一种光接收机用低噪声跨阻放大器制造技术

本发明专利技术公开了一种光接收机用低噪声跨阻放大器，包括级联的跨阻放大电路单元

【技术实现步骤摘要】
一种光接收机用低噪声跨阻放大器


[0001]本专利技术属于通信
，具体涉及一种光接收机用低噪声跨阻放大器
。

技术介绍

[0002]随着
5G
网络
、
全国一体化数据中心体系
、
国家产业互联网等智能化综合性数字信息基础设施的建设，作为承载网
、
固定侧接入网的核心器件，光模块得到了快速发展
。
光纤通信在长距离传输中，损耗很低；其宽频带特性，可以传输的通信容量很大；抗干扰能力比较强；保密性好；资源丰富，节约能源等
。
光纤通信技术在经济和性能方面都具备着很大的竞争优势
。
[0003]跨阻放大器在接收链路中处于前端位置，其性能决定了光接收机整体的性能
。
跨阻放大器在设计上属于高速模拟电路，工作于高数据速率的光纤通信系统，这对跨阻放大器的带宽和线性度提出了很高要求
。
而为了实现高速率工作而选择的先进节点工艺，会带来晶体管的低本征增益
、
低电源电压
、
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.
一种光接收机用低噪声跨阻放大器，其特征在于，包括级联的跨阻放大电路单元与均衡放大电路单元以及从前至后依次连接的检测电路单元
、
补偿电路单元和偏置电路单元，所述偏置电路单元与跨阻放大电路单元连接；所述检测电路单元用于对温度和工艺偏差进行实时监控，并将检测的电压控制信号输送至补偿电路单元；所述补偿电路单元用于比较分析输入的电压控制信号，并自适应调整偏置电路单元输出的偏置电压的值；所述偏置电路单元用于输出偏置电压到跨阻放大电路单元
。2.
根据权利要求1所述的一种光接收机用低噪声跨阻放大器，其特征在于，所述检测电路单元包括
NMOS
晶体管
M
1d
、M
2d
、M
3d
和
M
5d
，
PMOS
晶体管
M
4d
、M
6d
，电阻
R
1d
、R
2d
和
PNP
晶体管
Q
1d
；所述
NMOS
晶体管
M
2d
的漏极
、
栅极分别与电源
VCC
1d
、
基准电平输入端
VREF
1d
连接，且源极分别与
NMOS
晶体管
M
3d
的漏极
、PMOS
晶体管
M
4d
的源极连接；所述
NMOS
晶体管
M
1d
的漏极
、
栅极和
NMOS
晶体管
M
3d
的栅极分别与基准电流输入端
IREF
1d
连接；所述
PMOS
晶体管
M
4d
的栅极和
NMOS
晶体管
M
5d
的栅极
、
漏极分别与电阻
R
1d
的第二端连接，所述
PMOS
晶体管
M
4d
的漏极分别与电阻
R
1d
的第一端和
PMOS
晶体管
M
6d
的源极连接，所述
PMOS
晶体管
M
6d
的漏极
、
栅极分别与电阻
R
2d
的第一端连接，电阻
R
2d
的第二端与
PNP
晶体管
Q
1d
的发射极连接，
PMOS
晶体管
M
6d
的漏极
、
栅极之间设置有信号输出端
OUT
1d
；
PNP
晶体管
Q
1d
的集电极
、
基极以及
NMOS
晶体管
M
1d
、M
3d
和
M
5d
的源极分别接地
。3.
根据权利要求1所述的一种光接收机用低噪声跨阻放大器，其特征在于，所述补偿电路单元包括若干个并联的支路，所述支路上设置有从前至后依次连接的电阻
R n2e
、R n3e
以及运算放大器
OPA ne
、NMOS
晶体管
M
ne
和电阻
R n1e
，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：张鹏，祝晓辉，陶蕤，李广生，
申请(专利权)人：成都明夷电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：