功率放大电路制造技术

提供一种功率放大电路，抑制线性度的下降。包括：在第一模式及第二模式的情况下向第一放大器赋予偏置的第一偏置电路；以及在第二模式的情况下向第二放大器赋予偏置的第二偏置电路。第一偏置电路包括：集电极与电源电位连接、发射极与第一放大器连接、基极与电流源连接的第一晶体管；以及被二极管连接且连接在第一晶体管的基极与基准电位之间的第二晶体管及第三晶体管。第二偏置电路包括：集电极与电源电位连接、发射极与第二放大器连接、基极与电流源连接的第四晶体管；以及基极与第四晶体管的发射极连接、集电极与第四晶体管的基极连接、发射极与基准电位连接的第五晶体管。发射极与基准电位连接的第五晶体管。发射极与基准电位连接的第五晶体管。

【技术实现步骤摘要】
功率放大电路


[0001]本专利技术涉及功率放大电路。

技术介绍

[0002]在下述的专利文献1中记载了具备具有反馈回路的偏置电路的高频放大器。
[0003]在先技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1：日本特开2009
‑
165100号公报

技术实现思路

[0006]专利技术要解决的问题
[0007]在搭载于无线通信终端装置的功率放大电路中，为了根据基站与终端的距离，使输出等级变化，有时需要切换输出功率。例如，功率放大电路有时需要切换相对低的第一输出功率下的放大动作(以下有时称为“低功率模式”)与相对高的第二输出功率下的放大动作(以下有时称为“高功率模式”)。
[0008]当通过专利文献1记载的偏置电路以低功率模式及高功率模式双方的模式对放大用晶体管赋予偏置时，产生增益压缩，相邻通道泄漏功率比(ACLR：Adjacent Channel Leakage Power Ratio)恶化，线性度可能下降。
[0009]本专利技术是鉴于上述而完成的，目的在本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种功率放大电路，包括：第一放大器，其在第一模式及输出功率比所述第一模式相对高的第二模式双方的情况下，将高频信号放大；第二放大器，其在所述第二模式的情况下，将高频信号放大；第一偏置电路，其在所述第一模式及所述第二模式双方的情况下，向所述第一放大器赋予偏置；以及第二偏置电路，其在所述第二模式的情况下，向所述第二放大器赋予偏置，所述第一偏置电路包括：第一晶体管，该第一晶体管的集电极与电源电位电连接，该第一晶体管的发射极与所述第一放大器电连接，该第一晶体管的基极与电流源电连接；以及第二晶体管及第三晶体管，其分别被二极管连接，并且串联连接在所述第一晶体管的基极与基准电位之间，所述第二偏置电路包括：第四晶体管，该第四晶体管的集电极与电源电位电连接，该第四晶体管的发射极与所述第二放大器电连接，该第四晶体管的基极与电流源电连接；以及第五晶体管，该第五晶体管的基极与所述第四晶体管的发射极电连接，该第五晶体管的集电极与所述第四晶体管的基极电连接，该第五晶体管的发射极与基准电位电连接。2.根据权利要求1所述的功率放大电路，其中，所述第一放大器及所述第二放大器分别包括将高频信号放大的多指晶体管，所述第一放大器内的多指晶体管的指数比所述第二放大器内的多指晶...

【专利技术属性】
技术研发人员：岛本健一，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：