地，当所述偏置电源端输出的第一电流为[0.01mA，0.5mA]，所述功率放大器的输出功率达到饱和状态之前的功率回退[4dB
‑
6dB]时，所述第一偏置晶体管的第三端输出的第一偏置电流为[0.004mA，0.4mA]。
[0014]优选地，当所述偏置电源端输出的第一电流为[0.01mA，0.5mA]，所述功率放大器的输出功率达到饱和状态之前的功率回退[4dB
‑
6dB]时，所述第一偏置晶体管的第三端输出的第一偏置电流为[0.001mA，0.1mA]。
[0015]优选地，所述功率放大器还包括开关电路，所述开关电路的第一端与所述第一偏
置晶体管的第二端相连，所述开关电路的第二端悬空或接地，所述开关电路的第三端与供电电源端相连。
[0016]优选地，所述开关电路，被配置为，根据所述功率放大器的工作模式，切换所述开关电路的第一端与所述开关电路的第二端或者第三端相连。
[0017]优选地，所述开关电路，被配置为，在所述功率放大器的功率模式为第一功率模式时，控制所述开关电路的第一端与所述开关电路的第二端相连；在所述功率放大器的功率模式为第二功率模式时，控制所述开关电路的第二端与所述开关电路的第三端相连，其中，所述第二功率模式大于所述第一功率模式。
[0018]优选地，所述开关电路，被配置为，在所述功率放大器的工作频段为第一频段时，控制所述开关电路的第一端与所述开关电路的第二端相连；在所述功率放大器的工作频段为第二频段时，控制所述开关电路的第二端与所述开关电路的第三端相连，其中，所述第二频段大于所述第一频段。
[0019]优选地，所述开关电路包括单刀双掷开关，所述单刀双掷开关的不动端与所述第一偏置晶体管的第二端相连，所述单刀双掷开关的第一动端悬空或接地，所述单刀双掷开关的第二动端与所述供电电源端相连。
[0020]优选地，所述第一偏置晶体管为偏置MOS管，所述偏置MOS管的栅极为所述第一偏置晶体管的第一端，所述偏置MOS管的漏极为所述第一偏置晶体管的第二端，所述偏置MOS管的源极为所述第一偏置晶体管的第三端；
[0021]或者，所述第一偏置晶体管为偏置BJT管，所述偏置BJT管的基板为所述第一偏置晶体管的第一端，所述偏置BJT管的集电极为所述第一偏置晶体管的第二端，所述偏置BJT管的发射极为所述第一偏置晶体管的第三端。
[0022]优选地，所述功率放大器还包括第二偏置电路，所述第二偏置电路包括第二偏置晶体管；
[0023]所述第二偏置晶体管的第一端与偏置电源端相连，以接收所述偏置电源端输出的第二电流；
[0024]所述第二偏置晶体管的第二端悬空或者接地；
[0025]所述第二偏置晶体管的第三端耦合至所述第一放大晶体管的输入端，以输出第二偏置电流至所述第一放大晶体管的输入端。
[0026]优选地，所述功率放大器还包括第二放大晶体管和第三偏置电路，
[0027]所述第二放大晶体管的输入端耦合至所述第一放大晶体管的输出端；
[0028]所述第三偏置电路包括第三偏置晶体管；
[0029]所述第三偏置晶体管的第一端与偏置电源端相连，以接收所述偏置电源端输出的第三电流；
[0030]所述第三偏置晶体管的第二端悬空或者接地；
[0031]所述第三偏置晶体管的第三端耦合至所述第二放大晶体管的输入端，以输出第三偏置电流至所述第二放大晶体管的输入端。
[0032]本专利技术实施例提供一种射频前端电路，包括上述述功率放大器。
[0033]上述功率放大器和射频前端电路，第一偏置电路中的第一偏置晶体管的第一端与偏置电源端，第一偏置晶体管的第三端耦合至第一放大晶体管的输入端，以使第一偏置晶
体管可输出第一偏置电流，保障第一放大晶体管的正常工作；由于第一偏置晶体管的第二端悬空或者接地，从而可更灵敏地调整第一偏置晶体管输出的第一偏置电流大小，保障第一偏置晶体管输出的第一偏置电流的精确度，进而提高了功率放大器所在电路的线性度。
附图说明
[0034]为了更清楚地说明本专利技术实施例的技术方案，下面将对本专利技术实施例的描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0035]图1是本专利技术一实施例中功率放大器的一电路示意图；
[0036]图2是本专利技术一实施例中功率放大器的另一电路示意图；
[0037]图3是本专利技术一实施例中功率放大器的另一电路示意图；
[0038]图4是本专利技术一实施例中功率放大器的另一电路示意图；
[0039]图5是本专利技术一实施例中功率放大器的另一电路示意图；
[0040]图6是本专利技术一实施例中功率放大器的另一电路示意图；
[0041]图7是功率放大电路进行仿真本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大器，其特征在于，包括第一放大晶体管和第一偏置电路；所述第一偏置电路包括第一偏置晶体管；所述第一偏置晶体管的第一端与偏置电源端相连，以接收所述偏置电源端输出的第一电流；所述第一偏置晶体管的第二端悬空或者接地；所述第一偏置晶体管的第三端耦合至所述第一放大晶体管的输入端，以输出第一偏置电流至所述第一放大晶体管的输入端。2.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一偏置电路还包括第一偏置电阻，所述第一偏置晶体管的第三端通过所述第一偏置电阻耦合至所述第一放大晶体管的输入端。3.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一偏置晶体管的第三端输出的第一偏置电流，被配置为与所述偏置电源端输出的第一电流和所述功率放大器的输出功率相关。4.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述第一偏置电路，被配置为提高所述第一放大晶体管的增益平坦度。5.如权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，当所述偏置电源端输出的第一电流为[0.01mA，0.5mA]，所述功率放大器的输出功率达到饱和状态时，所述第一偏置晶体管的第三端输出的第一偏置电流为[0.05mA，0.1mA]。6.如权利要求3所述的功率放大器，其特征在于，当所述偏置电源端输出的第一电流为[0.01mA，0.5mA]，所述功率放大器的输出功率达到饱和状态之前的功率回退[4dB
‑
6dB]时，所述第一偏置晶体管的第三端输出的第一偏置电流为[0.004mA，0.4mA]。7.如权利要求5所述的功率放大器，其特征在于，当所述偏置电源端输出的第一电流为[0.01mA，0.5mA]，所述功率放大器的输出功率达到饱和状态之前的功率回退[4dB
‑
6dB]时，所述第一偏置晶体管的第三端输出的第一偏置电流为[0.001mA，0.1mA]。8.如权利要求1所述的功率放大器，其特征在于，所述功率放大器还包括开关电路，所述开关电路的第一端与所述第一偏置晶体管的第二端相连，所述开关电路的第二端悬空或接地，所述开关电路的第三端与供电电源端相连。9.如权利要求7所述的功率放大器，其特征在于，所述开关电路，被配置为，根据所述功率放大器的工作模式，切换所述开关电路的第一端与所述开关电路的第二端或者第三端相连。10.如权利要求8所述的功率放大器，其特征在于，所述开关电路，被配置为，在所述功率放大器的功率模式为第一功率模式时，控制所述开关电路的第一端与...

【专利技术属性】
技术研发人员：张滔，曹原，倪建兴，
申请(专利权)人：锐石创芯深圳科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：