用于处理基板的装置和用于处理基板的方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及用于处理基板的装置和用于处理基板的方法。本发明专利技术构思提供了一种基板处理装置。该基板处理装置包括：壳体，该壳体具有内部空间；板，该板将该内部空间分成上方的第一空间和下方的第二空间，并且该板具有多个通孔；第一气体供应单元，该第一气体供应单元被配置成将第一气体供应到该第一空间；等离子体源，该等离子体源用于在该第一空间或该第二空间处产生等离子体；以及监测单元，该监测单元安装在该板处，并且被配置成监测在该第一空间或该第二空间处产生的该等离子体的特性。或该第二空间处产生的该等离子体的特性。或该第二空间处产生的该等离子体的特性。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的装置和用于处理基板的方法
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2021年11月2日提交韩国知识产权局的、申请号为10
‑
2021
‑
0148452的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。


[0003]本文中所描述的本专利技术构思的实施方案涉及一种基板处理装置和基板处理方法，并且更具体地涉及一种用等离子体处理基板的基板处理装置和基板处理方法。

技术介绍

[0004]等离子体是指由离子、自由基(基团，radical)和电子组成的电离气体状态。等离子体由非常高的温度、强电场、或高频电磁场(射频电磁场(RF电磁场，radio frequency electromagnetic field))产生。半导体设备制造工艺可以包括通过使用等离子体去除在基板(诸如，晶圆)上形成的薄膜或副产品的蚀刻工艺。通过使等离子体的离子和/或自由基与基板上的薄膜碰撞或与薄膜反应来执行蚀刻工艺。
[0005]在处理基板的工艺中，使等离子体的特性保持恒定是重要的。本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：壳体，所述壳体具有内部空间；板，所述板将所述内部空间分成上方的第一空间和下方的第二空间，并且所述板具有多个通孔；第一气体供应单元，所述第一气体供应单元被配置成将第一气体供应到所述第一空间；等离子体源，所述等离子体源用于在所述第一空间或所述第二空间处产生等离子体；以及监测单元，所述监测单元安装在所述板处，并且被配置成监测在所述第一空间或所述第二空间处产生的所述等离子体的特性。2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，连接所述第一空间或所述第二空间、与所述监测单元的光路在所述板处形成。3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，所述等离子体源包括：第一电极，所述第一电极被施加有第一高频功率并且在所述第一空间处产生第一等离子体；以及第二电极，所述第二电极被施加有第二高频功率并且在所述第二空间处产生第二等离子体，并且其中，所述光路具有第一路径和第二路径，所述第一路径沿上下方向透过所述板，所述第二路径连接到所述第一路径并且沿朝向所述板的侧壁的方向延伸。4.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述监测单元包括偏振板，所述偏振板安装在所述第一路径和所述第二路径相交的位置处，并且所述偏振板具有沿第一方向的偏振方向，所述光包括第一偏振和第二偏振，所述第一偏振沿所述第一方向振动，所述第二偏振沿与所述第一方向不同的第二方向振动，并且所述偏振板被形成为相对于所述第一路径倾斜，使得入射到所述第一路径的所述光中的所述第二偏振从所述偏振板反射以面向与所述第二路径平行的方向。5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，所述监测单元还包括：接收构件，所述接收构件安装在所述第二路径的与所述侧壁相邻的一侧处，并且所述接收构件接收所述光；以及折射构件，所述折射构件安装在面向所述第二路径的一侧的另一侧处，并且所述折射构件改变所述第二偏振的特性，使得从所述偏振板反射的所述第二偏振沿所述第一方向振动。6.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，所述监测单元还包括反射构件，所述反射构件安装在所述第一路径上，并且所述反射构件将从所述第一路径入射的所述光反射到所述第二路径。7.根据权利要求3所述的基板处理装置，其中，透明盖还安装在所述监测单元处的所述第一路径的一端和另一端中的每一者处。8.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，所述板接地，并且所述板捕获包括在所述第一空间中产生的等离子体中的离子，以将自由基供应到所述第二空间。
9.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：壳体，所述壳体具有等离子体区域和基板处理区域；板，所述板将所述等离子体区域和所述基板处理区域分开，并且所述板具有多个通孔；第一气体供应单元，所述第一气体供应单元被配置成将气体供应到所述等离子体区域；等离子体源，所述等离子体源用于在所述等离子体区域处产生等离子体；以及监测单元，所述监测单元安装在所述板处，并且被配置成监测在所述等离子体区域处产生的所述等离子体的特性。10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，在所述板处形成光路，所述光路连接所述等离子体区域或所述基板处理区域、与所述监测单元。11.根据权利要求10所述的基板处理装置，其中，所述光路具有第一路径和第二路径，所述第一路径沿上下方向透过所述板，所述第二路径连接到所述第一路径并且沿朝向所述板的侧壁的方向延伸。12.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述监测单元包括偏振板，所述偏振板安装在所述第一路径和所述第二路径相交的位置处，并且所述偏振板具有沿第一方向的偏振方向，所述光包括第一偏振和第二偏振，所述第一偏振沿所述第一方向振动，并且所述第二偏振沿与所述第一方向不同的第二方向振动，并且所述偏振板被形成为相对于所述第一路径倾斜，使得入射到所述第一路径的所述光中的所述第二偏振从所述偏振板反射以面向与所述第二路径平行的方向。13.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，所述监测单元包括反射构件板，所述反射构件板安装在所述第一路径和所述第二路径相交的位置处，并且所述反射构件板将入射到所述第一路径的所述光沿所述第二路径的方向反射。14.根据权利要求11所述的基板处理装置，其中，透...

【专利技术属性】
技术研发人员：金东勋，丘峻宅，卢明燮，吴东燮，
申请(专利权)人：细美事有限公司，
类型：发明
国别省市：