一种化学机械抛光装置和抛光方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种化学机械抛光装置和抛光方法，所述化学机械抛光装置包括抛光盘；承载头，用以接收并加载晶圆于所述抛光盘上部的抛光垫；所述抛光盘顶面设置有凹槽，所述凹槽与抛光垫形成密封腔，压力调节部与所述密封腔连通以调节腔室压力，以使凹槽上侧的抛光垫发生形变；使得承载头可以旋转并沿抛光垫的径向移动，以控制晶圆与所述凹槽之间的水平距离，调节晶圆边缘部分的去除速率。调节晶圆边缘部分的去除速率。调节晶圆边缘部分的去除速率。

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械抛光装置和抛光方法


[0001]本专利技术属于化学机械抛光
，具体而言，涉及一种化学机械抛光装置和抛光方法。

技术介绍

[0002]集成电路产业是信息技术产业的核心，在助推制造业向数字化、智能化转型升级的过程中发挥着关键作用。芯片是集成电路的载体，芯片制造涉及芯片设计、晶圆制造、晶圆加工、电性测量、切割封装和测试等工艺流程。其中，化学机械抛光属于晶圆制造工序。
[0003]化学机械抛光(Chemical Mechanical Planarization,CMP)是一种全局平坦化的超精密表面加工技术。化学机械抛光通常将晶圆吸合于承载头的底面，晶圆具有沉积层的一面抵压于抛光垫上表面，承载头在驱动组件的致动下与抛光垫同向旋转并给予晶圆向下的载荷；同时，抛光液供给于抛光垫的上表面并分布在晶圆与抛光垫之间，使得晶圆在化学和机械的共同作用下完成晶圆的化学机械抛光。
[0004]在进行化学抛光时，晶圆边缘部分的抛光速率大于晶圆中心部分的抛光速率，这会导致晶圆的抛光均匀性变差。尤其在一些晶圆制程中，晶圆的某些区域会出现局部减薄本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种化学机械抛光装置，其特征在于，包括：抛光盘；承载头，用以接收并加载晶圆于所述抛光盘上部的抛光垫；所述抛光盘顶面设置有凹槽，所述凹槽与抛光垫形成密封腔，压力调节部与所述密封腔连通以调节腔室压力，以使凹槽上侧的抛光垫发生形变；使得承载头可以旋转并沿抛光垫的径向移动，以控制晶圆与所述凹槽之间的水平距离，调节晶圆边缘部分的去除速率。2.如权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于，所述压力调节部通过管路与所述密封腔相连通，所述压力调节部包括气源及调节阀，其对所述密封腔抽空或通气，以调节所述密封腔的压力。3.如权利要求2所述的化学机械抛光装置，其特征在于，所述密封腔为负压时，凹槽上侧的抛光垫朝向下侧变形，使得凹槽上侧的抛光垫在受压状态下回弹高度降低。4.如权利要求1所述的化学机械抛光装置，其特征在于，所述凹槽的底部配置有多个连接孔，其沿圆周均匀分布；所述压力调节部通过主管路及支管路与连接孔连通，以对所述密封腔抽空或通气。5.如权利要求4所述的化学机械抛光装置，其特征在于，所述主管路同心设置于所述抛光盘的下部...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵德文，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：