应用于薄SIC晶片以进行应力释放和损伤恢复的CMP工艺制造技术

本公开的各实施例总体上涉及应用于薄SIC晶片以进行应力释放和损伤恢复的CMP工艺。一种化学机械抛光(CMP)工艺应用于厚度为200μm以下的碳化硅晶片，该CMP工艺包括以下步骤：将晶片布置在CMP处理装置的支撑头上，晶片具有彼此相对的正面和背面，正面容纳至少一个电子组件并且被耦合到支撑头；将抛光浆液输送到晶片上，其中抛光浆液具有在2

【技术实现步骤摘要】
应用于薄SIC晶片以进行应力释放和损伤恢复的CMP工艺


[0001]本公开涉及应用于薄碳化硅晶片的化学机械抛光CMP工艺。

技术介绍

[0002]众所周知，集成电路是通过交替沉积和去除属于硅和碳化硅晶片的层来制造的；这样的层可以是导电的、半导体的或绝缘的。
[0003]一个制造步骤涉及晶片减薄，以确保最佳器件性能，通常是在器件导电时降低电阻(R
on
电阻)。减薄过程通常通过衬底的机械磨损(研磨过程)来执行。
[0004]在SiC晶片上，研磨过程可能导致深亚表面损伤，并且伴随裂纹和位错，这些损伤会在碳化硅表面上延伸1
‑
3μm。
[0005]由晶片表面上的压应力引起的晶片翘曲也是研磨技术的减薄过程的直接结果。减薄过程产生的应力和裂纹的持续存在会增加晶片翘曲，从而使管芯变得易碎，影响机械强度和管芯产量。

技术实现思路

[0006]本公开提供了一种应用于薄碳化硅晶片的CMP工艺，该工艺克服了现有解决方案的缺点。
[0007]根据本公开，一种CMP工艺应用于碳化硅晶片。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种对碳化硅晶片执行化学机械抛光CMP工艺的方法，包括：将所述晶片布置在CMP处理装置的支撑头上，所述晶片具有彼此相对的正面和背面，所述正面容纳至少一个电子组件并且被耦合到所述支撑头；将抛光浆液输送到所述晶片上，其中所述抛光浆液具有在2至3之间的范围内的pH值；通过经由所述支撑头在所述CMP装置的抛光垫上施加5kPa至20kPa的范围内的压力，抵靠所述抛光垫按压所述晶片的所述背面；将所述抛光垫的转速设置在30rpm至180rpm之间的范围内，并且将所述抛光头的转速设置在30rpm至180rpm之间的范围内；以及将CMP工艺温度设置并且维持为等于或低于50℃。2.根据权利要求1所述的方法，其中所述抛光浆液的流速小于100ml/min。3.根据权利要求1所述的方法，其中所述抛光浆液是氧化铝基的。4.根据权利要求1所述的方法，其中所述CMP工艺被执行，直到厚度在1μm至3μm之间的材料从所述晶片的所述背面被去除。5.根据权利要求1所述的方法，其中所述抛光垫的旋转方向被设置为与所述支撑头的旋转方向相同。6.根据权利要求1所述的方法，其中所述抛光垫的转速被设置在30rpm至70rpm之间的范围内，并且所述抛光头的转速被设置在30rpm至60rpm之间的范围内。7.一种化学机械抛光CMP方法，包括：抵靠抛光垫按压碳化硅晶片的表面；以及通过使用抛光浆液和抛光温度旋转所述抛光垫来抛光所述碳化硅晶片的所述表面，其中：所述抛光浆液具有在2至3之间的范围内的pH值；所述抛光垫上的压力在5kPa至20kPa之间的范围内；所述抛光垫的转速在30rpm至180rpm之间的范围内；以及所述抛光温度等于或低于50℃。8.根据权利要求7所述的CMP方法，包括以30rpm至180rpm之间的范围内的转速旋转所述碳化硅晶片。9.根据权利要求7所述的CMP方法，其中所述抛光浆液以小于100ml/min的流速被...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：