线性pHEMT功率放大电路及放大器制造技术

本发明专利技术实施例提供一种线性pHEMT功率放大电路及放大器，涉及集成电路技术领域。该线性pHEMT功率放大电路包括输入单元、射频放大单元、输出单元、直流偏置单元以及整流单元，所述直流偏置单元、整流单元和射频放大单元依次连接，所述输入单元的一端与射频放大单元连接，另一端与信号输入端连接，所述射频放大单元的一端与输入单元连接，另一端与第一电源连接，所述输出单元的一端与射频放大单元连接，另一端与信号输出端连接，所述直流偏置单元的一端与第二电源连接，另一端与整流单元连接，所述整流单元的一端与直流偏置单元连接，另一端与射频放大单元连接。本发明专利技术实施例使线性pHEMT功率放大器得到了更好的线性特性。功率放大器得到了更好的线性特性。功率放大器得到了更好的线性特性。

【技术实现步骤摘要】
线性pHEMT功率放大电路及放大器


[0001]本专利技术涉及集成电路
，具体而言，涉及一种线性pHEMT功率放大电路及放大器。

技术介绍

[0002]随着中国5G产业的迅速发展，功率放大器芯片作为5G通信系统中的关键器件，需要更好的效率、更高的线性度以满足5G通信发展的需求，基于此，在功率放大电路中多种类型的晶体管也应运而生。
[0003]例如GaAs pHEMT晶体管(砷化镓高电子迁移率晶体管)，其采用了InGaAs(砷化铟镓)材料替换常规HEMT晶体管(高电子迁移率晶体管)中的GaAs(砷化镓)沟道层，改善了载流子在势阱中的限制状态，增大了载流子的浓度，因而具有更高的电子迁移率，更高的工作频率、更高的增益、更低的噪声系数。相比于GaAs异质结双极晶体管，具有高频响应好，无热正反馈效应等特征，在5G无线通信基站和终端用放大器中得到了广泛应用。
[0004]在功率放大电路中，由于pHEMT晶体管(高电子迁移率晶体管)器件阈值是正向电压，且与正向导通电压接近，所以器件跨导随栅极偏压的增加而急剧变化，若偏置电路对电压控制不精本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种线性pHEMT功率放大电路，其特征在于，包括输入单元(201)、射频放大单元(202)、输出单元(203)、直流偏置单元(204)以及整流单元(205)，所述直流偏置单元(204)、整流单元(205)和射频放大单元(202)依次连接；所述输入单元(201)的一端与射频放大单元(202)连接，另一端与信号输入端连接，所述输入单元(201)用于通过所述信号输入端接入外部信号输入源；所述射频放大单元(202)的一端与输入单元(201)连接，另一端与第一电源连接，所述射频放大单元(202)用于将输入单元(201)输入的信号进行放大；所述输出单元(203)的一端与射频放大单元(202)连接，另一端与信号输出端连接，所述输出单元(203)用于通过所述信号输出端输出放大后的信号；所述直流偏置单元(204)的一端与第二电源连接，另一端与整流单元(205)连接，所述直流偏置单元(204)用于为所述射频放大单元(202)提供稳定的静态工作点；所述整流单元(205)的一端与直流偏置单元(204)连接，另一端与射频放大单元(202)连接，所述整流单元(205)用于对射频放大单元(202)的信号进行整流。2.根据权利要求1所述的线性pHEMT功率放大电路，其特征在于，所述输入单元(201)包括第一电容和输入匹配网络；所述第一电容的一端与所述信号输入端连接，另一端与所述输入匹配网络的输入端连接，所述输入匹配网络的输出端与所述射频放大单元(202)的输入端连接。3.根据权利要求2所述的线性pHEMT功率放大电路，其特征在于，所述输入匹配网络包括并联连接的电阻和电容。4.根据权利要求2所述的线性pHEMT功率放大电路，其特征在于，所述射频放大单元(202)包括电感和第一pHEMT晶体管；所述电感的一端与所述第一电源连接，另一端与所述第一pHEMT晶体管的漏极连接；所述第一pHEMT晶体管的栅极与所述输入匹配网络的输出端连接，所述第一pHEMT晶体管的源极接地。5.根据权利要求4所述的线性pHEMT功率放大电路，其特征在于，所述电感为扼流电感。6.根据权利要求4所述的线性pHEMT功率放大电路，其特征在于，所述输出单元(203)包括输出匹配网络和第二电容；所述输出匹...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚静石，甘志，苏黎明，龚海波，
申请(专利权)人：成都明夷电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：