【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于晶圆后处理，具体而言，涉及一种晶圆清洗装置。
技术介绍
1、在半导体领域，晶圆表面的清洁度是影响半导体器件可靠性的重要因素之一，在晶圆制程中，例如：沉积、等离子体刻蚀、光刻、电镀等等，都有可能在晶圆表面引入污染和/或颗粒，导致晶圆表面的清洁度下降，制造的半导体器件良率不高。
2、为了达到晶圆表面无污染物的目的，需要移除晶圆表面的污染物以避免制程前污染物重新残留于晶圆表面。因此，在晶圆制造过程中需要经过多次的表面清洗，以去除晶圆表面附着的金属离子、原子、有机物及微粒等污染物。
3、现有的清洗技术采用的是滚刷清洗晶圆的清洗方式，其工作原理为：使晶圆旋转，并将去离子水、药液等清洗液从供给喷管供给到晶圆上，同时使滚刷与晶圆滑动接触。晶圆表面在清洗液的存在下，利用滚刷与晶圆间的摩擦而被清洗。
4、在晶圆处于竖直状态的滚刷清洗技术中，晶圆两个驱动轮和一个测试轮三者都处于晶圆圆心的同侧(底部)，晶圆依靠自身重力压在两个驱动轮上产生的摩擦力带动作用旋转，与此同时，靠晶圆和测速轮的产生的摩擦力带动测速轮旋...
【技术保护点】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述测速组件包括测速轮驱动装置和测速轮；所述测速轮驱动装置能够带动测速轮沿纵向移动，以将测速轮移动至待清洗晶圆的上方；测速轮驱动装置能够带动测速轮摆动，以卡接或远离晶圆外缘。
3.如权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述测速轮驱动装置包括安装座，所述安装座的上方设置有纵向的第一安装孔和第二安装孔；所述第一安装孔的内部设置有外活塞杆，所述外活塞杆的内置孔中同心设置有内活塞杆，所述测速轮固定于内活塞杆的端部；所述第二安装孔邻接于所述第一安装孔设置，其内
【技术特征摘要】
1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述测速组件包括测速轮驱动装置和测速轮；所述测速轮驱动装置能够带动测速轮沿纵向移动，以将测速轮移动至待清洗晶圆的上方；测速轮驱动装置能够带动测速轮摆动，以卡接或远离晶圆外缘。
3.如权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述测速轮驱动装置包括安装座，所述安装座的上方设置有纵向的第一安装孔和第二安装孔；所述第一安装孔的内部设置有外活塞杆，所述外活塞杆的内置孔中同心设置有内活塞杆，所述测速轮固定于内活塞杆的端部；所述第二安装孔邻接于所述第一安装孔设置，其内部设置有顶杆。
4.如权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述安装座配置有活塞杆进气口，其与所述第一安装孔连通，以朝向外活塞杆下端与第一安装孔形成的腔室通气，以驱动测速轮向上移动。
5.如权利要求3所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述外活塞杆的外周侧设置有凸轮槽，其包括线性段和弧形段，两者一体成型；所述弧形段沿轴线方向螺旋延伸；所述安装座的侧方设置有旋转导向销，其能够卡接于所述凸...
【专利技术属性】
技术研发人员：李洪阳，徐海洋，
申请(专利权)人：华海清科股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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