通过RF耦合结构对等离子体形成的控制制造技术

等离子体形成装置可以包括一个或更多个耦合端口以接收射频(RF)电流。该装置可额外包括一个或更多个耦合结构，其可包括一个或更多个导电回路以允许该RF电流从该一个或更多个耦合端口中的至少第一端口传导至该一个或更多个耦合端口中的至少第二端口。该一个或更多个导电回路可各自配置成在不存在该等离子体的情况下显示第一电感值，以及在存在该等离子体的情况下显示第二电感值。该一个或更多个耦合结构可各自包括电抗元件，其中每个电抗元件耦合至该一个或更多个导电回路的相应一者以形成相应数量的耦合结构。每个RF耦合结构可具有响应于该等离子体的存在而增大的谐振频率。有响应于该等离子体的存在而增大的谐振频率。有响应于该等离子体的存在而增大的谐振频率。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】通过RF耦合结构对等离子体形成的控制
交叉引用
[0001]PCT申请表作为本申请的一部分与本说明书同时提交。在同时提交的PCT申请表中所标识的本申请要求享有其权益或优先权的每个申请均通过引用全文并入本文且用于所有目的。

技术介绍

[0002]在晶片制造工艺期间(例如，使用多站集成电路制造室在衬底上沉积膜)，可将一种或更多射频(RF)电流耦合至该室的处理站中。将充足能量的RF电流耦合至处理站中可实现或增强离子化等离子体材料的形成。离子化等离子体材料可操作以形成气体前体的自由基物质，使得该前体能被例如半导体晶片的暴露表面吸附。经由建构非常薄的材料层的多个层(其数量可为数百或数千)，可在半导体衬底上或上方建构集成电路。然而，在一些实例中，在制造室中形成离子化等离子体材料会涉及精密程序，其中某些参数受到严格控制以实现高度可重复且一致的结果。因此，对于形成离子化等离子体材料的各种层面的改善控制方法持续是活跃的研究领域。
[0003]这里提供的背景描述是为了总体显示本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于形成等离子体的装置，其包括：一个或更多个耦合端口，其被配置成接收射频(RF)电流；一个或更多个导电回路，其被配置成允许所述RF电流从所述一个或更多个耦合端口中的至少第一端口传导至所述一个或更多个耦合端口中的至少第二端口，所述一个或更多个导电回路各自被配置成不存在所述等离子体的情况下显示第一电感值，以及在存在所述等离子体的情况下显示第二电感值；以及一个或更多个电抗元件，每一个耦合至所述一个或更多个导电回路中的相应一者以形成相应数量的耦合结构，每个耦合结构都具有谐振频率，所述谐振频率被配置成响应于所述等离子体的存在而增大。2.根据权利要求1所述的装置，其中所述一个或更多个导电回路被配置成形成在感应模式中操作的等离子体。3.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述一个或更多个导电回路包括两个或更多个导电回路。4.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述一个或更多个电抗元件中的每一者包括一个或更多个电容元件，所述一个或更多个电容元件与所述一个或更多个导电回路中的相应导电回路协作以在低于所述RF电流的频率的频率下产生谐振。5.根据权利要求4所述的装置，其中所述谐振频率是落在与所述RF电流的所述频率相差在约10％以内的值。6.根据权利要求4所述的装置，其中所述形成所述等离子体产生比所述第一电感值小的第二电感值。7.根据权利要求1或2所述的装置，其中介于所述一个或更多个导电回路与所形成的所述等离子体之间的耦合因子包括介于约0.35与约0.5之间的值。8.根据权利要求7所述的装置，其中所形成的所述等离子体中的至少一部分位于所述一个或更多个导电回路中的每一者的区段之间的区域中。9.根据权利要求7所述的装置，其中所形成的所述等离子体中的至少一部分位于比所述一个或更多个导电回路中的每一者的相邻区段之间的分隔距离的两倍小的区域中。10.根据权利要求1或2所述的装置，其中所述一个或更多个导电回路中的至少一者包括发夹形状。11.根据权利要求1或2所述的装置，其还包括延迟网络，所述延迟网络被配置成将所述一个或更多个导电回路内的电流传导保持在至少是被传导至所述一个或更多个耦合端口中的所述第一端口的所述RF电流的值的两倍的值。12.根据权利要求11所述的装置，其中所述延迟网络进一步被配置成在RF匹配网络的输出端口与所述一个或更多个耦合端口中的所述第一端口之间引进约二分之一波长的延迟。13.一种装置，其包括：一个或更多个输入端口，其用于接收RF电流；一个或更多个导电回路，其耦合至所述一个或更多个输入端口的相应一者，所述一个或更多个导电回路中的每一者被配置成显示电感；以及一个或更多个电容元件，所述一个或更多个电容元件中的每一者被耦合至所述一个或
更多个导电回路中的相应一者以在第一频率下谐振，所述第一频率低于所述RF电流的频率，所述一个或更多个导电回路被配置成响应于所述RF电流的传导而将紧邻所述一个或更多个导电回路的气体转化为等离子体。14.根据权利要求13所述的装置，其中所述第一频率与所述RF电流的所述频率的差异小于约10％。15.根据权利要求13或14所述的装置，其中所述气体至少部分地围绕所述一个或更多个导电回路。16.根据权利要求13或14所述的装置，其中所述气体位于所述一个或更多个导电回路的相邻区段之间的间隔的两倍的距离中。17.根据权利要求13或14所述的装置，其中所述一个或更多个导电回路被配置成在低于约13.56MHz的频率下谐振。18.根据权利要求13或14所述的装置，其中所述一个或更多个导电回路中的至少一者包括发夹形状。19.根据权利要求13或14所述的装置，其还包括时间
‑
延迟...

【专利技术属性】
技术研发人员：赫马，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：