基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质制造方法及图纸

技术编号:37490350 阅读:22 留言:0更新日期:2023-05-07 09:29
本公开提供一种基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质,能够使基板处理的面内均一性提高。基板处理装置具备:基板处理室,其对基板进行处理;等离子体生成室,其与所述基板处理室连通;气体供给部,其能够向所述等离子体生成室内供给气体;第一线圈,其配置为围绕所述等离子体生成室,并被供给高频电力;以及第二线圈,其配置为围绕所述等离子体生成室,轴向与所述第一线圈相同且卷绕直径与所述第一线圈不同,并且被供给高频电力,通过该高频电力的供给而产生的电压分布的峰值与由所述第一线圈产生的电压分布的峰值不重叠。述第一线圈产生的电压分布的峰值不重叠。述第一线圈产生的电压分布的峰值不重叠。

【技术实现步骤摘要】
基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质


[0001]本公开涉及基板处理装置、半导体装置的制造方法和存储介质。

技术介绍

[0002]专利文献1记载了一种基板处理装置,其通过向两个线圈供给高频电力,从而对处理气体进行等离子体激励来进行基板处理。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献
[0005]专利文献1:日本特开2020-161541号公报

技术实现思路

[0006]专利技术所要解决的课题
[0007]另外,在上述基板处理装置中,两个线圈直径相同且同轴地配置。因此,有可能导致基板的面内方向上的等离子体密度不均衡,基板处理的面内均一性降低。
[0008]本公开的目的在于,提供一种能够使基板处理的面内均一性提高的技术。
[0009]用于解决课题的方案
[0010]根据本公开的一方案,提供一种技术,具备:
[0011]基板处理室,其对基板进行处理;
[0012]等离子体生成室,其与所述基板处理室连通;
[0013]气体供给部,其能够向所述等本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基板处理装置,其特征在于,具备:基板处理室,其对基板进行处理;等离子体生成室,其与所述基板处理室连通;气体供给部,其能够向所述等离子体生成室内供给气体;第一线圈,其配置为围绕所述等离子体生成室,并被供给高频电力;以及第二线圈,其配置为围绕所述等离子体生成室,轴向与所述第一线圈相同且卷绕直径与所述第一线圈不同,并且被供给高频电力,通过该高频电力的供给而产生的电压分布的峰值与由所述第一线圈产生的电压分布的峰值不重叠。2.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,在与轴向正交的方向上,所述第二线圈的电压分布的峰值与所述第一线圈的电压分布的峰值不重叠。3.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,在轴向上,所述第二线圈的电压分布的峰值与所述第一线圈的电压分布的峰值不重叠。4.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,在所述等离子体生成室的外周形成有:第一配置区域,其在所述轴向上交替地配置构成所述第一线圈的导体和构成所述第二线圈的导体;以及第二配置区域,其在所述轴向上空开间隔地仅配置所述第一线圈的导体。5.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一线圈的卷绕直径比所述第二线圈的卷绕直径小。6.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,所述第二配置区域在所述轴向上形成于比所述第一配置区域接近载置所述基板的基板载置部的一侧。7.根据权利要求6所述的基板处理装置,其特征在于,具有排气部,该排气部能够从所述基板载置部的外周排出所述气体。8.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,在所述第一配置区域,所述第一线圈的导体和所述第二线圈的导体以不会发生电弧放电的距离分离,在所述第二配置区域,所述第一线圈的导体之间以不会发生电弧放电的距离分离。9.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,所述第二配置区域在所述轴向上形成于比所述第一配置区域远离载置所述基板的基板载置部的一侧。10.根据权利要求4所述的基板处理装置,其特征在于,在所述等离子体生成室的外周,且隔着所述第二配置区域在与所述第一配置区域相反的一侧形成有第三配置区域,该第三配置区域在所述轴向上交替地配置所述第一线圈的导体和所述第二线圈的导体。11.根据权利要求1所述的基板处理装置,其特征在于,所述第一线圈具有能够接地的一对接地连接部,所述一对接地连接部之间的电气长度为向所述第一线圈供给的高频电力的波长的倍增的长度。
12.根...

【专利技术属性】
技术研发人员:吉野晃生大桥直史高崎唯史
申请(专利权)人:株式会社国际电气
类型:发明
国别省市:

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