【技术实现步骤摘要】
一种用于化学机械抛光的装置
[0001]本技术属于晶圆生产
,具体而言,涉及一种用于化学机械抛光的装置。
技术介绍
[0002]集成电路的制造过程通常分为:硅片制造、前道工艺(芯片加工)和后道工艺(封装测试)。硅片制造的主要目的是将自然原材料(砂石等)转变为晶片状的基础衬底。前道工艺(芯片加工)的主要目的是在基础衬底上生长电路器件,前道工艺的制造过程按照技术分工主要可分为:薄膜淀积、化学机械抛光(CMP)、光刻、刻蚀、离子注入等工艺环节,各工艺环节要进行多次循环。
[0003]CMP是晶圆处理工艺中最为重要的环节,CMP采用化学和机械相结合共同作用于晶圆表面,首先,晶圆表面材料与抛光液中的氧化剂、催化剂等发生化学反应,生成一层相对容易去除的软质层,然后在抛光液中的磨料和抛光垫的机械作用下去除软质层,使晶圆表面重新裸露出来,然后再进行化学反应,这样在化学作用过程和机械作用过程的交替进行中完成对晶圆表面的抛光操作。
[0004]在化学机械抛光设备中,驱动模块为抛光头提供动力源,驱动抛光头以特定的压力压在抛光 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种用于化学机械抛光的装置,其特征在于,包括:抛光主体、护罩和注液组件;所述护罩围绕所述抛光主体设置,所述护罩的内部具有环形的流道,所述流道的底部开设有与外部连通的槽;所述注液组件与所述护罩可拆卸地连接,用于向所述流道内注液,液体由所述槽流出后形成环形液帘。2.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述抛光主体包括至少两个驱动模块,所述驱动模块的底部配置有承载头;所述护罩围绕所述驱动模块的外周设置。3.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述抛光主体还包括与所述驱动模块连接的旋转架,所述旋转架用于带动多个所述驱动模块以所述旋转架的中心为轴旋转。4.根据权利要求2所述的装置,其特征在于,所述槽与所述承载头的外壁对齐,所述环形液帘沿所述承载头的外壁流下。5.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述护罩的侧壁处开设有与所述流道连通的注液口,所述注液组件的出口端被配置为与所述注液口的位置对应。6.根据权利要求1所述的装置,其特征在于,所述护罩分为护...
【专利技术属性】
技术研发人员:路新春,王同庆,赵德文,许振杰,王春龙,吴兴,
申请(专利权)人:华海清科股份有限公司,
类型:新型
国别省市:
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