用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法技术

本发明专利技术提供一种用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法，将CMP设备停止冲洗并擦拭干净；在CMP设备的head头的外表面设置UV隔热膜；除pad、研磨液喷头和去离子水喷头外，CMP设备中其它直接裸露部件的外表面均设置UV保护膜；减薄抛光时，将排风扇调至最大风速；对含异种金属的晶圆减薄抛光时，利用UV灯对UV隔热膜和UV保护膜进行照射，使其失去粘性并撕掉，更换减薄抛光垫并重新贴膜。本发明专利技术采用UV隔热膜和UV保护膜进行保护，使得在进行含不同金属的晶圆减薄抛光时，只需要更换UV隔热膜和UV保护膜即可，不会出现因CMP设备自身残留吸附的金属粒子而导致将要进行减薄抛光的异种晶圆受到其它金属离子污染的现象，避免了晶圆出现缺陷甚至功能损失的情况。陷甚至功能损失的情况。陷甚至功能损失的情况。

【技术实现步骤摘要】
用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法


[0001]本专利技术涉及半导体加工制造领域，具体提供一种用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法。

技术介绍

[0002]随着集成电路技术的快速发展，器件的集成度越来越高，半导体加工技术越来越复杂，更多的半导体材料被发现并应用在一些高端设计上，同时也伴随着一些问题出现。其中金属污染已经成为目前在半导体加工工艺中最需要注意的问题，受到金属污染的产品会存在性能缺陷，极大地影响了产品器件的良率。而造成产品器件受到金属污染的主要源头之一，是工艺设备，因此，保证工艺设备不受金属污染，是提高产品器件良率的一个重要措施。
[0003]晶圆减薄及表面平整技术是半导体加工工艺不可或缺的一步，化学机械抛光(CMP)是目前公认的晶圆表面抛光效果最好、平坦度最高的半导体工艺技术。在对晶圆进行半导体加工时，都要经过CMP设备对晶圆进行精细减薄抛光，用以提高其表面平坦度，为后期的键合、光刻等工艺提供良好条件。因此，保证CMP设备不受到金属污染则至关重要。
[0004]CMP设备在对晶圆表面金属膜层进行减薄抛光时，由于本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、将CMP设备停止冲洗，并采用无尘布将其擦拭干净；S2、在所述CMP设备的head头的外表面设置UV隔热膜；除pad、研磨液喷头和去离子水喷头外，所述CMP设备中其它直接裸露部件的外表面均设置UV保护膜；S3、所述CMP设备对晶圆减薄抛光时，将排风扇调至最大风速；S4、对含异种金属的晶圆减薄抛光时，利用UV灯对所述UV隔热膜和所述UV保护膜进行照射，使其失去粘性并撕掉，更换减薄抛光垫并重复S2。2.如权利要求1所述的用于避免晶圆减薄抛光造成金属污染的方法，其特征在于，经S2处...

【专利技术属性】
技术研发人员：成明，赵东旭，王云鹏，王飞，范翊，姜洋，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：