能够更换消耗品的基板处理装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开一种能够更换消耗品的基板处理装置，是一种维持基板处理装置的腔室工艺环境的同时，能够更换喷头、聚焦环等消耗品的支持方案。根据本发明专利技术的能够更换消耗品的基板处理装置包括：工艺腔室，设有执行基板处理工艺的处理空间；升降部件，配置在所述工艺腔室中并在所述处理空间内支承消耗品的同时使所述消耗品升降；门单元，设置在所述工艺腔室的一侧壁面，并随着开闭选择性地提供连接到所述处理空间的通道；以及运输单元，通过所述门单元的通道运输消耗品。的通道运输消耗品。的通道运输消耗品。

【技术实现步骤摘要】
能够更换消耗品的基板处理装置
[0001]技术区域
[0002]本专利技术涉及一种能够更换消耗品的基板处理装置，更具体地，涉及一种维持基板处理装置的腔室工艺环境的同时，能够更换喷头、聚焦环等消耗品的支持方案。

技术介绍

[0003]作为等离子体处理装置，大体上提出有利用电容耦合型等离子体发生源(Capacitively coupled plasma source)、电感耦合型等离子体发生源(Inductively coupled plasma source)以及利用等离子体波(Plasma wave)的螺旋波(Helicon)和微波等离子体发生源(Microwave plasma source)等方案。其中，广泛使用的是能够容易地形成高密度的等离子体的电感耦合型等离子体处理装置。
[0004]等离子体处理装置在各种领域中使用，特别是在要求高密度、高集成化的半导体制造中用于蒸镀、蚀刻等各种工艺。
[0005]当通过等离子体处理装置执行基板蒸镀工艺时，反应生成物不仅蒸镀在基板上，在工艺腔室的喷头上也进行涂覆，因此污染喷头，另外，当通过等离子体本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种能够更换消耗品的基板处理装置，其特征在于，包括：工艺腔室，设有执行基板处理工艺的处理空间；升降部件，配置在所述工艺腔室中并在所述处理空间内支承消耗品的同时使所述消耗品升降；门单元，设置在所述工艺腔室的一侧壁面，并随着开闭选择性地提供连接到所述处理空间的通道；以及运输单元，通过所述门单元的通道运输消耗品。2.根据权利要求1所述的能够更换消耗品的基板处理装置，其特征在于，所述升降部件包括：升降轴，在所述工艺腔室的处理空间内支承消耗品并使所述消耗品升降；以及升降驱动器，使所述升降轴升降。3.根据权利要求1所述的能够更换消耗品的基板处理装置，其特征在于，所述门单元包括：门，配置在所述工艺腔室的一侧壁面，并选择性地开放或关闭连接到所述处理空间的通道；以及门驱动器，驱动所述门的开闭。4.根据权利要求1所述的能够更换消耗品的基板处理装置，其特征在于，所述能够更换消耗品的基板处理装置还包括：缓冲腔室，与所述门单元的通道连接而在所述通道开放时维持所述工艺腔室的处理工艺环境。5.根据权利要求4所述的能够更换消耗品的基板处理装置，其特征在于，所述运输单元包括：运输机器人，位于所述缓冲腔室，并能够通过所述门单元的通道对所述处理空间进行出入而搬运消耗品。6.根据权利要求4所述的能够更换消耗品的基板处理装置，其特征在于，所述能够更换消耗品的基板处理装置还包括：储存部，配置在所述缓冲腔室中并保管消耗品。7.根据权利要求1所述的能够更换消耗品的基板处理装置，其特征在于，所述消耗品包括：聚焦环，安装在所述工艺腔室的基板支承单元的外侧。8.根据权利要求7所述的能够更换消耗品的基板处理装置，其特征在于，所述升降部件位于所述聚焦环的下方，并使所述聚焦环升降，从而支持所述聚焦环的安装以及分离。9.根据权利要求1所述的能够更换消耗品的基板处理装置，其特征在于，所述消耗品包括：喷头，配置在所述处理空间的上方。10.根据权利要求9所述的能够更换消耗品的基板处理装置，其特征在于，所述升降部件位于所述喷头的下方，并使所述喷头升降，从而支持所述喷头的安装以及分离。
11.根据权利要求9所述的能够更换消耗品的基板处理装置，其特征在于，所述能够更换消耗品的基板处理装置还包括：装卸单元，在所述工艺腔室内安装以及分离所述喷头。12.根据权利要求11所述的能够更换消耗品的基板处理装置，其特征在于，所述喷头包括层叠配置的固定板和更换板，所述装卸单元在所述固定板安装以及分离所...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁映轘，卢收练，姜廷锡，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：